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公开(公告)号：CN101996989B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201010246771.0
申请日：2010-08-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种发光装置以及该发光装置的制造方法，在该发光装置中，在同一衬底上形成有多种电路，并具备分别对应于多种电路的特性的多种薄膜晶体管。作为用于像素的薄膜晶体管，使用具有重叠于源电极层及漏电极层上的氧化物半导体层的反共面型。作为用于驱动电路的薄膜晶体管，使用沟道停止型。在与用于像素的薄膜晶体管电连接的发光元件重叠的位置上且在薄膜晶体管和发光元件之间设置滤色片层。
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公开(公告)号：CN101728383B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN200910209087.2
申请日：2009-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/02 , H01L29/786 , H03K19/094
CPC classification number: H03K19/094 , H01L27/0883 , H01L27/1225 , H03K19/09407 , H03K19/09421 , H03K19/096
Abstract: 本发明涉及一种逻辑电路。本发明的目标是要将使用氧化物半导体的晶体管应用于包括增强型晶体管的逻辑电路。该逻辑电路包括耗尽型晶体管101和增强型晶体管102。晶体管101和102的每个包括栅电极、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、源电极、及漏电极。晶体管102包括设置于第一氧化物半导体层在源电极和漏电极之间的区域之上的还原防止层。
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公开(公告)号：CN103137701A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210475836.8
申请日：2012-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 津吹将志
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/1033 , H01L29/42384 , H01L29/78693 , H01L2029/42388
Abstract: 本发明涉及晶体管及半导体装置。本发明的一个方式的目的是改善在氧化物半导体层中形成沟道的晶体管的开关特性。在氧化物半导体层的端部产生寄生沟道是因为晶体管的源极及漏极与该端部电连接。换言之，如果该端部不与晶体管的源极和漏极中的至少一方电连接，就不会在该端部产生寄生沟道。因此，本发明的一个方式提供一种晶体管，其中氧化物半导体层的端部不与源极和漏极中的至少一方电连接或者能够降低氧化物半导体层的端部不与源极和漏极中的至少一方电连接的概率。
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公开(公告)号：CN102723364A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210173533.0
申请日：2010-10-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/105 , G06F15/78
CPC classification number: H01L29/7869 , G06F15/76 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1112 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L28/60 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78696
Abstract: 一个目的是提供一种存储器装置，其中包括能够由具有低截止态电流的薄膜晶体管没有问题地来操作的存储器元件。所提供的是一种存储器装置，其中包括包含氧化物半导体层的至少一个薄膜晶体管的存储器元件配置成矩阵。包括氧化物半导体层的薄膜晶体管具有高场效应迁移率和低截止态电流，并且因而能够有利地没有问题地来操作。另外，功率消耗能够降低。在包括氧化物半导体层的薄膜晶体管设置在显示装置的像素中的情况下，这种存储器装置特别有效，因为存储器装置和像素能够在一个衬底之上形成。
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公开(公告)号：CN102576518A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080046963.5
申请日：2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G02F1/133 , G09G3/20 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G09G3/3611 , G09G3/3648 , G09G3/3674 , G09G3/3677 , G09G5/18 , G09G2310/0286 , G09G2320/103 , G09G2330/021 , G09G2330/022 , G09G2330/027 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 一种液晶显示设备，包括：驱动电路部分；像素部分；用于生成用于驱动驱动电路部分的控制信号、以及供应到像素部分的图像信号的信号生成电路；存储器电路；用于在存储器电路中存储的各个帧周期的图像信号中检测一系列帧周期的图像信号的差异的比较电路；在比较电路中检测到该差异时选择和输出该一系列帧周期的图像信号的选择电路；以及在比较电路中检测到该差异时将控制信号以及从选择电路输出的图像信号供应到驱动电路部分、并且在比较电路中未检测到该差异时停止向驱动电路部分供应控制信号的显示控制电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101814530A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010126485.0
申请日：2010-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/34 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及其制造方法，提供薄膜晶体管的包括形成沟道的区域的半导体层和源电极层之间以及半导体层和漏电极层之间的接触电阻小的薄膜晶体管。还提供布线的电阻小的薄膜晶体管。另外，还提供具备在覆盖产生在源电极层及漏电极层的端部的台阶的至少一部分的半导体层中载流子没有阻碍地移动的结构的薄膜晶体管。形成薄膜晶体管时，在第一电极层上设置第一布线层，在第二电极层上设置第二布线层，第一电极层从第一布线层的端部延伸，第二电极层从第二布线层的端部延伸，并且与第一电极层的侧面及上表面和第二电极层的侧面及上表面电连接地设置半导体层。
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公开(公告)号：CN116722019A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310739461.X
申请日：2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
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公开(公告)号：CN116343705A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310341421.X
申请日：2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
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公开(公告)号：CN109121438B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201780023312.6
申请日：2017-02-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 在包括氧化物半导体的晶体管中，抑制电特性的变动且提高可靠性。半导体装置包括晶体管。晶体管包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的第二栅电极、以及氧化物半导体膜及第二栅电极上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括与第二栅电极重叠的沟道区域、与第三绝缘膜接触的源区域以及与第三绝缘膜接触的漏区域。第一栅电极与第二栅电极电连接。在对晶体管的饱和区域中的场效应迁移率进行测量时，场效应迁移率的最小值与场效应迁移率的最大值之差为15cm2/Vs以下。
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公开(公告)号：CN108474106B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201680079190.8
申请日：2016-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , H01L21/363
Abstract: 提供一种包括结晶部的金属氧化物膜。另外，提供一种物性的稳定性高的金属氧化物膜。另外，提供一种电特性得到提高的金属氧化物膜。另外，提供一种可以提高场效应迁移率的金属氧化物膜。一种包含In、M(M为Al、Ga、Y或Sn)及Zn的金属氧化物膜，该金属氧化物膜包括第一结晶部及第二结晶部，第一结晶部具有c轴取向性，第二结晶部没有c轴取向性，第二结晶部的存在比例高于第一结晶部。
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