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公开(公告)号：CN103589344A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310567464.6
申请日：2013-11-14
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种氧化铝抛光液的制备方法，首先将氧化铝粉末经搅拌分散于酸性水溶液中，形成酸性氧化铝分散液；然后加热搅拌条件下，滴加硅酸盐水溶液，滴加完毕后停止加热；继续搅拌陈化即得；在氧化铝分散液的基础上，通过引入硅酸盐，利用硅和铝间独特的亲和作用，在氧化铝颗粒表面形成部分硅原子替代、电荷反转，从而有效提高氧化铝抛光液的悬浮稳定性，而与此同时不影响抛光性能。
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公开(公告)号：CN102757732B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210219203.0
申请日：2012-06-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光液，尤其涉及一种可有效应用于Al衬底化学机械抛光工艺的抛光液。本发明提供一种Al衬底用化学机械抛光液,包含抛光颗粒、氧化剂、鳌合剂、腐蚀抑制剂、表面活性剂、pH调节剂及水性介质。其中以抛光液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：抛光颗粒0.1-50wt%；氧化剂0.01-10wt%；螯合剂0.01-5wt%；腐蚀抑制剂0.0001-5wt%；表面活性剂0.001-2wt%；余量为pH调节剂和水性介质。可显著降低化学机械抛光后Al衬底表面的桔皮坑等缺陷,从而大大改善抛光后Al衬底表面质量。
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公开(公告)号：CN214810843U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202121017496.5
申请日：2021-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种胶体二氧化硅制备装置，包括反应釜、高温泵、过滤器和超滤器，所述反应釜和所述高温泵连接，所述高温泵和所述过滤器连接，所述过滤器和所述超滤器连接，所述超滤器和所述反应釜连接；所述反应釜的外壁设置有夹套，所述夹套用于反应釜在制备二氧化硅时循环通入蒸汽对所述反应釜进行加热，所述夹套用于反应釜在反应结束后循环通入冷却水对所述反应釜进行降温；所述反应釜用于将物料经由所述高温泵输送至过滤器，所述过滤器将物料过滤后输送至所述超滤器，所述超滤器对过滤后的物料进行浓缩后输送至所述反应釜。本实用新型可实现高温下二氧化硅颗粒边生长边过滤边浓缩，同时还可避免后续的浓缩步骤。
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公开(公告)号：CN202666703U
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201220202064.6
申请日：2012-05-07
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B01D63/04
Abstract: 本实用新型提供一种中空纤维膜组件的封装结构及使用该封装结构的中空纤维膜组件。所述中空纤维膜组件的封装结构至少包括：套管、环氧树脂封装端、密封圈和压盖；所述套管的两端通过所述密封圈与所述压盖密闭连接；所述套管的两端内部均设有所述环氧树脂封装端，所述套管的内壁与所述环氧树脂封装端的边缘密闭连接，且所述套管与所述环氧树脂封装端相接触的部分中靠近外侧的内径大于靠近内侧的内径。本实用新型具有耐高温与不易泄漏的优点，可以满足高温情况下进行物质分离的需要。
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公开(公告)号：CN114203901B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202111512058.0
申请日：2021-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10N70/00 , G11C11/4063 , G11C11/4074
Abstract: 本发明提供一种开关器件及存储器，该开关器件包括下电极、上电极及夹设于下电极与上电极之间的开关材料层，其中：开关材料层包括Te、Se和S中的至少一种元素；开关器件处于开启状态时，开关材料层呈液态，且禁带宽度为0；开关器件处于关闭状态时，开关材料层呈结晶态，且开关材料层与上电极之间形成肖特基势垒，开关材料层与下电极之间形成肖特基势垒。本发明的开关器件采用开关材料晶态‑液态‑晶态相变开关机理，具有开通电流大、漏电流小、阈值电压小、单元一致性高、与CMOS工艺兼容、热稳定好、元素简单、低毒性及可极度萎缩等优点，能够驱动相变存储单元、阻变存储单元、铁电存储单元、磁存储单元等存储单元，实现高密度三维信息存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119947122A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411944938.9
申请日：2024-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10B63/10 , H10N70/00 , C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储单元及其制备方法，包括基底、第一绝缘介质层、第二绝缘介质层、第四绝缘介质层；所述基底内设有底电极；所述第一绝缘介质层和第二绝缘介质层内设有“L”型纳米加热电极和第三绝缘介质层；所述加热电极底部连接底电极，顶部连接硫系化合物材料层；所述硫系化合物材料层顶部连接顶电极；所述加热电极的材料为含掺杂元素的过渡金属氮化物。本发明通过对加热电极材料的组分优化，提升了加热电极的加热效率，有助于降低半导体存储单元的操作功耗。
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公开(公告)号：CN115036417B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210480717.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10B63/10
Abstract: 本发明涉及一种低功耗相变存储器的制备方法。该制备方法包括：(1)在衬底上生长第一介质层，并形成圆柱状底电极；(2)在第一介质层上形成第二介质层，光刻和刻蚀形成纵向的沟槽1，(3)在沟槽1内形成“倒几字”型相变材料层，回刻蚀；(4)在形成的侧壁相变结构上生长第三电介质层，然后生长第四电介质层并填满沟槽1，抛光；(5)生长导电薄膜层，并通过光刻和刻蚀形成纵向条状导电线条；(6)生长第五电介质层，然后生长第六电介质层并填满导电线条之间的沟槽2，抛光；(7)圆孔1光刻和刻蚀，孔内填充导电材料，然后抛光，形成顶电极。该方法制备的相变材料层以片状形式存在，大大减小了相变材料的体积有利于功耗的降低。
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公开(公告)号：CN119543923A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411501508.X
申请日：2024-10-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03L7/085 , H03L7/089 , H03L7/093 , H03L7/099 , H03K19/003
Abstract: 本发明涉及一种抗辐射加固的鉴频鉴相器电路，包括：第一D触发器电路、第二D触发器电路、C单元电路和频率锁定指示单元电路；第一D触发器电路和第二D触发器电路的结构相同，均包括依次连接的第一DICE锁存器电路和第二DICE锁存器电路，DICE锁存器电路由置零信号和时钟信号进行控制；C单元电路的两个输入端分别与第一D触发器电路和第二D触发器电路的输出端相连，其输出信号作为置零信号反馈回第一D触发器电路和第二D触发器电路；频率锁定指示单元电路的输入端分别与第一D触发器电路和第二D触发器电路的输出端相连，输出端输出频率锁定指示信号。本发明实现了鉴频鉴相器电路的抗辐射加固设计。
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公开(公告)号：CN118995056A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411129604.6
申请日：2024-08-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种含有二维材料的碳化硅抛光液，其中磨料包括α‑氧化铝和二维材料或仅为二维材料。本发明通过在磨料中引入二维材料，使得抛光液的抛光质量(包括结晶性能)、抛光速率和抛光表面亦获得很大提升，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118588134A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410776753.5
申请日：2024-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 张江国家实验室
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器高可靠操作方法，包括：使用预操作调整存储单元的写疲劳状态；每次重新调整单元写疲劳状态后，将待测单元分别操作到需要对应的初始态，然后对存储单元执行读循环操作，并获取对应的电阻值；将收集的电阻值与对应的写、读操作条件进行匹配分析，以筛选可使半导体存储器具有超长读耐久性的读操作电压，最后优化并验证筛选条件。通过本发明，半导体存储器在特定读操作电压下表现出超长的读耐久性，实现了高可靠操作，为面向存算一体的神经网络领域的应用提供了候选器件。
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