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发明公开
一种半导体存储单元及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119947122A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411944938.9

申请日：2024-12-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周夕淋 , 万子琦 , 宋志棠

IPC: H10B63/10 , H10N70/00 , C23C16/34 , C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种半导体存储单元及其制备方法，包括基底、第一绝缘介质层、第二绝缘介质层、第四绝缘介质层；所述基底内设有底电极；所述第一绝缘介质层和第二绝缘介质层内设有“L”型纳米加热电极和第三绝缘介质层；所述加热电极底部连接底电极，顶部连接硫系化合物材料层；所述硫系化合物材料层顶部连接顶电极；所述加热电极的材料为含掺杂元素的过渡金属氮化物。本发明通过对加热电极材料的组分优化，提升了加热电极的加热效率，有助于降低半导体存储单元的操作功耗。

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