公开(公告)号：CN102208451A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110139814.X

申请日：2011-05-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  韩佃香 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 一种用于高压集成电路的金属绝缘栅场效应管结构，包括：P型衬底,P型外延层，P型外延上设置有P型隔离阱区、N型隔离阱区、P型背栅区及高压N型阱区，P型背栅区内设置有N型源区，其特征在于，在P型背栅区的下方设有N型埋层，N型埋层两端分别与N型隔离阱区、高压N型阱区连接，N型源区两侧设有第一源端N型缓冲层和第二源端N型缓冲层，在P型背栅接触区和N型源区上分别连接有P型背栅极金属连线和源极金属连线。本发明大大的减少了传统自举二极管中普遍存在的衬底电流问题，提高了自举电容充电速度，改善了驱动电路的动态特性。

公开(公告)号：CN102208451B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201110139814.X

申请日：2011-05-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  韩佃香 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 一种用于高压集成电路的金属绝缘栅场效应管结构，包括：P型衬底,P型外延层，P型外延上设置有P型隔离阱区、N型隔离阱区、P型背栅区及高压N型阱区，P型背栅区内设置有N型源区，其特征在于，在P型背栅区的下方设有N型埋层，N型埋层两端分别与N型隔离阱区、高压N型阱区连接，N型源区两侧设有第一源端N型缓冲层和第二源端N型缓冲层，在P型背栅接触区和N型源区上分别连接有P型背栅极金属连线和源极金属连线。本发明大大的减少了传统自举二极管中普遍存在的衬底电流问题，提高了自举电容充电速度，改善了驱动电路的动态特性。

公开(公告)号：CN102208450A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110139625.2

申请日：2011-05-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  祝靖 ,  韩佃香 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06

Abstract: 一种用于高压驱动电路的隔离结构，包括：P形衬底，在P形衬底上设有P型外延层，在P型外延层上设有高压区、低压区、高低压结终端区、第一P型结隔离区和半环形P型结隔离区且半环形P型结隔离区的两端与第一P型结隔离区连接，其特征在于，所述的半环形P型结隔离区由半环形P型埋层及半环形P型阱区组成，半环形P型阱区位于半环形P型埋层上方，在半环形P型埋层的两端与第一P型结隔离区之间分别设有第一间隙和第二间隙，所述P形衬底和P型外延层向第一间隙和第二间隙延伸并填实。本发明解决了P型埋层引入造成的高低压结终端区中发局部击穿问题，使得LDMOS与周围部分有效隔离。

公开(公告)号：CN102208450B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110139625.2

申请日：2011-05-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  祝靖 ,  韩佃香 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06

Abstract: 一种用于高压驱动电路的隔离结构，包括：P形衬底，在P形衬底上设有P型外延层，在P型外延层上设有高压区、低压区、高低压结终端区、第一P型结隔离区和半环形P型结隔离区且半环形P型结隔离区的两端与第一P型结隔离区连接，其特征在于，所述的半环形P型结隔离区由半环形P型埋层及半环形P型阱区组成，半环形P型阱区位于半环形P型埋层上方，在半环形P型埋层的两端与第一P型结隔离区之间分别设有第一间隙和第二间隙，所述P形衬底和P型外延层向第一间隙和第二间隙延伸并填实。本发明专利解决了P型埋层引入造成的高低压结终端区中发局部击穿问题，使得LDMOS与周围部分有效隔离。

公开(公告)号：CN202120920U

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201120173756.8

申请日：2011-05-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  韩佃香 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 一种用于高压集成电路的金属绝缘栅场效应管结构，包括：P型衬底,P型外延层，P型外延上设置有P型隔离阱区、N型隔离阱区、P型背栅区及高压N型阱区，P型背栅区内设置有N型源区，其特征在于，在P型背栅区的下方设有N型埋层，N型埋层两端分别与N型隔离阱区、高压N型阱区连接，N型源区两侧设有第一源端N型缓冲层和第二源端N型缓冲层，在P型背栅接触区和N型源区上分别连接有P型背栅极金属连线和源极金属连线。本实用新型大大的减少了传统自举二极管中普遍存在的衬底电流问题，提高了自举电容充电速度，改善了驱动电路的动态特性。

公开(公告)号：CN202103054U

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201120173454.0

申请日：2011-05-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  祝靖 ,  韩佃香 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06

Abstract: 一种用于高压驱动电路的隔离结构，包括：P形衬底，在P形衬底上设有P型外延层，在P型外延层上设有高压区、低压区、高低压结终端区、第一P型结隔离区和半环形P型结隔离区且半环形P型结隔离区的两端与第一P型结隔离区连接，其特征在于，所述的半环形P型结隔离区由半环形P型埋层及半环形P型阱区组成，半环形P型阱区位于半环形P型埋层上方，在半环形P型埋层的两端与第一P型结隔离区之间分别设有第一间隙和第二间隙，所述P形衬底和P型外延层向第一间隙和第二间隙延伸并填实。本实用新型专利解决了P型埋层引入造成的高低压结终端区中发局部击穿问题，使得LDMOS与周围部分有效隔离。