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公开(公告)号：CN107689787A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710675218.0
申请日：2017-08-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H03K17/687 , H03K2217/0054 , H03K2217/0063
Abstract: 一种用于半桥结构的高压侧栅驱动电路，其中的脉冲滤波电路包括两条信号通路，两条通路均设有缓冲电路、倒相器单元和整形电路，两个倒相器单元均有四个端口，两个倒相器单元的第一端口为输入端，两个倒相器单元的第二端口分别为输出端，两个倒相器单元的第三端口为固定电位端，两个倒相器单元的第四端口为浮动电位端；若第一端口和第四端口的电压差的绝对值高于倒相器单元阈值电压VTH，第四端口的电信号可以通过第一倒相器单元或第二倒相器单元传递至第二端口；若第一端口和第四端口的电压差绝对值不高于倒相器单元阈值电压VTH，则第四端口的电信号无法通过第一倒相器单元或第二倒相器单元传递至第二端口。
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公开(公告)号：CN114551379B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210143845.0
申请日：2022-02-17
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/433 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种具有高效散热性能的芯片散热器，包括：装置本体，在装置本体上设有流体凹槽、流体入口，流体凹槽内设有流体出口，流体凹槽连接流体流出通道，流体流出通道与芯片嵌入凹面上层散热层相连接。芯片嵌入凹面上设有流速挡板和喷射微孔道，喷射微孔道与芯片嵌入凹面下层流体流入层相连接。芯片内嵌于芯片嵌入凹面。流体凹槽为矩形凹槽，芯片嵌入凹面为正方形，流体出口、流体入口均为圆柱形，喷射微孔道为圆柱形。装置主体所使用的耐腐蚀金属材料为铜Cu、银Ag或金Au。本发明提供的一种高效散热性能的芯片散热器通过液体冷却，散热效率高，传热系数大，工作稳定性好，适用范围广。
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公开(公告)号：CN119315976A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411383990.1
申请日：2024-09-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明公开了一种提升氮化镓半桥功率芯片可靠性的电平移位电路，包括脉冲产生电路、电平转换支路、噪声消除电路、负VS容差提升电路、锁存模块；噪声消除电路可以有效抑制dVS/dt噪声的影响，负VS容差提升电路可以提升电路对VS负电压的容差，保证输入信号可以准确地传入锁存模块进行输出，提高氮化镓半桥功率芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN119298612A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411437534.0
申请日：2024-10-15
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于降低多核CPU电源电压波动的可重构辅助电路，包括传统VRM控制电路，单相降压辅助电路、背对背开关管、微分器、窗口比较器及高动态非线性闭环控制电路。传统VRM控制电路中各相的主核心VRM控制器输出端与背对背开关管相连，单相降压辅助电路与各相的背对背开关管连接。微分器采集各相的主核心VRM控制器输出电压后通过窗口比较器将输出电压与高动态非线性闭环控制电路连接；高动态非线性闭环控制电路与单相降压辅助电路连接，高动态非线性闭环控制电路输出PWM脉冲控制信号用于控制主核心VRM控制器中功率级的输出以及输出晶体管开关控制信号。本发明通过动态调整其负载连接，降低了多核情况下的电压波动。
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公开(公告)号：CN115133770B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210953278.5
申请日：2022-08-10
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于多相Buck变换器的自适应切相控制模块，包括阈值判断模块和自动相位交错模块；所述阈值判断模块用于对各相电感电流之和Isum进行阈值判断，得出当前负载条件下有效相位数M；阈值判断模块输出有效相位数M到自动相位交错模块。自动相位交错模块用于将有效相所需的数字斜坡分别与对应误差补偿量进行比较，实现M相数字斜坡信号相位间隔均等分配，实现误差补偿运算中M相标志信号触发间隔均等分配，从而使得各相Buck变换器开关控制信号相位间隔的自适应均等分配，确保各相电感电流叠加之后的总输出电流纹波幅度达到最小值，实现切相后各开关控制信号相位间隔的自适应调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115117154B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210712859.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件，包括：金属漏电极，第一高掺杂层，具有鳍式结构的缓冲层，具有第一鳍柱、第二鳍柱、第三鳍柱、第四鳍柱的元胞区和具有第五鳍柱、第六鳍柱的终端区；第一、第四、第五鳍柱的顶表面叠设第二高掺杂层、金属源电极，并通过其外侧的金属栅电极实现器件的正向工作状态，第二、第六鳍柱通过顶表面及外侧的第二金属源电极实现器件的反向工作状态，第三鳍柱的顶表面及外侧设有第三介质层，用于隔离第二鳍柱与第四鳍柱；本发明器件具有高续流能力、高击穿电压、低开关损耗以及高工艺集成度等优势。
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公开(公告)号：CN114864687B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210643562.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件，包括：衬底，缓冲层，沟道层，势垒层，由第一金属源电极、第一P型氮化镓帽层、第一金属栅电极、第一金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属栅电极构成的栅控制区，由第一金属源电极、第三P型氮化镓帽层、第三金属栅电极、第二金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属源电极构成的有源工作区；本发明通过栅控制区调节器件整体栅漏电大小，集成度高，寄生少，同时可以有效缓解电荷存储效应，提高器件阈值稳定性。
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公开(公告)号：CN114598158B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210225218.1
申请日：2022-03-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有前沿自适应调节的PWM驱动电路，包括驱动电路，功率级和PWM信号发生器，变压器驱动LLC桥式拓扑的大功率晶体管，结构在保证PWM信号后沿位置不变的情况下，通过对驱动电路关键节点电压信号进行采样，并采用延时补偿电路消除环路延时带来的误差来自适应调节PWM信号有效前沿位置，从而实现了死区时间自适应可调的定频PWM控制。
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公开(公告)号：CN118054791A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410272383.1
申请日：2024-03-11
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于开关电源电流预估优化的高精度占空比采样方法，通过基于插值法实现的数字延时型高精度TDC，提高占空比信号的采样精度；TDC由延时单元delay和触发器组成，基于系统时钟clk_sys对采样节点的占空比信号SW进行采样，采样过程分为粗量化和细量化两个部分；粗量化：通过系统时钟对占空比信号SW进行计数，测量占空比信号SW高电平的宽度；细量化：采用延时单元delay获取占空比信号SW边沿和系统时钟clk_sys边沿之前的时间差，在粗量化的基础上，进一步测量占空比信号SW高电平的精确宽度；通过在系统时钟中插入由N个延时单元构成的延时链，延时链的总延时等于系统时钟的周期，实现了将采样分辨率提升到1/N系统时钟周期的目标；即通过插值法，对细微的时间差进行精确测量。本发明实现在不提高采样时钟频率的前提下，提高占空比信号的采样精度。
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公开(公告)号：CN118054782A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410236265.5
申请日：2024-03-01
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K19/003 , H03K19/0175
Abstract: 本发明公开了一种提升高压栅驱动芯片抗噪能力的电平移位电路，属于功率集成电路领域，当高压域电源轨迅速上升时，反馈控制模块检测到信号传输通路中存在共模噪声，输出反馈信号控制电平移位支路的负载阻抗减小，从而降低噪声的幅度与影响时间，再经过后级滤波电路滤除剩余噪声便可以保证噪声不会造成高压域电路逻辑功能紊乱，并且由于动态负载结构和反馈控制模块的作用，噪声影响时间将会被大大缩短，噪声再经过后级滤波电路，可以完全被滤除，因此允许的输入信号最小脉宽可以被有效降低且大大降低信号传输延时。
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