公开(公告)号：CN113488542B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202110726765.3

申请日：2021-06-29

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王谦 ,  刘昊 ,  田亮 ,  施俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法，通过在沟槽型SiC MOSFET器件中引入柱区电场调制结构，可有效舒缓沟槽底部电场分布，消除电场聚集效应，还可屏蔽栅氧内电场强度，降低栅氧内电场强度，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性。此外，本发明的器件结构和制备方法简单，效果显著，可实现高性能、批量化沟槽型SiC MOSFET器件制备生产，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN115565856A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211376435.7

申请日：2022-11-04

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 徐傲雪 ,  田亮 ,  仇坤 ,  查祎英 ,  王谦 ,  史志扬

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/40 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明公开了一种SiC功率器件欧姆接触、制备方法及应用，包括对4H‑SiC衬底背面进行预处理，包括刻蚀以及去水汽的过程；在预处理后的4H‑SiC衬底背面制备出3C‑SiC晶体结构的材料；最后在3C‑SiC晶体表面淀积金属层，制得欧姆接触。该方法简化欧姆接触的制造工艺，降低比接触电阻和功率损耗，提高了SiC功率器件的可靠性。

公开(公告)号：CN113571584B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202110746585.1

申请日：2021-07-01

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王谦 ,  刘昊 ,  田亮 ,  施俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET器件及其制备方法，其SiC MOSFET器件包括第一掺杂类型的重掺杂的衬底、第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层、第二掺杂类型的电场调制区、第一掺杂类型的轻掺杂的第二外延层、第二掺杂类型的阱区、第二掺杂类型的接触区、第一掺杂类型的源区、栅沟槽、栅介质层、第一掺杂类型的多晶硅层、源极欧姆接触层、漏极欧姆接触层、栅极电极、源极电极、漏极电极、钝化层，本发明通过引入电场调制区，可有效调制器件内部电场，消除沟槽底部的电场聚集效应，还可降低沟槽底部栅氧中的电场强度，避免栅氧击穿，从而可防止器件过早击穿烧毁，提升器件可靠性。此外，制备方法与现有制备方法兼容，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN113571584A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110746585.1

申请日：2021-07-01

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王谦 ,  刘昊 ,  田亮 ,  施俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET器件及其制备方法，其SiC MOSFET器件包括第一掺杂类型的重掺杂的衬底、第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层、第二掺杂类型的电场调制区、第一掺杂类型的轻掺杂的第二外延层、第二掺杂类型的阱区、第二掺杂类型的接触区、第一掺杂类型的源区、栅沟槽、栅介质层、第一掺杂类型的多晶硅层、源极欧姆接触层、漏极欧姆接触层、栅极电极、源极电极、漏极电极、钝化层，本发明通过引入电场调制区，可有效调制器件内部电场，消除沟槽底部的电场聚集效应，还可降低沟槽底部栅氧中的电场强度，避免栅氧击穿，从而可防止器件过早击穿烧毁，提升器件可靠性。此外，制备方法与现有制备方法兼容，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN113488542A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110726765.3

申请日：2021-06-29

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王谦 ,  刘昊 ,  田亮 ,  施俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法，通过在沟槽型SiC MOSFET器件中引入柱区电场调制结构，可有效舒缓沟槽底部电场分布，消除电场聚集效应，还可屏蔽栅氧内电场强度，降低栅氧内电场强度，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性。此外，本发明的器件结构和制备方法简单，效果显著，可实现高性能、批量化沟槽型SiC MOSFET器件制备生产，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。