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公开(公告)号：CN111548683A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010400448.8
申请日：2020-05-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种聚苯乙烯-卟啉衍生物纳米垂直阵列薄膜及其制备方法与应用，该纳米垂直阵列薄膜功能薄膜是由适量比例的聚苯乙烯和卟啉衍生物混合而成，形貌均一，粗糙度低，工艺简单，可用于制备具有高开关比、高稳定性、高耐受性的非易失性浮栅型晶体管存储器。
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公开(公告)号：CN110993792A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911189097.4
申请日：2019-11-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储器技术领域。利用聚合物材料和绝缘材料分别溶于低沸点溶剂并混合旋涂至衬底表面，再经过退火以后形成纳米阵列，作为电荷俘获层应用于有机场效应晶体管存储器，进而提高存储器件的迁移率和稳定性；本发明可以有效的应用于各类可溶性小分子和聚合物材料，使其简单快速的形成纳米阵列。本发明通过简单的制备手段改进器件的电荷俘获层，使其迁移率、存储密度、和稳定性得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN106098942B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201610622661.7
申请日：2016-07-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法，涉及半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。所述纳米柱结构有机场效应晶体管存储器包括源漏电极、有机半导体层、第二类栅绝缘层、第一类栅绝缘层、栅电极以及衬底，所述有机半导体层与第二类栅绝缘层之间设有纳米柱薄膜层。本发明的有益效果是，通过简单的旋涂工艺制备形貌可控的纳米柱薄膜且改进了器件的存储性能，使其存储容量、存储速度、存储稳定性及其反复擦写可靠性能得到很大提升，并且降低了器件制备成本，具有很大的商业应用价值。
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公开(公告)号：CN110054581A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910279177.2
申请日：2019-04-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明设计提出了一种有机电致发光材料以及一种使用该材料的OLED结构的发光存储器，本发明所述的OLED存储器件具备较高的亮度及较好的色稳定性、同时还具有WORM存储功能，是一种兼存储与发光功能于一身的多功能器件，在有机电致发光及可视信息和保密存储领域具有巨大的潜在应用价值。而且，本发明所述的OLED存储器件制备工艺简单、成本低廉、OLED发光效果稳定，具有很高的使用及推广价值。
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公开(公告)号：CN109524546A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811350364.7
申请日：2018-11-14
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , C07D495/22
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米格子分子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于有机电子和信息技术领域。该存储器从上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、纳米格子分子存储层、栅绝缘层、衬底及形成于该衬底之上的栅电极。本发明的存储器属于典型的电荷捕获-释放机制，对比聚合物驻极体存储器和浮栅型存储器，表现出明显的电荷维持稳定、耐受性以及大的存储窗口和存储密度，还表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺手段制备存储器件，使其存储容量、开关速度和稳定性得到很大提升，并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108530609A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810242986.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种卟啉聚合物，其结构通式如下：本发明同时公开了卟啉聚合物忆阻器，包括阳极与阴极、以及位于阳极与阴极之间的阻变层，其中阻变层包括从阳极到阴极依次分布的卟啉聚合物活化薄膜层及氧化物缓冲层，该忆阻器可应用于阵列作为节点链接处理器的交叉阵列人工神经计算系统及制造具有学习功能的人工智能系统。本发明具有工艺简单且成本低的优点。
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公开(公告)号：CN108530466A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810299053.6
申请日：2018-04-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/14 , C07D495/22 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明涉及一种多环芳烃有机半导体材料的制备方法，包括以下步骤：3,6-二溴烷基咔唑溶于无水乙醚或四氢呋喃，滴加锂试剂并搅拌，继续滴加芳香醛溶液得到化合物A；化合物A溶于甲苯或二甲苯，加入碘化锌、氰基硼氢化钠，搅拌得到化合物B；化合物B溶于无水乙醇或四氢呋喃，滴加锂试剂并搅拌，然后加入无水甲酰化试剂，搅拌得到化合物C；化合物C溶于甲苯或二甲苯，加入大孔酸性离子交换树脂，搅拌得到咔唑为核的角型多环芳烃有机半导体材料。本发明的有机半导体材料具有高稳定性和较好的溶解性，应用于场效应晶体管器件表现出对膜厚没有依赖的空穴迁移特性，易重复，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN108155291A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711437516.2
申请日：2017-12-26
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种双极性大容量有机场效应晶体管存储器及制备方法，通过能带工程设计一系列的P型与N型有机半导体材料，通过溶液旋涂工艺构造一种类似于无机P-N结的结构，解决了在同一晶圆上电子空穴湮灭的问题，从而实现电子空穴的双极性信息存储。同时较低的阈值电压为未来在提高集成度时降低功耗和发热实现信息存储的稳定。本发明旨在通过简单的溶液旋涂制备一种具有双极性捕获位点的混合纳米薄膜，实现大容量双极性存储。薄膜的制备在低温空气的环境进行有利于降低生产成本和大面积制备。
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公开(公告)号：CN107425117A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710565327.7
申请日：2017-07-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种可控抑制型人工突触电子器件及其制备方法与应用，属于人工智能技术领域。所述人工突触电子器件包括自下而上依次设置的衬底、第一电极、阻变层和第二电极，所述阻变层为氧化石墨烯活性层。所述电子器件结构为二极管交叉或垂直结构，且上下电极为同一电极，具有高度对称性，而现有的类似器件大多为晶体管，测试与操作工艺较为复杂。本发明的人工突触属于可控抑制型，这些多重抑制功能对于过滤神经信号以及调节整个神经活动具有重要作用，表现出器件产率高、输出可重复性、性能稳定以及抗饱和能力强等优势，可作为一种新型的信息传输与校准器。因此，氧化石墨烯人工突触有望成为人工神经网络和神经形态计算的有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN104779350B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510155876.8
申请日：2015-04-02
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于光/电双控有机场效应晶体管的本体异质结，属于有机固体电子器件领域。该本体异质结是将一种光致变色材料与电荷传输型半导体材料共蒸或旋涂到有机场效应晶体管半导体层。基于光致变色材料的光响应特性，其在光的作用下能够发生物理性质的变化，在与电荷传输型半导体材料掺杂后，内部载流子浓度发生变化，从而能够通过光调制有机场效应晶体管电流特性。同时，在避光时，该本体异质结也能在电场的作用下改变内部的载流子浓度，并体现在有机场效应晶体管的电流变化上。因此，将光致变色材料，与电荷传输型半导体材料采用共蒸或者旋涂方式制膜，作为有机场效应晶体管的本体异质结，能够实现光/电双控晶体管特性。
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