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公开(公告)号：CN1177294C
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN02119151.4
申请日：2002-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06K9/00
CPC classification number: G06K9/0002
Abstract: 提供了一种通过将作用于压电薄膜的压力转换成电信号来感知指纹的指纹传感器。该指纹传感器具有一个压电器件集合体，它包括：衬底；在衬底上形成的下部电极；在下部电极上形成的压电薄膜；在压电薄膜上形成的上部电极；在上部电极上形成的加压部分，该加压部分用于通过由于指纹接触所产生的压力来改变压电薄膜上的电荷量；以及在下部电极上形成的非导电层，该非导电层用于支撑和暴露所述加压部分。结果，能够提供一种结构简单，并且能够利用压电现象准确感知指纹信息的指纹传感器。该指纹传感器能够应用于公共机构和私人企业中用于确定人员身份的系统，以及个人便携系统。
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公开(公告)号：CN1510724A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN03127833.7
申请日：2003-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , C01B13/14 , C01G29/00 , H01L27/10
CPC classification number: C04B35/6264 , C01G23/002 , C01G25/006 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/491 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/483 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供一种形成铁电薄膜的组合物，利用该组合物形成的铁电薄膜，及形成该铁电薄膜的方法。该组合物包含PZT溶胶－凝胶溶液和Bi2SiO5溶胶－凝胶溶液。PZT溶胶－凝胶溶液包括铅(Pb)前体的全部或部分水解产物及Pb前体的全部或部分水解和缩聚的产物中的至少一种；锆(Zr)前体的全部或部分水解产物，Zr前体的全部或部分水解和缩聚的产物，及具有至少一个羟基离子和至少一个不可水解配体的Zr络合物中的至少一种；以及钛(Ti)前体的全部或部分水解产物，Ti前体的全部或部分水解和缩聚的产物，及具有至少一个羟基离子和至少一个不可水解配体的Ti络合物中的至少一种。Bi2SiO5溶胶－凝胶溶液包括硅(Si)前体的全部或部分水解产物及Si前体的全部或部分水解和缩聚的产物中的至少一种；及通过回流铋(Bi)前体三苯基铋(Bi(Ph)3)或Bi(tmhd)3与C1－C10烷氧基醇而得到的产物，其中tmhd为2，2，6，6－四甲基庚烷－3，5－二酮化物(dionate)。
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公开(公告)号：CN1385813A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN02119151.4
申请日：2002-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06K9/00
CPC classification number: G06K9/0002
Abstract: 提供了一种通过将作用于压电薄膜的压力转换成电信号来感知指纹的指纹传感器。该指纹传感器具有一个压电器件集合体,它包括:衬底;在衬底上形成的下部电极;在下部电极上形成的压电薄膜;在压电薄膜上形成的上部电极;在上部电极上形成的加压部分,该加压部分用于通过由于指纹接触所产生的压力来改变压电薄膜上的电荷量;以及在下部电极上形成的非导电层,该非导电层用于支撑和暴露所述加压部分。结果,能够提供一种结构简单,并且能够利用压电现象准确感知指纹信息的指纹传感器。该指纹传感器能够应用于公共机构和私人企业中用于确定人员身份的系统,以及个人便携系统。
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公开(公告)号：CN107342352B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710217743.8
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/38 , H01L33/08 , H01L33/00 , H01L25/075 , G09F9/33
Abstract: 一种LED光源模块包括发光堆叠体，以及穿过发光堆叠体的一部分的第一穿通电极结构和第二穿通电极结构。发光堆叠体包括：基础绝缘层；顺序堆叠在基础绝缘层上的发光层，发光层的每个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和设置在第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；以及设置在发光层之间的层间绝缘层。第一穿通电极结构连接到发光层的每个的第一导电类型半导体层，第二穿通电极结构连接到发光层的每个的第二导电类型半导体层中的任一个或任何组合。
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公开(公告)号：CN104347520B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201410366642.3
申请日：2014-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了非易失性存储器晶体管和包括非易失性存储器晶体管的设备。非易失性存储器晶体管可以包括沟道元件，与沟道元件相对应的栅极电极，在沟道元件和栅极电极之间的栅极绝缘层，在栅极绝缘层和栅极电极之间的离子物质移动层，以及相对于沟道元件彼此分离的源极和漏极。根据施加到栅极电极的电压，在离子物质移动层发生离子物质的移动。阈值电压根据离子物质的移动而变化。非易失性存储器晶体管具有多电平特性。
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公开(公告)号：CN107452763A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710223454.9
申请日：2017-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供半导体器件。根据某些实施方式的半导体器件可以形成为单个半导体芯片，该单个半导体芯片包括：多个发光二极管，每个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及设置在两者之间的有源层，该多个发光二极管包括第一组发光二极管和第二组发光二极管；第一布线，作为第一电节点的部分；第二布线，作为第二电节点的部分；第三布线，作为第三电节点的部分；第四布线，作为第四电节点的部分；以及第一、第二、第三和第四芯片垫，分别电连接到第一、第二、第三和第四电节点，并且第一、第二、第三和第四电节点可以彼此不同。
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公开(公告)号：CN104425665A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410431583.3
申请日：2014-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/32
Abstract: 根据示例实施例，一种半导体发光器件包括第一半导体层、第一半导体层上的凹坑扩大层、凹坑扩大层上的有源层、空穴注入层以及空穴注入层上的第二半导体层。第一半导体层掺杂有第一导电类型的掺杂物。凹坑扩大层的上表面和有源层的侧表面在位错上限定了具有斜表面的凹坑。凹坑为倒棱锥形空间。空穴注入层位于有源层的顶表面和凹坑的斜表面上。第二半导体层掺杂有与第一导电类型不同的第二导电类型的掺杂物。
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公开(公告)号：CN101527318B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200810179474.1
申请日：2008-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种晶体管及其制造方法。根据示例实施例的晶体管可以包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的端部；栅电极，与沟道层分开；栅极绝缘层，设置在沟道层和栅电极之间；和/或插入层，形成在沟道层和栅极绝缘层之间。插入层的功函数可以与沟道层的功函数不同。
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