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公开(公告)号：CN1779927A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510114267.4
申请日：2005-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 近藤英一
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/04 , C23C18/08 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , Y10T428/12819 , Y10T428/12903
Abstract: 在形成于基板上的Cu扩散阻止膜上形成Cu膜的薄膜沉积方法中，在Cu扩散阻止膜上形成接触膜，该接触膜提供Cu膜对Cu扩散阻止膜的附着。将超临界态介质中溶解有前体的加工介质供应给基板，以使Cu膜在接触膜上形成。
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公开(公告)号：CN102453886A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110319345.X
申请日：2011-10-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小宫隆行
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C16/06 , C23C16/38 , C23C16/448 , C23C16/4481 , C23C16/45502 , C23C16/466 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及成膜方法、成膜装置以及半导体装置的制造方法。通过热CVD法以M(BH4)4(M表示Zr或Hf)作为原料形成B/M比在适当范围内且良质的MBx膜(M具有与上述相同含义、x表示1.8～2.5的数)。从气体供给源(19)介由气体供给配管(15a)将H2气体向原料容器(21)内供给。在原料容器(21)内固体原料Zr(BH4)4因与被导入的H2气体接触而气化。然后作为成膜气体的H2气体和Zr(BH4)4气体的混合气体介由气体供给配管(15c，15c1)、喷头(11)的气体扩散空间(12)以及气体喷出孔(13)被导入至处理容器(1)内，以覆盖晶片(W)上的绝缘膜表面的方式形成ZrBx膜的薄膜。
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公开(公告)号：CN100508136C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200510114267.4
申请日：2005-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 近藤英一
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/04 , C23C18/08 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , Y10T428/12819 , Y10T428/12903
Abstract: 在形成于基板上的Cu扩散阻止膜上形成Cu膜的薄膜沉积方法中，在Cu扩散阻止膜上形成接触膜，该接触膜提供Cu膜对Cu扩散阻止膜的附着。将超临界态介质中溶解有前体的加工介质供应给基板，以使Cu膜在接触膜上形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100547109C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200510109502.9
申请日：2005-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 近藤英一
CPC classification number: C23C18/08
Abstract: 本发明提供一种在基板上沉积的沉积方法，包括以下步骤：使用将前体加入超临界态介质而制成的加工介质。将该前体加入超临界态介质中，而该前体是溶解于有机溶剂中的。
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公开(公告)号：CN1819113A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610007445.8
申请日：2006-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空处理系统，包括用于收容被处理体并在真空状态下对其进行处理的处理腔室。所述处理腔室包括排气系统和气体供给系统。在所述处理腔室外并且与所述处理腔室内选择性地连接的空间内，配置有产生负离子的负离子发生器。在所述处理腔室内配置有用于使所述被处理体形成为带负电的状态的负电荷施放器。
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公开(公告)号：CN100418189C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200610007445.8
申请日：2006-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空处理系统，包括用于收容被处理体并在真空状态下对其进行处理的处理腔室。所述处理腔室包括排气系统和气体供给系统。在所述处理腔室外并且与所述处理腔室内选择性地连接的空间内，配置有产生负离子的负离子发生器。在所述处理腔室内配置有用于使所述被处理体形成为带负电的状态的负电荷施放器。
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公开(公告)号：CN1763242A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510109502.9
申请日：2005-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 近藤英一
CPC classification number: C23C18/08
Abstract: 本发明提供一种在基板上沉积的沉积方法，包括以下步骤：使用将前体加入超临界态介质而制成的加工介质。将该前体加入超临界态介质中，而该前体是溶解于有机溶剂中的。
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公开(公告)号：CN1681965A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822311.2
申请日：2003-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C18/31 , H01L21/288
CPC classification number: C23C18/1619 , C23C18/1669 , C23C18/1678
Abstract: 通过使保持于基板保持部上的基板和板的间隔接近，从处理液喷出部喷出处理液，可以对基板进行无电解镀。由于处理液流过基板和板之间的间隙，所以在基板上产生处理液流，可以向基板上供给新鲜的处理液。其结果，即使在处理液为少量的情况下，也能在基板上形成均匀性良好的镀膜。
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