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公开(公告)号：CN105895801A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610527906.8
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L45/165
Abstract: 本发明提供一种利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法，包括以下步骤：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，以得到氧化物单晶薄膜，并使得到的氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明有效地降低了剥离及转移薄膜所需的离子总注入剂量，进而缩短了制备周期，节约了生产成本；同时，使用该方法还可以解决部分材料使用单一离子注入无法实现剥离的问题。
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公开(公告)号：CN101388331B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810202084.1
申请日：2008-10-31
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/316 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84
Abstract: 一种制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子，从而在单晶硅衬底中形成缺陷空洞层，以及位于缺陷空洞层表面的顶层硅；在缺陷空洞层表面的顶层硅中形成扩散通道；将单晶硅衬底在含氧气氛中进行退火。本发明的优点在于，在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子，从而在单晶硅衬底中形成缺陷空洞层，缺陷空洞层作为氧化硅团聚体形核提供了高密度的形核中心，加速了氧化硅团聚体的形核和长大，减少或完全代替注氧隔离工艺(SIMOX)中形成连续二氧化硅绝缘埋层中氧的注入剂量。同时，缺陷空洞层中的空体积将吸收由于氧化硅团聚体形成而产生的体积膨胀效应，减少顶层硅与BOX层界面的应力，提高SOI材料的质量。
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公开(公告)号：CN101477963A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810204676.7
申请日：2008-12-16
Applicant: 上海新傲科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/265
Abstract: 一种制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子；在单晶硅衬底中注入氧离子；对注入缺陷引入离子和氧离子后的单晶硅衬底进行退火处理；所述注入缺陷引入离子的步骤在注入氧离子的步骤之前或者之后实施。注入深度与缺陷引入离子的注入深度相同或靠近。本发明的优点在于，缺陷引入离子注入形成的微空洞可以俘获氧离子，提高绝缘埋层的完整性，从而降低形成连续埋层所需氧的注入剂量。降低由于二氧化硅形成过程中的体积膨胀所形成的应力和顶层硅中的缺陷。提高了氧从退火气氛向埋层的扩散效率，提高顶层硅与埋层之间的界面质量，提高埋层的抗击穿性能。
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公开(公告)号：CN101005110A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710036455.9
申请日：2007-01-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法。本发明采用扩散键合形式的金属键合工艺使在蓝宝石上生长制作的氮化镓发光二极管键合到低阻硅片上并实现欧姆接触。本发明通过采用扩散键合形式的金属键合工艺实现硅基氮化镓发光二极管的制作，具有键合工艺稳定、器件良率高、面积小且充分利用发光层的材料、衬底导电且导热性好的优点。
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公开(公告)号：CN116633304B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202310732219.X
申请日：2023-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜层和叉指电极结构，支撑衬底内设有多边形空腔；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；多边形空腔的周面包括硅 晶向；压电薄膜层靠近多边形空腔，且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔，多个刻蚀通孔与多边形空腔连通。本申请提供的该声学谐振器具有优异的电学和机械性能。
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公开(公告)号：CN119517737A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411509691.8
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/02 , H01L21/223 , H01L21/306 , H10D84/03
Abstract: 本申请实施例提供了一种碳基半导体薄膜材料的制备方法，首先通过键合经过离子注入的半导体和具有介质层的硅基衬底，得到硅基半导体材料，通过在硅基衬底上制备用于介质层释放的通孔，为介质层释放提供来自于支撑衬底的通孔，解决了现有技术中介质层释放需要通过将半导体薄膜图案化来提供通道的问题，突破了转印半导体薄膜的尺寸限制，进而实现大面积半导体异质集成材料的制备。此外，通过转印这种范德华集成方法制备的异质材料在界面处几乎没有非晶过渡区域，对于组成材料的种类没有限制，不受晶格失配、热失配等物理因素影响。
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公开(公告)号：CN119254175A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411299344.7
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于异质集成压电衬底的叉指电容，所述叉指电容结构包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的金属电极；位于所述压电薄膜下方的二氧化硅功能层；位于所述二氧化硅功能层下方的支撑衬底；其中，所述二氧化硅功能层为可选结构。本发明的叉指电容对比片外集成的IPD电容，在集成化和微型化方面有着明显的优势。
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公开(公告)号：CN114530758B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210063059.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开一种激光器结构的制备方法及其结构，包括对第一衬底结构进行刻蚀处理，得到待制备绝缘结构的待生长区域，对绝缘结构进行刻蚀处理，得到波导结构，波导结构与第三衬底层连接设置，波导结构与第一衬底层间隔设置，且与第二衬底层间隔设置，对第二衬底结构进行离子注入，使得在第二衬底结构内形成缺陷层，键合第一衬底结构和第二衬底结构得到异质衬底结构，在异质衬底结构上制备外延结构和激光器脊条结构，得到激光器结构，激光器脊条结构在异质衬底结构的位置与波导结构在异质衬底结构的位置对应重合。本申请可以提高后续制备的激光器结构的热导率，改善激光器结构的性能以及提高激光器结构的寿命。
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公开(公告)号：CN113284839B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110557868.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种钻石晶体的异质键合方法及异质结构。本申请提供的该异质键合方法通过在钻石晶体表面引入键合介质层，继而可以采用亲水键合或者SAB键合等键合方法，绕过了钻石晶体不易抛光和键合的缺点，上述键合方法具有键合灵活以及键合强度高的优点。
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公开(公告)号：CN116705605B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310736872.3
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本公开涉及一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对N型导电碳化硅衬底进行离子注入；对离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底；获取硅衬底；将硅衬底与绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底进行键合，对键合后的复合衬底进行剥离处理，得到复合硅基衬底；对复合硅基衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的复合硅基衬底；于绝缘处理后的复合硅基衬底的表面外延氮化镓薄膜；于氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件层，得到硅基氮化镓HEMT器件。本公开的硅基氮化镓HEMT器件制备方法，不仅可以降低制备成本，还可以扩大硅基氮化镓HEMT器件的尺寸。
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