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公开(公告)号：CN116455350A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310455755.X
申请日：2023-04-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种具有横向杂波抑制功能的声表面波器件，包括汇流排和指条组件，还包括悬浮块组件，所述指条组件包括沿轴向方向均匀设置的多个指条，所述悬浮块组件包括多个悬浮块部件，所述悬浮块部件与所述指条一一对应，所述悬浮块部件位于所述对应的所述指条和所述汇流排之间，且所述悬浮块部件与对应的所述指条和所述汇流排之间均有间隙。本方案通过将声表面波能量束缚在声表面波器件中心区的方式来减少声表面波在孔径方向上的散射，以此达到对横向杂波模式进行抑制的效果，提高了声表面波器件的性能。
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公开(公告)号：CN116455348A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310407771.1
申请日：2023-04-17
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本发明公开了一种高温度稳定性的声表面波滤波器结构，该结构包括压电衬底和电极层，还包括绝缘层，且所述绝缘层位于所述压电衬底和所述电极层之间，本发明通过在电极层底部增加一定厚度的绝缘层，电极层没有直接接触到压电衬底的表面，和传统的电极层与压电衬底直接接触相比，电学边界条件发生很大变化，电场对各声波模式的激励效率也发生变化，保持主模声波激励效率和Q值(品质因数)的前提下添加一定厚度的绝缘层可抑制杂波模式寄生，同时由于绝缘层的存在，也使得器件的温度稳定性得到了大大的改善。
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公开(公告)号：CN116566353A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310676445.0
申请日：2023-06-08
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本发明公开了一种抑制声表面波器件横向能量泄露的方法，声表面波器件包括压电基底层和电极层，电极层包括两汇流条、叉指和假指；假指和叉指为多个并设置在两汇流条之间形成由正电极、负电极交叉排列的IDT图形；每一汇流条上的任一叉指始终在另一汇流条上有与之正对的假指且两者之间具有间隙。通过增加假指单位长度质量，使之大于叉指单位长度质量，以在假指区域构建声波传播的慢速区域，形成声波横向传播的能量陷阱，阻止声波能量泄露至汇流条区域，从而抑制声表面波器件横向能量泄露。本发明能够将绝大部分声波能量束缚在激励区域内，进一步减小器件的横向能量泄露，提升器件的Q值、降低插入损耗等。
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公开(公告)号：CN113962087A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111234249.5
申请日：2021-10-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种耦合温度场的声表面波谐振器的计算方法，包括如下步骤：步骤1)将温度场耦合到压电物理场中，得到表征不同温度场作用情况下声表面波谐振器多物理场耦合的数学模型；步骤2)通过有限元FEM技术对多物理场耦合的数学模型进行求解，获得耦合温度场量的多物理场声表面波谐振器单指结构的有限元模型；步骤3)提取声表面波谐振器单指结构有限元模型的系统矩阵，通过基于图形加速器加速的有限元分层级联技术，得到不同温度下有限长结构声表面波谐振器的矩阵方程，以实现不同温度下有限长结构声表面波谐振器频响特性曲线的快速计算。本发明能够实现不同温度情况下有限长结构声表面波谐振器的快速精确计算。
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公开(公告)号：CN116436432B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310407762.2
申请日：2023-04-17
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本发明公开了一种小型化的声表面波滤波器结构，该结构包括压电衬底和电极层，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述压电衬底和所述电极层之间并使得所述压电衬底和所述电极层完全分离，且所述绝缘层覆盖所述压电衬底的部分表面。本方案可以激发低声速声波模式，其激发的声速可以降低到900m/s，以此满足P波段、L波段、S波段SAW器件的小型化设计要求，实现器件的小型化设计。
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公开(公告)号：CN116582103A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310455759.8
申请日：2023-04-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种Lamb波声学器件结构，包括电极指条层、压电薄膜层、功能薄膜层和支撑衬底层；所述电极指条层位于所述压电薄膜层表面，所述电极指条层包括沿轴向设置的多个指条；所述压电薄膜层位于所述功能薄膜层表面，所述压电薄膜层包括沿轴向设置的多个压电薄膜组件，所述压电薄膜组件与所述指条一一对应，且所述指条位于对应所述压电薄膜组件的表面；所述功能薄膜层位于所述支撑衬底层表面，且所述压电薄膜层和所述功能薄膜层之间形成压电复合薄膜结构。本方案的Lamb波声学器件能够实现高频带、大带宽，从而更好的满足高速移动通讯的需求，且该结构使用的制备工艺容易实现，易于大规模推广。
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公开(公告)号：CN116436432A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310407762.2
申请日：2023-04-17
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本发明公开了一种小型化的声表面波滤波器结构，该结构包括压电衬底和电极层，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述压电衬底和所述电极层之间并使得所述压电衬底和所述电极层完全分离，且所述绝缘层覆盖所述压电衬底的部分表面。本方案可以激发低声速声波模式，其激发的声速可以降低到900m/s，以此满足P波段、L波段、S波段SAW器件的小型化设计要求，实现器件的小型化设计。
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公开(公告)号：CN113962087B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202111234249.5
申请日：2021-10-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种耦合温度场的声表面波谐振器的计算方法，包括如下步骤：步骤1)将温度场耦合到压电物理场中，得到表征不同温度场作用情况下声表面波谐振器多物理场耦合的数学模型；步骤2)通过有限元FEM技术对多物理场耦合的数学模型进行求解，获得耦合温度场量的多物理场声表面波谐振器单指结构的有限元模型；步骤3)提取声表面波谐振器单指结构有限元模型的系统矩阵，通过基于图形加速器加速的有限元分层级联技术，得到不同温度下有限长结构声表面波谐振器的矩阵方程，以实现不同温度下有限长结构声表面波谐振器频响特性曲线的快速计算。本发明能够实现不同温度情况下有限长结构声表面波谐振器的快速精确计算。
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公开(公告)号：CN115833786A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211673391.4
申请日：2022-12-26
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种S波段窄带压电单晶复合薄膜的声表面波滤波器，包括压电衬底、绝缘层、压电薄膜层和电极层，所述绝缘层设于所述压电衬底和所述压电薄膜层之间，且所述绝缘层的两个端面分别与所述压电衬底和所述压电薄膜层键合为一体，所述电极层设于所述压电薄膜远离所述绝缘层的表面，且所述绝缘层采用能够隔离电流的材料制成。本方案声表面滤波器的声速高于4400m/s，在频率大于2GHz情况下，该结构的Q值高于2000，相对带宽0.1%~1.5%，以满足雷达、卫星通信电子和移动终端对高性能窄带滤波器的要求。
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公开(公告)号：CN115833776A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211672923.2
申请日：2022-12-26
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种超高频宽带声表面波滤波器结构，包括压电衬底、压电薄膜层和电极层，所述压电衬底采用高声阻抗材料制成，所述压电薄膜层设于所述压电衬底上，所述电极层位于所述压电薄膜层上。本发明利用高声阻抗材料制成的压电衬底，束缚于压电薄膜层的声表面波声表模式、声表模式激发条件及声波模式性能均不同于传统声表面波结构。这样使得具体使用时，可根据各声波模式激发条件，利用束缚于压电薄膜层的声表面波选择性地激发出高声速模式，从而有利于实现高频、超高频、高Q值声波模式激发。
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