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公开(公告)号：CN114142823A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111641493.3
申请日：2021-12-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
发明人： 魏强
IPC分类号： H03H7/01
摘要： 本发明属于微波滤波器技术领域，具体涉及一种低相位波动的LC滤波器，该滤波器包括：滤波器网络和相位补偿电路，相位补偿电路与滤波器网络连接构成LC滤波器；相位补偿电路包括两个电感和三个电容；第一电感的一端连接第一电容的正极、另第一端连接第二电容的负极；第一电容的负极与第二电容的正极相连；将第二电感的一端与第一电感的负极和第二电容的正极相连，另一端与第三电容串联；将第三电容的另一端接地，构成相位补偿电路；本发明通过设计了一种相位补偿电路，并将相位补偿网络设置在滤波器网络中，通过该电路解决了滤波器高带外抑制和低相位波动的矛盾，达到滤波器在满足矩形度要求的同时，实现低相位波动滤波器。
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公开(公告)号：CN114105075A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111340195.0
申请日：2021-11-12
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明涉及微机电系统制造技术领域，特别涉及一种曲面电极的微半球陀螺结构及其制备方法；所述方法包括对微半球谐振子的外表面镀膜，对微半球曲面电极的内外表面镀膜并喷涂光刻胶；采用含光学透镜结构的光刻板与微半球曲面电极的内表面对准，光刻显影并使曲面结构的光刻胶图形化；以光刻胶为掩膜使微半球曲面电极上的金属膜图形化，形成激励检测电极、屏蔽电极、锚点电极；将微半球谐振子与微半球曲面电极同轴对准，将谐振子锚点与曲面电极锚点固化导通，将曲面电极外沿基准面固定在缓冲板上，形成具有曲面电极的微半球陀螺结构；本发明可以有效降低曲面电极制作的工艺难度与成本，且具备更好的热适配性能。
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公开(公告)号：CN113962086A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111234248.0
申请日：2021-10-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种多物理场耦合的声表面波滤波器的计算方法，包括：1)将温度场耦合到压电物理场中，得到不同温度场下声表面波滤波器的数学模型；2)通过有限元技术对该数学模型进行求解，获得单指结构的有限元模型；3)提取单指结构有限元模型的系统矩阵，并通过基于图形加速器加速的有限元分层级联技术，得到不同温度下有限长结构声表面波滤波器的矩阵方程；4)对声表面波滤波器进行电磁计算；5)将4)中获得的电磁数据和3)获得的不同温度下有限长结构声表面波滤波器的矩阵方程进行耦合。本发明耦合了温度场和电磁场的多物理场耦合模型，大大减小了实际设计的声表面波滤波器与封装后的滤波器之间的误差。
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公开(公告)号：CN113930843A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111235905.3
申请日：2021-10-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种基于水平定向凝固法生长晶体的方法，本方法采用单晶炉制备，单晶炉炉内依次形成有用于向坩埚内添加原料的备料区、用于熔融原料的熔料区以及晶体生长的生长区，在单晶炉炉外设有与备料区相连通的加料装置，并通过加料装置向坩埚内添加原料，然后水平移动装有原料的坩埚，使坩埚进入熔料区并使原料熔化；然后移动坩埚回到备料区，重复备料区加料和熔料区熔料，直到原料添加到需要的量并熔化，移动坩埚至生长区，即可进行晶体生长。本发明能够有效保证产品成型厚度，保证产品成型质量及利用率。
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公开(公告)号：CN108873394B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810901082.5
申请日：2018-08-09
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
发明人： 张泽红
摘要： 本发明属于光电子技术领域，具体为一种保偏光纤声光电光器件，包括输入保偏光纤、壳体、输出保偏光纤，所述壳体内设有顺次连接的输入端准直器、起偏器、电光调制器、检偏器、声光调制器、和输出端准直器；输入保偏光纤和输出保偏光纤安装在壳体的外表面；在壳体外表面固定的信号插座通过引线与电光调制器、射频插座与声光调制器连接；本发明将电光调制器和声光调制器结合，利用电光调制器的调制功能实现高速调制，利用声光调制器实现较高的通断消光比。
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公开(公告)号：CN110824462B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911149265.7
