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公开(公告)号：CN104253101B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201410409959.0
申请日：2010-12-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L25/16
CPC classification number: H01L28/10 , G11C5/005 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/48 , H01L23/49855 , H01L23/5227 , H01L23/562 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L27/0688 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/15183 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H05K1/117 , H05K3/0052 , H05K3/284 , H05K2201/0949 , H05K2201/09845 , H05K2203/0228 , H05K2203/1316 , H05K2203/1572 , Y10T29/4902 , Y10T29/4913 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及外部存储装置。该外部存储装置包括：互连基板；提供在互连基板中的接触型外部端子；设置在互连基板的第一表面上方的半导体芯片；以及形成在互连基板的第一表面上方的密封树脂层。密封树脂层密封半导体芯片并且没有覆盖外部端子。半导体芯片包括：存储元件、电连接到存储元件的多个电感器、驱动多个电感器的电路以及互连层。互连层形成在半导体芯片的下述表面上方，并且包括多个电感器，所述表面是与半导体芯片的面对互连基板的第一表面的表面不同的表面，电感器的每一个通过互连层连接到电路，并且电路根据预定的规则改变电路的电感器驱动。
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公开(公告)号：CN102931163B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210407537.0
申请日：2007-07-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L23/498 , H01L23/522
CPC classification number: H01L2224/16 , H01L2924/13091 , H01L2924/19042 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有电感器的半导体装置。该半导体装置包括半导体芯片。该半导体芯片具有半导体衬底、互连层、电感器和导电焊盘（第一焊盘）。互连层位于半导体衬底上。该互连层包括电感器。该焊盘位于互连层上。该焊盘位于半导体芯片的电路形成区域内的不与电感器重叠的区域中。
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公开(公告)号：CN102043979B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201010513375.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06K19/077 , G11C16/22
CPC classification number: G06K19/073 , G11C7/24 , H03K19/017509
Abstract: 本发明涉及接口IC和包括接口IC的存储卡。本发明的示例性方面是存储卡，包括：存储器，该存储器存储数据；驱动器，该驱动器调制被存储在存储器中的数据；发射机，该发射机将通过驱动器调制的数据发射到被设置在外部主单元中的接收机；以及IC芯片，该IC芯片具有被形成在其中的驱动器和发射机。
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公开(公告)号：CN102142404B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201010593030.X
申请日：2010-12-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/561 , H01L23/645 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和通信方法。半导体芯片设置在其有源表面向上的安装板的第一表面上。电感器被提供在有源表面侧，也就是，被提供在半导体芯片的不面对安装板的表面侧处，以便在半导体芯片和外部之间进行通信。密封树脂层被形成在安装板的第一表面上，以便密封半导体芯片。另外，凹部或开口(在本实施例中的凹部)被提供在密封树脂层中。当在平面图中观看时，凹部在其内部包括电感器。
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公开(公告)号：CN102130103B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201010597887.9
申请日：2010-12-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/485 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L21/98 , H01L23/00
CPC classification number: H01L28/10 , G11C5/005 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/48 , H01L23/49855 , H01L23/5227 , H01L23/562 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L27/0688 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/15183 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H05K1/117 , H05K3/0052 , H05K3/284 , H05K2201/0949 , H05K2201/09845 , H05K2203/0228 , H05K2203/1316 , H05K2203/1572 , Y10T29/4902 , Y10T29/4913 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及外部存储装置和制造外部存储装置的方法。存储元件被提供在半导体芯片中，并且电感器和驱动器电路被提供在另一半导体芯片中。外部端子是接触型端子，并且至少一些外部端子是电源端子和接地端子。密封树脂层形成在互连基板的第一表面上方并且密封半导体芯片但是没有覆盖外部端子。电感器形成在没有面对互连基板的半导体芯片的表面处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103972209A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410015626.X
申请日：2014-01-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01F21/12 , H01F21/10 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电感器装置和半导体装置。该电感器装置包括绝缘层、电感器、固定电极、以及可移动电极。电感器被形成在绝缘层上。固定电极被设置在平面图中不与电感器交迭的位置中。可移动电极在平面图中与电感器和固定电极交迭，并且与电感器和固定电极分离。此外，可移动电极包括第一开口。
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公开(公告)号：CN101266964B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200810083754.2
申请日：2008-03-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L23/528
CPC classification number: H01L23/535 , H01L23/522 , H01L23/5227 , H01L23/585 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包含高频互连以及虚拟导体图案(第二虚拟导体图案)。虚拟导体图案被设置在与设置有高频互连的互连层不同的互连层内。设置虚拟导体图案，以使得其在平面图中远离与高频互连重叠的区域。在设置有高频互连的互连层内，半导体器件进一步包含虚拟导体图案(第一虚拟导体图案)。
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公开(公告)号：CN101599498B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910146027.0
申请日：2009-06-05
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L27/13 , H01L23/525 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/0617 , H01L23/5227 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在衬底(10)上形成多层布线层(400)、第一电感器(310)和第二电感器(320)。通过交替地依次堆叠绝缘层和布线层t次或更多次而形成多层布线层，其中t≥3。将第一电感器(310)设置在多层布线层(400)中的第n布线层中。第二电感器(320)被设置在多层布线层(400)中的第m布线层中并位于第一电感器(310)上方，其中t≥m≥n+2。在位于第n布线层与第m布线层之间的任何一个布线层中不设置位于第一电感器(310)上方的任何电感器。第一电感器(310)和第二电感器(320)组成在两个方向中的任何一个方向上传输电信号的信号传输器件(300)。
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公开(公告)号：CN101083274B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200710108837.8
申请日：2007-05-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L27/146 , G06K9/00 , G02B5/20
CPC classification number: H04N5/33 , G06K9/0004 , H04N9/045
Abstract: 一种固态成像装置(10)，其包括固态成像器件(40)和彩色滤光器(16)，该彩色滤光器(16)由第一彩色滤光器即第一滤光器(16a)和第二彩色滤光器即第二滤光器(16b)构成。固态成像器件(40)将入射到其表面即第一面(S1)的光光电转换，以由此捕获要成像的物体的图像。设置在固态成像器件(40)的表面(S1)上的是第一彩色滤光器(16a)和第二彩色滤光器(16b)。第一彩色滤光器(16a)是允许第一波长带的光选择性通过其传输的滤光器；第二彩色滤光器(16b)是允许相对于第一波长带在较长波长侧的第二波长带的光选择性通过其传输的滤光器。
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公开(公告)号：CN118053842A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311456833.4
申请日：2023-11-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/522
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底；多层布线层，被形成在半导体衬底上；第一布线，被形成在多层布线层上并且被配置为被施加有第一电位；上电感器，被形成在多层布线层上并且被配置为被施加有不同于第一电位的第二电位；无机绝缘膜，被形成在多层布线层、第一布线和上电感器上；以及有机绝缘膜，被形成在无机绝缘膜上并且被设置为覆盖平面图中位于第一布线与上电感器之间的无机绝缘膜。这里，在第一布线与上电感器之间，暴露无机绝缘膜的上表面的一部分的开口部被形成在有机绝缘膜中。
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