公开(公告)号：CN112768517B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201911065246.6

申请日：2019-11-04

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 张龙 ,  马杰 ,  顾炎 ,  张森 ,  祝靖 ,  龚金丽 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区，所述第三区设于所述第四区和所述体区之间，所述第一区设于所述第四区下方，所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间。本发明能够在线性电流区域提高注入效率，获得更低的导通压降；并且在饱和电流区域降低饱和电流，获得更大的安全工作区。

公开(公告)号：CN111430454B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202010323101.8

申请日：2020-04-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 张龙 ,  龚金丽 ,  祝靖 ,  杨兰兰 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 一种低饱和电流的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，该半导体具备：在P型衬底上设有有埋氧层，在埋氧层上方设有N型漂移区，其上有P型体区、场氧层和集电极区，在P型体区内设有相连的P阱，在P阱内设有P型发射极区，在P型发射极区上设有N型发射极区，在P型体区、P阱、P型发射极区、场氧层和集电极区上方设有氧化层，在场氧层与氧化层之间设有多晶硅栅且延伸至P阱的上方，在P阱、P型体区与多晶硅栅之间设有栅氧化层，所述集电极区包括设在N型漂移区内且被N型漂移区隔离的重掺杂的N型集电极区和轻掺杂的N型集电极区，在重掺杂的N型集电极区内设有轻掺杂的P型集电极区，在轻掺杂的N型集电极区内设有重掺杂的P型集电极区。

公开(公告)号：CN112768517A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201911065246.6

申请日：2019-11-04

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 张龙 ,  马杰 ,  顾炎 ,  张森 ,  祝靖 ,  龚金丽 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区，所述第三区设于所述第四区和所述体区之间，所述第一区设于所述第四区下方，所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间。本发明能够在线性电流区域提高注入效率，获得更低的导通压降；并且在饱和电流区域降低饱和电流，获得更大的安全工作区。

公开(公告)号：CN111430454A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010323101.8

申请日：2020-04-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 张龙 ,  龚金丽 ,  祝靖 ,  杨兰兰 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 一种低饱和电流的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，该半导体具备：在P型衬底上设有有埋氧层，在埋氧层上方设有N型漂移区，其上有P型体区、场氧层和集电极区，在P型体区内设有相连的P阱，在P阱内设有P型发射极区，在P型发射极区上设有N型发射极区，在P型体区、P阱、P型发射极区、场氧层和集电极区上方设有氧化层，在场氧层与氧化层之间设有多晶硅栅且延伸至P阱的上方，在P阱、P型体区与多晶硅栅之间设有栅氧化层，所述集电极区包括设在N型漂移区内且被N型漂移区隔离的重掺杂的N型集电极区和轻掺杂的N型集电极区，在重掺杂的N型集电极区内设有轻掺杂的P型集电极区，在轻掺杂的N型集电极区内设有重掺杂的P型集电极区。