申请日：2019-11-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种小型化高可靠低频垂直互联结构，数字电路基板与LTCC射频电路基板平行正对设置，LTCC转接板安装在LTCC射频电路基板朝向数字电路基板的端面上，LTCC转接板与LTCC射频电路基板通过贴合面上设置的焊盘焊接相连，数字电路基板及LTCC转接板背向LTCC射频电路基板的端面上设置有相对应的焊盘，相对应的焊盘通过键合金带相连。本发明采用LTCC（低温共烧陶瓷）工艺设计LTCC转接板及LTCC射频电路基板，能够有效的减小转接板尺寸，实现垂直转接的小型化设计，相比PCB工艺的转接板，能够节省电路空间，缓解电路板走线压力。其次，LTCC转接板及LTCC射频电路基板配合使用，LTCC射频电路基板与裸芯片热匹配度好，高低温可靠性高，满足T/R组件的使用要求。
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公开(公告)号：CN107819449B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201711258998.5
申请日：2017-12-04
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种超宽带声表面波谐振器，包括15°铌酸锂基片，基片上梳状设置有金属指条，金属指条的宽度d与超宽带声表面波谐振器的半个谐振周期p的比值的取值范围为0.28‑0.38，且金属指条的厚度h与超宽带声表面波谐振器的一个谐振周期2p的比值的取值范围为0.08‑0.11。本发明通过对谐振器占空比和镀膜相对厚度的优化，采用在15°铌酸锂材料镀铜的工艺方法实现横向模和瑞利波寄生的有效抑制，使通带波纹限制在1dB范围内，可实现相对带宽20%可工程应用的小型化、超宽带的声表面波滤波器。
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公开(公告)号：CN112609236A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011597255.2
申请日：2020-12-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明属于基础材料领域，涉及晶体生长技术领域，特别涉及一种利用激光环形加热的光纤晶体自动制备系统，包括水冷系统结构、炉体架主体结构、控制结构，水冷系统与炉体结构通过水冷管路相连接，控制结构与其他两部分通过通讯线路及驱动线路相连接并加以控制；炉体架主体结构上安装有光学加热系统、炉膛真空系统、运动系统以及测绘系统，炉膛真空系统内设有朝向束变环装置的密封窗口镜；光学加热系统用于产生激光光束并将该激光光束输入炉膛真空系统；炉膛真空系统中安装有折轴反射及聚焦反射系统；运动系统用于控制馈送棒和籽晶棒进行上下移动；本发明能够产生不同直径和能量密度的激光光束，增强了激光加热系统的可调性。
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公开(公告)号：CN112532203A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011561863.8
申请日：2020-12-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种芯片级封装的声表面波器件锡金阻挡结构及其加工方法，包括金属叉指换能器和金属汇流条，在金属汇流条上设有焊盘，在金属叉指换能器周围设有亲水性锡金阻挡层；在金属汇流条焊盘上分别设有锡金引流条；其加工方法包括如下步骤：1）制作金属叉指换能器、金属汇流条和带锡金引流条的焊盘；2）制作亲水性锡金阻挡层；3）植金属球；4）分割形成芯片；5）将芯片倒装到基板上；6）通过共晶焊方式完成芯片级声表面波器件器件的气密性封装。本发明通过增设锡金引流条和阻挡层结构阻挡熔化后的锡金流动到芯片表面，能够防止熔化后的锡金进入声表面波器件的金属叉指换能器，从而保证产品的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN108318439B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201810220064.0
申请日：2018-03-16
申请人： 中电科技集团重庆声光电有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G01N21/3504 , G01N21/01
摘要： 本发明涉及一种基于椭圆形气室结构的全集成式红外气体传感器，属于气体传感器领域。包括椭圆形集成气室和集成电路模块；所述椭圆形集成气室和集成电路模块通过键合或粘接方式层叠组装；其中，椭圆形集成气室包含气孔层硅基晶圆和光孔层硅基晶圆；气孔层硅基晶圆和光孔层硅基晶圆通过键合或粘接等方式组合形成气室；红外光由红外光源发出，从集成气室的入光孔进入气室内部，与从气孔进入气室内部的待测气体进行作用，后由出光孔射出且经过滤光片后被红外探测器接收，实现特定气体的不同浓度检测。本发明与S型或蛇形气室结构的红外气体传感器相比，红外光的传输效率更高，探测灵敏度更高。
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