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公开(公告)号：CN1474464A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN02128518.7
申请日：2002-08-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种制作白光发光二极管的方法，该方法包括如下制备步骤：(1)选择衬底材料，在该衬底上外延生长所需要的材料作为下一步的衬底；(2)对材料表面进行钝化；(3)在上述衬底上生长一层纳米尺寸的量子点作为诱导层；(4)然后再生长一层或多层异质量子点结构，所生长的单/多层异质量子点结构作为发光二极管的活性层；(5)在活性层上再生长一层P型材料；(6)镀一层电极。采用这种方法制作的白光二极管制作工艺简单，重复性好，发光波段和颜色可调。
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公开(公告)号：CN118727136B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411114498.4
申请日：2024-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中科镓(深圳)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓单晶片的制备方法，可应用于半导体技术领域。该方法包括：准备硅单晶衬底；采用脉冲磁控溅射工艺在硅单晶衬底上制备第一外延层；采用原位退火工艺将第一外延层中的锌组分完全热分解析出，得到第二外延层；采用脉冲磁控溅射工艺在第二外延层上外延生长氮化镓单晶薄膜模板层；按第一预设降温速率降低温度至室温；采用气相外延工艺，在氮化镓单晶薄膜模板层上生长氮化镓单晶厚膜外延层；按第二预设降温速率降低温度至室温；以及将氮化镓单晶厚膜外延层与其他部分剥离，并加工氮化镓单晶厚膜外延层得到氮化镓单晶片。本发明还提供了一种氮化镓单晶片及其应用。
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公开(公告)号：CN104393140B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201410641928.8
申请日：2014-11-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片，该芯片为单电极结构，由下至上依次包括散热基板、高反射P型欧姆接触层和外延层，其中：高反射P型欧姆接触层由下至上依次包括防氧化层、阻挡层、金属反射层和欧姆接触层，外延层由下至上依次包括P型层、多量子阱层和N型层，N型层上制作有N电极。本发明还公开了一种制备高反射率的垂直结构发光二级管芯片的方法。本发明制作的芯片能够有效增加光输出，改善芯片的散热能力，提供稳定的光输出功率，实现高流明效率的应用。
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公开(公告)号：CN102839417A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210325765.3
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨气，对蓝宝石衬底进行氮化，在其上生成一层氮化层；在MOCVD设备中利用载气通入铟源、镓源和氨气，使得在氮化层上得到InGaN层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长一层低温GaN缓冲层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长氮化镓外延层。本发明以InGaN插入层和低温GaN缓冲层做弱键合层，可以得到高结晶质量的自剥离GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN101831613A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010157517.3
申请日：2010-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄膜；步骤4：关闭铟源，并在反应室温度降到300摄氏度以下关闭氮源，完成A面非极性InN薄膜的生长。本发明利用A面ZnO作为缓冲层以降低外延失配度，可以获得高质量的非极性A面InN薄膜，该方法可应用于高速微电子器件、发光二极管和太阳能电池中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100590236C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610169751.1
申请日：2006-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02 , C30B29/16 , H01L21/365
Abstract: 本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置，包括：衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度，而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区，下部为恒温区，工作时处于高温状态，由热容大的加热器、控温探头和保温层构成；上部为调温区，由热容小导热好的衬底托盘、衬底、测温探头和隔热层构成，通过控制进入导热托盘与隔热层间隙的调温气体的开关时间和吹气流量来实现低温P型掺杂生长和高温快速退火的温度周期调制。本发明同时公开了一种生长氧化锌薄膜的方法。利用本发明，能提高氧化锌薄膜结晶质量和实现均匀生长，并满足制备短波长光电器件需要。
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公开(公告)号：CN100511739C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710065182.0
申请日：2007-04-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，包括：步骤1：将清洗好的衬底放入反应室中，将反应室抽至真空，升高温度进行烘烤，以获得清洁衬底；步骤2：向反应室中充入氮气，将反应室压强升至生长压强，将衬底温度控制到生长温度；步骤3：向反应室中通入锌源，氧源和氮源，在衬底上外延ZnO:N薄膜；步骤4：停止通入氧源，并继续通入锌源和氮源，在ZnO:N薄膜上外延氮化锌薄层；步骤5：再开启氧源，并继续通入锌源和氮源，在氮化锌薄层上继续外延ZnO:N薄膜；步骤6：重复步骤4、步骤5，直至生长的薄膜达到需要的厚度为止；步骤7：在氨气氛或者氮气氛下进行退火，完成P型氧化锌薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN101367510A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200710120284.8
申请日：2007-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体材料生长技术领域，公开了一种采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法，该方法包括：加热反应室，当反应室温度升到生长温度时，利用氢气和氮气为载气将含有铟源的反应物与氨气通入到反应室中进行反应，同时控制氢气和氮气的比例，反应物在还原气氛下产生金属铟液滴，利用产生的金属铟液滴作为催化剂，催化反应物形成含铟氮化物纳米材料。利用本发明，可以生长出高质量的含铟氮化物的纳米材料，实现了在MOCVD设备上利用自催化方法生长出高质量的含铟氮化物的纳米材料。另外，本发明提供的这种采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法，还可以推广到普通的化学气相沉积CVD设备中去。
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公开(公告)号：CN101333658A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200710118005.4
申请日：2007-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高温原位减薄硅基底的装置和使用该装置的方法，该装置包括：一石墨基座，该石墨基座为圆柱形或圆盘形；该石墨基座上面有一凹部，用于承载硅基底；该石墨基座与硅基底之间有一缝隙，该缝隙为腐蚀气体通道；在该石墨基座的中心纵向有一圆孔，该圆孔为腐蚀气体通道；沿该石墨基座的圆周纵向有多数的通孔，该通孔为腐蚀气体通道。
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公开(公告)号：CN100369198C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410048229.9
申请日：2004-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在硅衬底上生长大面积无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的新方法，其主要特征在于：在传统的Si基氮化物缓冲层和III族氮化物薄膜之间插入一层或多层三元或四元Ⅲ族氮化物自适应柔性层，此柔性层可随生长中应力的变化而自发调节其组分，自适应大失配异质外延晶格常数或热应力的变化，该层的主要作用是阻止界面处裂纹源的产生。
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