公开(公告)号：CN102948255B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201180031181.9

申请日：2011-06-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  林辉幸

IPC: H05B33/04 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/005 ,  H01L51/5253 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明提供密封膜形成方法和密封膜形成装置。能够以比以往技术更短的时间及低成本形成抗透湿性较高的密封膜。在用于形成用于密封有机EL元件（12）的密封膜（13）的密封膜形成方法中，在有机EL元件（12）的表面上形成第一无机层（13a），在第一无机层（13a）之上形成碳氢化合物层（13c），通过使碳氢化合物层（13c）软化或熔化而使其平坦化，使碳氢化合物层（13c）固化，使碳氢化合物层（13c）固化后，在碳氢化合物层13c之上形成比第一无机层（13a）厚的第二无机层（13e）。

公开(公告)号：CN102575347B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201080044833.8

申请日：2010-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野裕司 ,  林辉幸

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C14/24 ,  B05D1/60 ,  C23C14/06 ,  C23C14/12 ,  C23C14/14 ,  C23C14/22

Abstract: 提供一种成膜装置，该成膜装置能够进行期望条件下的有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀。该成膜装置具备：收纳被处理基板(G)的处理室；设置于处理室的外部的产生有机成膜材料的蒸气的蒸气产生部；有机成膜材料供给部(22)，其设置于处理室的内部，将在蒸气产生部产生的有机成膜材料的蒸气喷出；无机成膜材料供给部(24)，其设置于处理室的内部，喷出无机成膜材料的蒸气；和混合室(23)，其将从有机成膜材料供给部(22)喷出的有机成膜材料的蒸气与从无机成膜材料供给部(24)喷出的无机成膜材料的蒸气混合，混合室(23)具备使有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气通过、向被处理基板(G)供给的开口部(23c)。

公开(公告)号：CN102575338A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080038999.9

申请日：2010-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  小野裕司 ,  林辉幸

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3414

Abstract: 本发明提供一种溅射装置。该溅射装置在对自溅射空间向作为溅射处理对象的形成有有机薄膜的基板的光进行遮挡而防止有机薄膜特性劣化的状态下进行溅射处理。该溅射装置用于对配置在溅射空间的侧方的基板进行溅射处理，该溅射空间形成在相对配置的一对靶材之间，其中，该溅射装置包括用于对上述一对靶材施加电压的电源、用于向上述溅射空间中供给非活性气体的气体供给部、配置在上述溅射空间和上述基板之间的遮光机构。

公开(公告)号：CN1606145B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200410080756.8

申请日：2004-10-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  长池宏史 ,  林辉幸 ,  藤原馨

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/30 ,  B65G49/06

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J2237/0048 ,  H01L21/67028

Abstract: 本发明提供一种防止微粒附着装置，为了防止在基板处理工序的装置内的微粒附着在基板上，在利用离子发生装置使微粒带电的同时，利用直流电源将与带电微粒同极性的直流电压施加在基板上。而且，在将气体导入基板处理工序的真空处理室的上下电极之间，将高频电压施加在上下电极上生成等离子体时，以多阶段顺序施加高频电压。即，在最初步骤中，将能够等离子体点火的最小限度的高频电压施加在上下电极上，生成最小限度等离子体，然后，分阶段地增加所施加电压，生成规定的等离子体。

公开(公告)号：CN101471242B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200810189121.X

申请日：2008-12-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  林辉幸 ,  藤原馨

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法和半导体制造装置，利用等离子体蚀刻在基板上的膜上形成平行的线状的图案，并且能够实现上述图案的细微化。以在第一层上形成的原始图案作为基点，在第二层上形成的掩模图案上形成薄膜，并利用等离子体进行各向异性蚀刻，在以夹着形成于第一层的膜上的掩模图案的掩模部分的宽度方向中央部的位置对应的区域相对的方式形成的两个掩模部分之间，使在这些掩模部分的侧壁上末端扩宽的堆积部分残留下来，并且使第三层的膜的表面从这些堆积部分之间露出，并且使在上述两个掩模图案以外的互相邻接的掩模部分之间连续的堆积部分残留下来之后，除去上述掩模。然后，以上述堆积部分作为掩模利用等离子体对上述下层的膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN100585372C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200480029726.2

