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公开(公告)号：CN111555732B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010397564.9
申请日：2020-05-12
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本专利涉及一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括硅晶圆以及有机感光膜支撑墙和有机感光膜盖板，在硅晶圆上方形成具有膜层结构的功能芯片；在功能芯片的两肩处形成有向上凸起的焊盘电极；在焊盘电极的周围安装有机感光膜支撑墙，所述有机感光膜支撑墙通过热固化连接在硅晶圆上；在功能芯片正下方设置有功能区下空腔；在所述有机感光膜支撑墙的上方安装有机感光膜盖板，从而在功能芯片上方形成功能区上空腔；在所述有机感光膜盖板以及所述有机感光膜支撑墙上设置有相同圆心不同直径的电极孔，并在电极孔内镀有金属。本专利制备工艺简单、成本较低、适合大规模稳定量产。
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公开(公告)号：CN104803347A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510211321.0
申请日：2015-04-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明提供的Mo基金属薄膜的刻蚀方法，首先在半导体衬底上依次形成SiO2绝缘层、硅基介质层、AlN层和Mo基金属层；然后对形成SiO2绝缘层、硅基介质层、AlN层、Mo基金属层后的半导体衬底进行光刻工艺；其次采用干法刻蚀工艺对Mo基金属层进行刻蚀，刻蚀后的图形角度为10至45°；最后采用干法去胶和湿法去胶，清洗处理。本发明采用干法刻蚀小角度Mo基薄膜图形，与大角度图形相比，具有更好的台阶覆盖性和有益于优质AlN薄膜的生长，可促进FBAR器件性能的提高。
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公开(公告)号：CN118713616A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410679131.0
申请日：2024-05-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H03H3/08
摘要： 本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种多工器的制作方法；该方法包括：在衬底上进行IDT镀膜操作；在IDT镀膜后的器件上进行光刻和刻蚀操作；在器件上进行IDT光刻操作，形成IDT图案；根据IDT图案对器件进行IDT刻蚀操作，得到制作完成的IDT结构；基于IDT结构制作完成多工器；本发明可避免多次IDT光刻和镀膜导致的套刻精度和接触电阻问题，减少因多次IDT光刻和镀膜对器件带来的性能恶化影响，有效提升工艺制作成功率及器件性能。
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公开(公告)号：CN104803347B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201510211321.0
申请日：2015-04-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明提供的Mo基金属薄膜的刻蚀方法，首先在半导体衬底上依次形成SiO2绝缘层、硅基介质层、AlN层和Mo基金属层；然后对形成SiO2绝缘层、硅基介质层、AlN层、Mo基金属层后的半导体衬底进行光刻工艺；其次采用干法刻蚀工艺对Mo基金属层进行刻蚀，刻蚀后的图形角度为10至45°；最后采用干法去胶和湿法去胶，清洗处理。本发明采用干法刻蚀小角度Mo基薄膜图形，与大角度图形相比，具有更好的台阶覆盖性和有益于优质AlN薄膜的生长，可促进FBAR器件性能的提高。
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公开(公告)号：CN116582103A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310455759.8
申请日：2023-04-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种Lamb波声学器件结构，包括电极指条层、压电薄膜层、功能薄膜层和支撑衬底层；所述电极指条层位于所述压电薄膜层表面，所述电极指条层包括沿轴向设置的多个指条；所述压电薄膜层位于所述功能薄膜层表面，所述压电薄膜层包括沿轴向设置的多个压电薄膜组件，所述压电薄膜组件与所述指条一一对应，且所述指条位于对应所述压电薄膜组件的表面；所述功能薄膜层位于所述支撑衬底层表面，且所述压电薄膜层和所述功能薄膜层之间形成压电复合薄膜结构。本方案的Lamb波声学器件能够实现高频带、大带宽，从而更好的满足高速移动通讯的需求，且该结构使用的制备工艺容易实现，易于大规模推广。
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公开(公告)号：CN118508908A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410628173.1
申请日：2024-05-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H03H3/08
摘要： 本发明属于声表面波滤波器器件制造技术领域，具体涉及一种声表面滤波器的退火烘烤方法，包括：将声表面滤波器的烘烤温度从室温25℃升温至180℃，并在温度180℃下进行保温；保温结束后，将温度从180℃升温至280℃，并在温度280℃下进行保温；保温结束后，将温度从280℃升温至350℃，并在温度350℃下进行保温；保温结束后，将烘烤温度从350℃降温至室温25℃；本发明通过调整退火烘烤的升温时间、温度和降温时间来改善不同金属间界面电阻及调整金属内部组织，最终减小滤波器插损和扩大带宽，从而扩大产品工艺余量，提高探针产出率和晶圆良率，减少晶圆返工率。
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公开(公告)号：CN117938102A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410112160.9
申请日：2024-01-26
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H03H3/08 , H03H9/02 , H10N30/081 , H10N30/082
摘要： 本发明属于滤波器领域，具体涉及一种声表面波滤波器制造方法；该方法包括：在衬底上进行IDT层制作；在IDT层上进行调频层制作；在调频层上进行电极加厚层镀膜；采用湿法剥离工艺将镀膜后的器件存留的光刻胶及光刻胶上的金属去除干净，得到制作好的声表面波滤波器；本发明减少一层光刻，提升了生产效率；且可减少掩膜版的使用，降低了成本，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116781031A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310455760.0
申请日：2023-04-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种高性能Lamb波声学器件结构，包括电极指条层、压电薄膜层、功能薄膜层和支撑衬底层；所述电极指条层位于所述压电薄膜层表面上；所述压电薄膜层位于所述功能薄膜层表面上，所述压电薄膜层沿轴向方向的尺寸与所述功能薄膜层沿轴向方向的尺寸相适应，且所述压电薄膜层和所述功能薄膜层形成压电复合薄膜结构；所述功能薄膜层位于所述支撑衬底层上。本方案的Lamb波声学器件能够实现高频带、大带宽，从而更好的满足高速移动通讯的需求，且该结构使用的制备工艺容易实现，易于大规模推广。
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公开(公告)号：CN116633302A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310455756.4
申请日：2023-04-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法，该结构包括汇流排、假指、间隙和指条组件，所述指条组件整体呈类鱼刺形结构。本发明通过对汇流排、假指、间隙、鱼刺形指条组件结构的优化，实现了有效抑制各阶次杂波模式寄生的同时，还可激发高Q值声波模式。由此，有利于实现声表面波器件的低损耗、通带高平坦度等性能，满足了高速移动通讯等终端对高性能表面波器件的要求，且该结构使用的制备工艺容易实现，易于大规模推广。
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公开(公告)号：CN116505907A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310455761.5
申请日：2023-04-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种Lamb波声学器件杂波模式抑制结构，包括电极指条层、压电薄膜层和支撑衬底层，所述电极指条层包括汇流排和指条，所述电极指条层位于所述压电薄膜层上，所述压电薄膜层位于所述支撑衬底层上，所述支撑衬底层包括沿轴向设置的两个支撑衬底，两个所述支撑衬底沿轴向方向设置在所述压电薄膜层的两端，且所述支撑衬底靠近所述压电薄膜层外侧的端面与所述压电薄膜层的外端面齐平，所述支撑衬底靠近所述压电薄膜层内侧的端面位于所述指条末端端面的下方。本发明能提高对杂波模式的抑制效果，进而实现低损耗、高平坦度等高性能Lamb波声学器件设计。
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