-
公开(公告)号：CN101615602A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910160951.4
申请日：2009-07-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件及测试方法、测试模具。其中，一种半导体器件，包括依次层叠设置的管盖、铝合金阳极、管芯芯片、铝合金阴极、门极和管座，每层相邻构件之间电性连接且所述门极还与所述管芯芯片电连接。半导体器件测试方法，包括：将待测管芯芯片、门极组件和铝合金测试片组装入测试夹具，所述待测管芯芯片夹在所述铝合金测试片组的阳极和所述铝合金测试片组的阴极之间；执行动态测试。本发明实施例采用铝合金片组代替了现有技术中的镀铑钼片组，不仅降低了测试成本，而且减少了通态压降，改善了热阻性能，改良了与管芯芯片的表面结合。
-
公开(公告)号：CN100547790C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710163586.3
申请日：2007-10-12
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/761
Abstract: 公开了一种集成门极换流晶闸管，所述门极换流晶闸管包括n-型衬底，p型掺杂区，n型掺杂区，门极换流晶闸管的阳极p+掺杂区，二极管n+缓冲区，以及门极换流晶闸管的阴极梳条，还包括门极换流晶闸管的阴极和门极，二极管的阳极、门极换流晶闸管的阳极和二极管的阴极，其特征在于：在门极换流晶闸管的门极和二极管的阳极之间的p型掺杂区中具有沟槽，所述沟槽中掺杂n+型隔离环。本发明的集成门极换流晶闸管及其制造方法能够在GCT单元和二极管之间实现有效的隔离。
-
公开(公告)号：CN101404273A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810215653.6
申请日：2008-09-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H05K1/18
Abstract: 一种半导体器件，包括门极换流晶闸管和印刷电路板；门极换流晶闸管包括阳极端(103)、阴极端(101)、管壳(105)以及由管壳(105)外壁引出的门极引线(111)；门极引线(111)具有安装面(112)；印刷电路板包括安装孔(302)和第一接触电极；门极换流晶闸管插入印刷电路板的安装孔(302)中，并使安装面(112)与第一接触电极接触；门极换流晶闸管还包括由所述管壳(105)外壁引出的且与阴极端(101)电连接的阴极引线(109)；安装孔的周围、与第一接触电极同侧还具有第二接触电极；阴极引线(109)具有安装面，且阴极引线的安装面(110)与第二接触电极接触。本发明的半导体组件组装简单。
-
公开(公告)号：CN100474585C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610032312.6
申请日：2006-09-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L21/82 , H01L21/8222
Abstract: 集成门极换流晶闸管中阴极图形的排布方法，阴极梳条采取分区复合方式排布：结合圆周排布和矩形排布各自的优点，在分区内部采用矩形排布，而各个分区之间仍按圆周排布。分区的方式各不相同，有些还充许局部修改梳条的位置或尺寸。所述的分区复合方法是：分区由扇区和环道两重分割形成，其中，所述的分区是一个等腰梯形区，它是梳条的基本排布单元；所述的扇区是将圆面沿径向等分为m个相同面积的扇形区，当m较较低时，接近于矩形排布；当m较高时，接近圆周分布。所述的环道是将圆面按正多边形划分为n个不同面积的同心环形区，这个值与芯片直径和梳条长度的选取有关；n越大，梳条总数越多，对电流有益。
-
公开(公告)号：CN101123173A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710035781.8
申请日：2007-09-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/306 , C23F1/02
Abstract: 半导体器件芯片台面喷腐方法及装置，在芯片台面喷腐处理时，对芯片上需要保护的表面部分采取遮盖式保护方式，保护芯片上需要保护的表面部分不受损害。通过一套遮盖式保护系统，盖住芯片上需要保护的表面部分，以保证芯片上需要保护的表面部分在喷腐处理时不会有酸液溅浸到芯片中心需要保护的部位。整个装置至少包括一个保护罩，遮盖在芯片台面喷腐处理时，正好盖在芯片中心需要保护的部位，保护罩与芯片一起形成一个密封面，以保证芯片上需要保护的表面部分在喷腐处理时不会受到酸液溅浸。所述的保护罩可以是通过吸附方式吸附在芯片表面上的，也可以是直接通过外力装置紧贴在芯片表面的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1937244A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610032430.7
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种阴电极分叉式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后突出布置于壳体的外侧，所述门电极为门极管，两根或两根以上的门极管的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端突出布置于壳体的外侧。本发明是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的阴电极分叉式半导体器件。
-
公开(公告)号：CN106803488B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201510834949.6
申请日：2015-11-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种功率模块焊接装置，包括用于将焊片定位安装于基板上的定位工装，所述定位工装包括安装本体及与焊片形状对应的焊片安装区，所述焊片安装区由安装本体围成，所述安装本体包括多组隔片，多组所述隔片沿基板的长度方向分段设置。本发明具有保证焊片有效定位、提高组装效率及焊接质量的优点。
-
公开(公告)号：CN104409484B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410534231.0
申请日：2014-10-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L23/04 , H01L21/68 , H01L23/48 , H01L23/32
CPC classification number: H01L2224/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种压接式绝缘栅双极型晶体管，包括壳体，以及设置在所述壳体内且沿第一方向依次布置的发射极、电路板、模块定位件、钼板和集电极，其中在模块定位件上开设有多个定位孔，在各定位孔内沿第一方向依次设有钼块、芯片和固定设在钼板的表面上的由钼材料制成的定位凸起，在部分的定位孔内的钼块内设有用于把相应的芯片与电路板相接通的电连组件。根据本发明的压接式绝缘栅双极型晶体管能够采用贴片机顺利进行组装，避免了停机修整，从而提高了企业的生产效率。
-
公开(公告)号：CN104952809B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201410113107.7
申请日：2014-03-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于IGBT模块的基板及IGBT模块封装的方法，该基板包括AlSiC层和铝合金层，所述铝合金层位于AlSiC层底部的表面形成待机械加工层。该方法的步骤为：（1）制作基板；先由SiC粉末堆积成均匀的多孔隙结构的预制件，然后将液态铝合金浸渗到预制件中，形成AlSiC层；再继续注入液态铝合金，在基板的表面形成一层铝合金层；（2）使用上述基板完成IGBT封装之后，基板的底部会向内凹陷；此时，采用机械加工将基板的底部加工平整，消除内凹的弧度。本发明具有加工简便、加工成本低、能够提高可靠性等优点。
-
公开(公告)号：CN103579143B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310536700.8
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种基于内冷却散热的平板型功率器件封装结构，它包括芯片、钼片、门极和外壳组件，所述外壳组件包括外壳和电极铜块，所述电极铜块的周侧设置用来导热绝缘的散热体组件，所述散热体组件呈包裹状围绕在电极铜块的周侧。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、制作方便、散热效果好、散热速度快、安全可靠性好等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
126
records
(took 0.03 seconds)
