公开(公告)号：CN101380601A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200710121360.7

申请日：2007-09-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张日清 ,  刘祥林 ,  杨少延 ,  张晓沛 ,  董向芸

IPC: B01L7/00 ,  G05D23/00

Abstract: 本发明涉及半导体材料生长技术领域，公开了一种恒温装置，该恒温装置包括加热器、致冷器、搅伴器、温度传感器和控制单元，该控制单元包括PID温度控制器和开关模式温度控制器，根据温度传感器所测的温度，所述PID温度控制器通过PID算法控制加热器的功率来调整恒温装置的温度，所述开关温度控制器通过开启或关断加热或致冷器来调整恒温装置的温度。本发明同时公开了一种恒温装置的控制方法。利用本发明，可以在满足恒温装置尤其是原料存储恒温装置的温度精度的同时，实现能量的节约。

公开(公告)号：CN101051608A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200610067134.0

申请日：2006-04-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张日清 ,  康亭亭 ,  刘祥林

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明涉及半导体材料与器件技术领域，特别是半导体InN薄膜材料的制备方法。在衬底上生长完InN薄膜之后，再在上面生长一层易于去除的、熔点和分解温度都高于InN材料的可在低温下生长的材料，我们称这层材料为盖层；接下来在氮气和氨气保护下对上面得到的外延片进行退火处理；最后去除上面生长的盖层和盖层与InN材料之间的互扩散层。