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 及川雅之 ,  安倍胜彦 ,  高桥信博 ,  林辉幸

IPC: G01N1/32 ,  G01N1/28

CPC classification number: H01L21/67303 ,  G01N1/32 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/67326

Abstract: 本发明提供一种检测辅助装置(3)，其用于，使半导体处理装置的石英制棒状部件(21)的检测对象部分接触由蚀刻液组成的处理液，然后分析处理液，测定在检测对象部分中含有的金属杂质的检测。棒状部件(21)具有位于夹持检测对象部分的一对凹部(22)。检测辅助装置(3)具有，与一对凹部结合的一对端板(32)、连接一对端板的框架(30)和在一对端板间设置的液体接受部(31)。液体接受部(31)贮留处理液，并具有使检测对象部分与处理液接触的尺寸。

公开(公告)号：CN101341589A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200780000853.3

申请日：2007-08-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 齐藤美佐子 ,  林辉幸 ,  藤原馨

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956 ,  G01N23/225 ,  G01R31/302 ,  H01L21/027

CPC classification number: G01N23/2251 ,  G01N21/956 ,  G01N2223/646 ,  G01R31/2831 ,  G01R31/305 ,  G01R31/307 ,  G01R31/308 ,  G01R31/311 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种对形成于基板上的形状的缺陷进行检查的缺陷检查方法，对于在基板上的被分割的多个区域中分别形成的规定图案，以光学式方法依次进行一次检查，从该多个区域中选择进行二次检查的该区域。对所选择的区域，使用电子射线进行二次检查，检测出缺陷。

公开(公告)号：CN101313389A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200780000214.7

申请日：2007-04-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村茂 ,  林辉幸

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02087 ,  H01L21/67115 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明涉及基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置。根据本发明，无需研磨基板端部，无需发生等离子体，通过简单的控制即能一次清洗基板端部全周。其中，设置用来载置晶片(W)的载置台(204)；加热晶片端部的加热模块(210)；朝着晶片端部照射紫外线的紫外线照射模块(220)；以及在晶片端部表面形成气体的气流的气流形成模块(230)，并且在晶片端部附近按照围绕晶片的方式来分别配置加热模块、紫外线照射模块以及气流形成模块。

公开(公告)号：CN100418189C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200610007445.8

申请日：2006-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 齐藤美佐子 ,  林辉幸 ,  小宫隆行

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C14/22 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种真空处理系统，包括用于收容被处理体并在真空状态下对其进行处理的处理腔室。所述处理腔室包括排气系统和气体供给系统。在所述处理腔室外并且与所述处理腔室内选择性地连接的空间内，配置有产生负离子的负离子发生器。在所述处理腔室内配置有用于使所述被处理体形成为带负电的状态的负电荷施放器。

公开(公告)号：CN101103262A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200680001995.7

申请日：2006-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 齐藤美佐子 ,  林辉幸

IPC: G01N1/22 ,  G01N30/00

CPC classification number: G01N30/06 ,  G01N2030/062 ,  G01N2030/128

Abstract: 本发明涉及测定有机物气体浓度的测定装置(2)，从处理系统内的目标空间引出目标氛围气体，测定其中有机物气体的浓度。装置(2)包括具有与目标空间连接的导入口的捕集容器(20)。排气系统(36)与捕集容器(20)连接。在捕集容器(20)内，收容有用于通过吸附有机物气体得到捕集有机物气体的捕集部件(22)。利用包括加热器(24)的温度调整机构，调整捕集部件(22)的温度，控制有机物气体的吸附/解吸。从载气供给系统(32)供给用于搬送从捕集有机物气体中取出的解吸气体的载气。利用浓度测定部(56)测定搬送解吸气体的载气中的有机物气体的浓度。