公开(公告)号：CN101752224B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910260636.9

申请日：2009-12-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  清水昭贵

IPC: H01L21/00 ,  B08B7/00

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01J37/32862 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明提供防止异物向其它构成部件附着并且能够方便地清洗构成部件的构成部件的清洗方法。晶片干洗装置(10)包括：处理室(11)、设置在该处理室(11)内的下方用于载置晶片(W)的载置台(12)、处理室(11)内与载置台(12)相对配置的附着颗粒的捕集板(13)、作为感应耦合型等离子体生成装置的等离子体生成装置(14)，首先向处理室(11)内搬入伪晶片(20)，使该伪晶片(20)表面产生正电位，在比伪晶片(20)离捕集板(13)更近的区域重复进行表面波等离子体的生成和表面波等离子体生成的中止，之后，将伪晶片(20)从处理室(11)内搬出。

公开(公告)号：CN102024683A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010286530.9

申请日：2010-09-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  松井英章 ,  盐屋雅弘

IPC: H01L21/02 ,  G01N15/10

Abstract: 本发明提供一种能够在由基板制成的半导体器件的成品率较高的状态下开始规定的处理的处理开始可否的判定方法。在具备收纳晶片(W)的腔室(11)和对该腔室(11)进行排气的排气系统(14)的基板处理装置(10)中，在清洗了腔室(11)的构成部件之后，仅以规定的次数重复实施比用于半导体器件的制造的等离子体蚀刻处理更高温的气氛和/或更低压的气氛的干燥处理，对排气系统(14)的初步排气管路(15)内流动的颗粒的数量进行测算，并对该测算出的颗粒的数量的随时间经过的变动程度进行监视，在该监视中的颗粒数量的减少程度发生变化时，判定为等离子体蚀刻处理能够开始。

公开(公告)号：CN101582378B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200910145487.1

申请日：2005-10-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 工藤智之 ,  小泽润 ,  中村博 ,  风间和典 ,  守屋刚 ,  中山博之 ,  长池宏史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677 ,  G05B19/04

Abstract: 本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前，向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述真空准备室的内部压力变成与大气压相同时，停止导入所述惰性气体，开始所述真空准备室的腐蚀性气体的排气，然后，通过使所述真空准备室与大气连通来向大气开放；在所述向大气开放工序后打开所述闸阀。

公开(公告)号：CN101355021B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200810144356.7

申请日：2008-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  守屋刚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67766 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/67781

Abstract: 本发明提供一种基板搬送模块和基板处理系统，装载模块(14)通过负载锁定模块(12)与对晶片W实施蚀刻处理的处理模块(11)连接并且具有搬送晶片W的基板搬送装置(16)和收容该基板搬送装置(16)的搬送室(15)，该搬送室(15)内与外部氛围气体隔绝，搬送室(15)内的压力为大气压，基板搬送装置(16)具有保持晶片W的拾取器(19)和使该拾取器(19)移动的臂部(20)，装载模块(14)具有隔绝装置(18)，其收容拾取器(19)和该拾取器(19)所保持的晶片W，使得与搬送室(15)的内部氛围气体相隔绝。由此能够防止构成部件发生腐蚀、颗粒向基板的附着、基板搬送模块成本的提高和大型化。

公开(公告)号：CN101814425A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010121550.0

申请日：2010-02-11

Applicant: 株式会社岛津制作所 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 秋山修 ,  秋本雅司 ,  守屋刚 ,  山涌纯

IPC: H01L21/00 ,  G01N21/31

CPC classification number: G01N21/3554 ,  G01N21/031 ,  G01N21/05 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/9501 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种半导体制造工艺用吸光分析装置，其具备与半导体制造工艺的处理室的排气流路连接的流路切换机构和多重反射型水分浓度计测用吸光分析计，该吸光分析计使来自激光光源的激光在单元内多重反射，检测单元内的气体的吸光度变化，并测定该气体中的水分浓度。所述流路切换机构将所述排气流路在经由所述单元而被排气的计测用流路和不经由所述单元而被排气的旁通流路之间进行切换并连接。

