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公开(公告)号：CN112086372B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010995804.5
申请日：2020-09-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。
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公开(公告)号：CN113838756A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111119357.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Inventor： 史志扬
IPC: H01L21/336 , H01L21/762 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种改善Trench‑IGBT晶圆微形变的器件制备方法，包括如下步骤：在半导体衬底上进行Ring光刻/注入/退火以及场氧氧化和光刻刻蚀，形成耐压场限环；在设计好的有源区进行Pwell注入和高温推阱，形成Pwell层，然后进行Trench光刻/刻蚀，形成Trench槽形貌；生长栅氧化层和多晶硅淀积，并经过多晶光刻和刻蚀后形成栅极；进行N+光刻/注入/退火后形成发射极；进行ILD淀积隔离栅极和发射极，通过接触孔光刻和刻蚀形成接触孔；进行METAL溅射工艺，把栅极和发射极引出；进行PAD层的淀积和光刻刻蚀，得到器件。
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公开(公告)号：CN113571584A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110746585.1
申请日：2021-07-01
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET器件及其制备方法，其SiC MOSFET器件包括第一掺杂类型的重掺杂的衬底、第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层、第二掺杂类型的电场调制区、第一掺杂类型的轻掺杂的第二外延层、第二掺杂类型的阱区、第二掺杂类型的接触区、第一掺杂类型的源区、栅沟槽、栅介质层、第一掺杂类型的多晶硅层、源极欧姆接触层、漏极欧姆接触层、栅极电极、源极电极、漏极电极、钝化层，本发明通过引入电场调制区，可有效调制器件内部电场，消除沟槽底部的电场聚集效应，还可降低沟槽底部栅氧中的电场强度，避免栅氧击穿，从而可防止器件过早击穿烧毁，提升器件可靠性。此外，制备方法与现有制备方法兼容，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113488542A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110726765.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法，通过在沟槽型SiC MOSFET器件中引入柱区电场调制结构，可有效舒缓沟槽底部电场分布，消除电场聚集效应，还可屏蔽栅氧内电场强度，降低栅氧内电场强度，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性。此外，本发明的器件结构和制备方法简单，效果显著，可实现高性能、批量化沟槽型SiC MOSFET器件制备生产，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN112652536A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011397875.1
申请日：2020-12-03
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体器件设计技术领域，具体涉及一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法，该方法依次制备了N型增强层、P型体区、N+区、介质层、发射极、P型集电区和集电极，制备出P型体区的底部和侧面为N型增强层的N‑P‑N结构，且P型体区底部和侧面的N型增强层不相连。本发明制备的低导通压降平面栅IGBT具有击穿电压高，反向传输电容低和导通压降较低的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112234054A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011169526.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括：金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本发明能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异，提高芯片开通一致性，避免某一芯片过早失效。
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公开(公告)号：CN112086372A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010995804.5
申请日：2020-09-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。
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公开(公告)号：CN219936019U
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202321097251.7
申请日：2023-05-09
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26 , G01R31/52 , G01R1/36 , G01R19/165
Abstract: 本实用新型公开一种IGBT器件的漏电可靠性自动检测电路，该电路包括：PWM控制单元；HTGB测试回路和HTRB测试回路组成的互锁检测单元；其中，所述PWM控制单元与所述互锁检测单元连接。本实用新型提供的IGBT器件的漏电可靠性自动检测电路，既实现了HTGB测试和HTRB测试的自动检测，也在被考核器件漏电流过大时，保护了被考核器件器件，并且减少了设备冗余，简化了测试流程，降低了成本。
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公开(公告)号：CN218674858U
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202221939065.9
申请日：2022-07-26
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT模块的非浸入式超声扫描工装，水槽上开设用于容纳介质的槽体，槽体上开设用于卡接IGBT模块的IGBT模块通孔，IGBT模块通孔上设置有密封机构，顶升限位机构设置在槽体上；检测IGBT模块时，先将IGBT模块的底板通过密封机构密封安装在IGBT模块通孔处，顶升限位机构将IGBT模块紧紧抵靠在IGBT模块通孔处，然后向槽体中注入介质。本实用新型实现了IGBT模块产品超声扫描时无需浸泡在介质中，在水槽中注入介质即可进行超声波扫描成像，然后将介质从排水孔排出，IGBT模块的核心区域不接触介质，本实用新型很好地保护待检测的IGBT模块产品不受介质污染，同时避免水汽对IGBT模块产品的破坏，以及其他不可预测的隐患。
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公开(公告)号：CN218585962U
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202222220448.7
申请日：2022-08-23
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型提供一种模块密封壳体及高压IGBT模块，在不增加外壳的制造成本的基础上，改变外壳的局部结构，使外壳和环氧树脂的结合面积增加，从而消除环氧树脂和外密封性差的问题;在局部位置添加隔栅设计，减少硅胶的灌注量，降低制造成本。包括：基板、侧部外壳、盖板以及相应的模块组件，所述侧部外壳底部与基板密封连接；所述侧部外壳顶部与盖板密封连接；所述侧部外壳的内侧设有U形结构，所述U形结构靠近侧部外壳的一端为环氧树脂阻挡部，另一端为硅胶阻挡部，所述环氧树脂阻挡部的高度大于所述硅胶阻挡部，所述硅胶阻挡部之间的区域为硅胶灌注腔，所述硅胶灌注腔上方及所述环氧树脂阻挡部与硅胶阻挡部之间为环氧树脂灌注腔。
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