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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101367510A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200710120284.8
申请日：2007-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体材料生长技术领域，公开了一种采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法，该方法包括：加热反应室，当反应室温度升到生长温度时，利用氢气和氮气为载气将含有铟源的反应物与氨气通入到反应室中进行反应，同时控制氢气和氮气的比例，反应物在还原气氛下产生金属铟液滴，利用产生的金属铟液滴作为催化剂，催化反应物形成含铟氮化物纳米材料。利用本发明，可以生长出高质量的含铟氮化物的纳米材料，实现了在MOCVD设备上利用自催化方法生长出高质量的含铟氮化物的纳米材料。另外，本发明提供的这种采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法，还可以推广到普通的化学气相沉积CVD设备中去。
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公开(公告)号：CN101051608A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200610067134.0
申请日：2006-04-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及半导体材料与器件技术领域，特别是半导体InN薄膜材料的制备方法。在衬底上生长完InN薄膜之后，再在上面生长一层易于去除的、熔点和分解温度都高于InN材料的可在低温下生长的材料，我们称这层材料为盖层；接下来在氮气和氨气保护下对上面得到的外延片进行退火处理；最后去除上面生长的盖层和盖层与InN材料之间的互扩散层。
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公开(公告)号：CN101367510B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710120284.8
申请日：2007-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体材料生长技术领域，公开了一种采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法，该方法包括：加热反应室，当反应室温度升到生长温度时，利用氢气和氮气为载气将含有铟源的反应物与氨气通入到反应室中进行反应，同时控制氢气和氮气的比例，反应物在还原气氛下产生金属铟液滴，利用产生的金属铟液滴作为催化剂，催化反应物形成含铟氮化物纳米材料。利用本发明，可以生长出高质量的含铟氮化物的纳米材料，实现了在MOCVD设备上利用自催化方法生长出高质量的含铟氮化物的纳米材料。另外，本发明提供的这种采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法，还可以推广到普通的化学气相沉积CVD设备中去。
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公开(公告)号：CN1921157A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200510093367.3
申请日：2005-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及发光二极管技术领域的一种深紫外发光二极管结构。该结构利用了等离激元效应，表面等离激元是光场在导体表面与载流子相互耦合形成的振荡波，表面等离激元的激发、耦合是通过具有周期性结构的金属薄膜来实现的，同时该金属薄膜又具有电极接触的功能。其基本结构是将一般MIS发光二极管的金属部分采用具有可以产生表面等离激元的周期性结构的。
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公开(公告)号：CN1921151A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200510093368.8
申请日：2005-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101
Abstract: 本发明涉及光探测器技术领域，特别是一种近场光学增强型可见光探测器的器件结构。利用表面等离激元的近场光场增强效应，即表面等离激元，表面等离激元将光场限制在一个小的区域内，表面等离激元是光场在导体表面与载流子相互耦合形成的振荡波，来提高光吸收效率。本发明中表面等离激元的激发、耦合是通过具有周期性结构的金属薄膜来实现的，同时该金属薄膜又具有肖特基接触的功能。
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