公开(公告)号：CN1604270B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200410064270.5

申请日：2004-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  长池宏史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32431 ,  C23C16/4401 ,  H01J2237/022

Abstract: 本发明提供了一种可高效率地除去用等离子体处理产生的腔内的颗粒的、实用性高的颗粒除去技术。该颗粒除去装置具有包含带电用电极(72)、和控制带电用电极(72)的电位和电压施加定时的带电控制部分(74)的颗粒带电控制装置。该带电用电极(72)通过绝缘体(70)安装在等离子体蚀刻装置的腔(10)的内壁或喷头(38)的内壁面上。利用由该颗粒带电控制装置形成的离子层区域中的正离子，使颗粒带正电，将带正电的颗粒，移送至等离子体处理装置的排气口(24)侧，并排出至腔(10)的外面(排气装置(28)侧)。

公开(公告)号：CN101546705A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910009403.1

申请日：2009-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中山博之 ,  守屋刚

IPC: H01L21/3065 ,  G01N21/66 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32963

Abstract: 本发明提供一种能够精确地检测腔室内部件的寿命，并能够防止由交换没有达到寿命的部件而引起的浪费、以及由于继续使用已经过寿命的部件而引起故障的发生的腔室内部件。用于等离子体处理装置的聚焦环(26)等的腔室内部件，使用组装有该腔室内部件的基板处理装置(10)对晶片(W)进行RIE处理，其中，该腔室内部件由与构成材料不同的元素、例如钪(Sc)构成的寿命检测元素层(51、52)，利用等离子体发光分光器(46)对处理气体中的发光光谱进行监视，通过检测由寿命检测元素层(51、52)引起的光谱来检测聚焦环(26)等的腔室内部件的寿命。

公开(公告)号：CN101490816A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780025076.8

申请日：2007-07-02

Applicant: 学校法人立命馆 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫野尚哉 ,  松本俊行 ,  池内直树 ,  守屋刚

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/00

CPC classification number: H05H1/0006 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0206

Abstract: 等离子体异常放电诊断系统具备：数据获取部(21)，其获取随着等离子体的状态而变动的时间序列数据；平移误差运算部(24)，其根据通过数据获取部(21)获取的时间序列数据，算出表示确定性的值，该值成为等离子体的时间序列数据是确定的数据还是或然的数据的指标；以及异常放电判断部(26)，其在上述等离子体产生中由上述确定性导出单元算出的表示确定性的值在规定的阈值以下的情况下，判断为上述等离子体是异常放电状态。表示确定性的值例如能够使用平移误差或者排列熵。在作为表示确定性的值而使用排列熵的情况下，具备排列熵运算部。

公开(公告)号：CN100485859C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200410057032.1

申请日：2004-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  长池宏史 ,  中山博之

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B3/12 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/6831

Abstract: 为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散，清洁部件，采用将电压加在部件上，利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法；使微颗粒带电，利用库仑力飞散的方法，将气体导入减压处理室中，使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件，使微颗粒飞散的方法；使部件温度上升，利用热应力和热泳动力，使微颗粒飞散的方法；或将机械振动给与部件，使微颗粒飞散的方法。另外，使飞散的微颗粒在较高压的气氛下被气体流夹带除去。

公开(公告)号：CN101320676A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810099893.4

申请日：2008-06-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  守屋刚 ,  药师寺秀明 ,  阿部和正

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  B01J3/03

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种抽真空方法和存储介质，该抽真空方法不会引起以水分为原因的问题，能够缩短抽真空的时间。在具有腔室(11)的真空处理装置(10)中，在对腔室(11)内抽真空时，通过APC阀(16)在一定的时间，例如数十秒的过程中，将腔室(11)内的压力维持为6.7～13.3×102Pa(5～10Torr)(压力维持)，接着，向腔室(11)内迅速导入加热气体，使腔室11内迅速升压至1.3～2.7×104Pa(100～200Torr)(迅速升压)，在时间T1到时间T2之间，多次重复压力维持和迅速升压。