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公开(公告)号：CN116457934A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180077758.3
申请日：2021-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234
Abstract: 提供一种具有新颖的结构的半导体装置。该半导体装置具有多个包括晶体管及电容器的存储单元，并且相邻的存储单元所包括的各电容器以彼此重叠的方式设置。第一存储单元所包括的第一电容器以其一部分与相邻于第一存储单元的第二存储单元重叠的方式配置。第二存储单元所包括的第二电容器设置在与第一电容器不同的层上。第二电容器以其一部分与第一存储单元重叠的方式配置。第一电容器与第二电容器包括彼此重叠的区域。第一电容器及第二电容器包含铁电体。铁电体优选包含铪、锆或选自III‑V族元素中的至少一个元素。晶体管优选在形成沟道的半导体层中包含氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN110998809B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201880050765.2
申请日：2018-07-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H10B12/00 , H10B41/70 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；氧化物上的第三导电体；氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体；第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体；位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体；位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体；与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体；以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。
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公开(公告)号：CN111357041B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201880074988.2
申请日：2018-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供方便性或可靠性良好的新颖的显示面板。本发明的一个方式是一种包括第一区域、第二区域及显示区域的显示面板，其中第二区域包括显示区域的一部分，第二区域包括第一构件，第二区域可以使第一构件向外侧弯曲，第一构件包括第一弹性体及第二弹性体，第二弹性体包括其一部分或全部被第一弹性体覆盖的端部，第二弹性体具有大于第一弹性体的弹性模量。
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公开(公告)号：CN116234776A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180070532.0
申请日：2021-10-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01G51/00
Abstract: 提供一种在高电位状态或高温状态下稳定的正极以及安全性高的二次电池。本发明的一个方式是一种正极，包含第一材料及第二材料，第一材料的表面的至少一部分具有被第二材料覆盖的区域，第一材料包含含有镁、氟、铝及镍的钴酸锂，第二材料是具有橄榄石型晶体结构的复合氧化物(包含选自Fe、Ni、Co和Mn中的一个以上)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116171484A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202180064527.9
申请日：2021-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/316
Abstract: 提供一种包括具有良好的铁电性的金属氧化物膜的铁电体器件。该铁电体器件包括第一导电体、第一导电体上的金属氧化物膜以及金属氧化物膜上的第二导电体，金属氧化物膜具有铁电性，金属氧化物膜具有结晶结构，结晶结构包括第一层及第二层，第一层包含第一氧及铪，第二层包含第二氧及锆，铪与锆通过第一氧相键合，并且第二氧与锆键合。
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公开(公告)号：CN116157903A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180055621.8
申请日：2021-08-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 提供一种特性的不均匀小且可靠性良好的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：沉积氧化物；在氧化物上沉积第一绝缘体；在第一绝缘体上沉积导电体；在导电体上沉积第二绝缘体；通过进行加热处理，氧化物及第一绝缘体中的氢移动到第二绝缘体并被吸收。通过溅射法沉积第二绝缘体。
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公开(公告)号：CN111223407B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010073306.5
申请日：2015-11-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 本发明提供一种适于大型化的显示系统及显示装置。该显示系统包括第一显示面板、第二显示面板、检测装置以及补偿装置。第一显示面板包括第一显示区域。第二显示面板包括第二显示区域。第一显示区域与第二显示区域包括它们彼此重叠的第一区域。检测装置具有检测第一区域的尺寸的功能。补偿装置具有根据第一区域的尺寸变化补偿第一显示区域上显示的图像的功能。
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公开(公告)号：CN116075893A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202180061509.5
申请日：2021-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C7/08
Abstract: 提供一种功耗得到降低且能够进行非破坏性读出的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第一FTJ元件以及第二FTJ元件。第一晶体管的第一端子与第一FTJ元件的输出端子及第二FTJ元件的输入端子电连接。当写入数据时，根据数据在第一FTJ元件及第二FTJ元件的每一个中引起极化。当读出数据时，对第一FTJ元件的输出端子与第二FTJ元件的输入端子之间供应极化不变的程度的电压。此时，使第一晶体管成为开启状态，由此流过第一FTJ元件的电流与流过第二FTJ元件的电流之差分电流流过第一晶体管。通过使用读出电路等取得该差分电流，可以读出写入在第一FTJ元件及第二FTJ元件中的数据。
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公开(公告)号：CN116057607A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180053917.6
申请日：2021-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00
Abstract: 提供一种兼具触摸检测功能和指纹或静脉形状的拍摄功能的显示装置。显示装置包括第一发光元件、第二发光元件、受光元件及遮光层。第一发光元件和受光元件排列地配置在同一面上。遮光层设置在第一发光元件及受光元件的上部。第二发光元件设置在遮光层的上部。第一发光元件具有向上方发射可见光的功能。第二发光元件具有向上方发射不可见光的功能。受光元件为对可见光及不可见光具有灵敏度的光电转换元件。另外，从平面来看，遮光层包括位于第一发光元件和受光元件之间的部分，此外，从平面来看，第二发光元件与遮光层重叠且位于遮光层的轮廓的内侧。
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