公开(公告)号：CN115377200A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211081902.3

申请日：2022-09-06

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 查祎英 ,  仇坤 ,  徐傲雪 ,  史志扬 ,  骆健

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，本发明刻蚀的沟槽结构使得导电沟道位于沟槽的侧壁之上，元胞尺寸取决于SiC刻蚀精细程度，不受沟道长度、栅‑源隔离和JFET区宽度的限制，可实现元胞尺寸减小、沟道密度提高、导通电阻下降的有益效果，并且本发明的基区位于沟槽之下，具有屏蔽强电场，保护栅氧介质的有益效果，且不增加源区到漏区的导通电阻。

公开(公告)号：CN115565856A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211376435.7

申请日：2022-11-04

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 徐傲雪 ,  田亮 ,  仇坤 ,  查祎英 ,  王谦 ,  史志扬

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/40 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明公开了一种SiC功率器件欧姆接触、制备方法及应用，包括对4H‑SiC衬底背面进行预处理，包括刻蚀以及去水汽的过程；在预处理后的4H‑SiC衬底背面制备出3C‑SiC晶体结构的材料；最后在3C‑SiC晶体表面淀积金属层，制得欧姆接触。该方法简化欧姆接触的制造工艺，降低比接触电阻和功率损耗，提高了SiC功率器件的可靠性。