公开(公告)号：CN117747589A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202310951346.9

申请日：2023-07-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚孝行 ,  笠冈龙雄 ,  中柴康隆

IPC: H01L23/522

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置。半导体芯片包括下布线层、形成在下布线层上的多层布线层，以及形成在多层布线层上的上布线层。这里，下布线层中所设置的布线的厚度大于多层布线层中所设置的多个布线中的每个布线的厚度，并且上布线层中所设置的布线的厚度大于多层布线层中所设置的多个布线中的每个布线的厚度。作为变压器的组件的下电感器被设置在下布线层中，并且作为变压器的组件的上电感器被设置在上布线层中。

公开(公告)号：CN118676127A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410248777.3

申请日：2024-03-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚孝行 ,  笠冈龙雄 ,  中柴康隆

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00 ,  H01F17/00

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件，其中半导体芯片包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的多层布线层，多层布线层中的至少一层被形成有导电图案。导电图案被形成为在平面图中连续地围绕下电感器和上电感器。

公开(公告)号：CN118053842A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311456833.4

申请日：2023-11-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚孝行 ,  中柴康隆 ,  笠冈龙雄

IPC: H01L23/522

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底；多层布线层，被形成在半导体衬底上；第一布线，被形成在多层布线层上并且被配置为被施加有第一电位；上电感器，被形成在多层布线层上并且被配置为被施加有不同于第一电位的第二电位；无机绝缘膜，被形成在多层布线层、第一布线和上电感器上；以及有机绝缘膜，被形成在无机绝缘膜上并且被设置为覆盖平面图中位于第一布线与上电感器之间的无机绝缘膜。这里，在第一布线与上电感器之间，暴露无机绝缘膜的上表面的一部分的开口部被形成在有机绝缘膜中。