公开(公告)号：CN116195037A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180054530.2

申请日：2021-08-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神保安弘 ,  国武宽司 ,  惠木勇司 ,  高桥正弘 ,  河内峻太郎

IPC: H01L21/31

Abstract: 提供一种具有优异铁电性的材料。金属氧化物膜包括第一层以及第二层，第一层包含第一氧及铪，第二层包含第二氧及锆，铪与锆通过第一氧彼此键合，第二氧与锆键合。

公开(公告)号：CN114341861A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080059885.6

申请日：2020-08-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细海俊介 ,  河内峻太郎 ,  铃木邦彦

IPC: G06F30/27 ,  G06F30/10 ,  G06N20/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12

Abstract: 提供一种特性预测系统。该特性预测系统包括输入部、处理部、运算部及输出部，输入部具有提供发光器件的结构或发光器件的特性的功能，处理部具有生成学习用数据组或用于特性预测的数据的功能及使有机化合物的分子结构数值化的功能，运算部具有基于学习用数据组进行监督学习的功能及基于监督学习的学习结果并从数据推导出发光器件的特性的功能，输出部具有提供推导的结果的功能，由此预测包括包含有机化合物的层的发光器件的特性。