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公开(公告)号：CN111555732A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010397564.9
申请日：2020-05-12
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本专利涉及一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括硅晶圆以及有机感光膜支撑墙和有机感光膜盖板，在硅晶圆上方形成具有膜层结构的功能芯片；在功能芯片的两肩处形成有向上凸起的焊盘电极；在焊盘电极的周围安装有机感光膜支撑墙，所述有机感光膜支撑墙通过热固化连接在硅晶圆上；在功能芯片正下方设置有功能区下空腔；在所述有机感光膜支撑墙的上方安装有机感光膜盖板，从而在功能芯片上方形成功能区上空腔；在所述有机感光膜盖板以及所述有机感光膜支撑墙上设置有相同圆心不同直径的电极孔，并在电极孔内镀有金属。本专利制备工艺简单、成本较低、适合大规模稳定量产。
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公开(公告)号：CN112803915A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110017007.4
申请日：2021-01-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明属于薄膜体声波滤波器工艺技术领域，具体涉及一种温度补偿型薄膜体滤波器及膜层制备方法，该滤波器的电路结构包括串联谐振器和并联谐振器，谐振器的膜层结构包括硅晶圆衬底，在硅晶圆衬底的中央开设有空腔；串联谐振器的膜层结构还包括在所述硅晶圆衬底上依次制备下电极、压电层、上电极、温补层以及保护层；并联谐振器的膜层结构还包括在所述硅晶圆衬底上依次制备下电极、压电层、上电极、加厚层、温补层以及保护层；本发明采用直接在上电极上生长温补层，压电层直接淀积于下电极之上，避免了压电层直接生长在二氧化硅薄膜上；在上电极上生长温补层不影响压电层的取向和有效机电耦合系数，可降低对薄膜体声波滤波器性能的影响。
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公开(公告)号：CN114978095A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210538575.3
申请日：2022-05-18
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本申请涉及一种温度补偿型薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器，属于薄膜体声波滤波器设计技术领域；所述谐振器包括第一衬底和压电叠层结构，所述第一衬底的顶部设置有第一空腔；所述压电叠层结构位于所述第一衬底上，所述压电叠层结构从下至上包括种子层、底电极、粘附层、温补层、压电层、顶电极和保护层；在所述温补层的周围边缘设置有第二空腔；本发明在温补层边缘处制作有空气桥和空气隙，由于空气桥和空气隙与压电层、温补层、下电极和粘附层的声阻抗不同，且空气的声阻抗较小，所以不同的声阻抗可对横波在压电层和温补层的边缘和台阶处进行多次反射，进而减少声能量损失，提高Q值。
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公开(公告)号：CN113962089A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111235937.3
申请日：2021-10-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种基于精确理论解的声表面波滤波器的设计方法，包括：1)将温度场耦合到压电物理场中，得到多物理场耦合的数学模型；2)通过有限元技术对数学模型进行求解，获得单指结构的有限元模型；3)提取系统矩阵，并通过基于图形加速器加速的有限元分层级联技术，得到矩阵方程；4)电磁计算，获得电磁数据；5)将电磁数据和矩阵方程进行耦合，以得到频响特性；6)利用生物智能优化算法，根据目标函数进行优化搜索，计算并输出声表面波滤波器的优化数据。本发明耦合了温度场和电磁场的多物理场耦合模型，同时能够对设计出的声表面滤波器的性能参数进行进一步的优化设计，减小了设计出的声表面滤波器性能参数与产品之间的误差。
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公开(公告)号：CN114978095B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210538575.3
申请日：2022-05-18
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本申请涉及一种温度补偿型薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器，属于薄膜体声波滤波器设计技术领域；所述谐振器包括第一衬底和压电叠层结构，所述第一衬底的顶部设置有第一空腔；所述压电叠层结构位于所述第一衬底上，所述压电叠层结构从下至上包括种子层、底电极、粘附层、温补层、压电层、顶电极和保护层；在所述温补层的周围边缘设置有第二空腔；本发明在温补层边缘处制作有空气桥和空气隙，由于空气桥和空气隙与压电层、温补层、下电极和粘附层的声阻抗不同，且空气的声阻抗较小，所以不同的声阻抗可对横波在压电层和温补层的边缘和台阶处进行多次反射，进而减少声能量损失，提高Q值。
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公开(公告)号：CN113962089B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202111235937.3
申请日：2021-10-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种基于精确理论解的声表面波滤波器的设计方法，包括：1)将温度场耦合到压电物理场中，得到多物理场耦合的数学模型；2)通过有限元技术对数学模型进行求解，获得单指结构的有限元模型；3)提取系统矩阵，并通过基于图形加速器加速的有限元分层级联技术，得到矩阵方程；4)电磁计算，获得电磁数据；5)将电磁数据和矩阵方程进行耦合，以得到频响特性；6)利用生物智能优化算法，根据目标函数进行优化搜索，计算并输出声表面波滤波器的优化数据。本发明耦合了温度场和电磁场的多物理场耦合模型，同时能够对设计出的声表面滤波器的性能参数进行进一步的优化设计，减小了设计出的声表面滤波器性能参数与产品之间的误差。
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公开(公告)号：CN111555732B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010397564.9
申请日：2020-05-12
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本专利涉及一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括硅晶圆以及有机感光膜支撑墙和有机感光膜盖板，在硅晶圆上方形成具有膜层结构的功能芯片；在功能芯片的两肩处形成有向上凸起的焊盘电极；在焊盘电极的周围安装有机感光膜支撑墙，所述有机感光膜支撑墙通过热固化连接在硅晶圆上；在功能芯片正下方设置有功能区下空腔；在所述有机感光膜支撑墙的上方安装有机感光膜盖板，从而在功能芯片上方形成功能区上空腔；在所述有机感光膜盖板以及所述有机感光膜支撑墙上设置有相同圆心不同直径的电极孔，并在电极孔内镀有金属。本专利制备工艺简单、成本较低、适合大规模稳定量产。
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公开(公告)号：CN114244312A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111613630.2
申请日：2021-12-27
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种FBAR滤波器电路结构，一种FBAR滤波器电路结构，其特征在于：包括滤波模块和陷波模块，所述陷波模块与滤波模块的输入端或输出端相连，用于在FBAR滤波器电路的阻带形成一个传输零点。本发明通过采用串联的陷波模块和滤波模块，其中的陷波模块可以在FBAR滤波器电路的阻带形成一个传输零点，从而可以提高带外抑制，通过调整陷波模块中第一谐振器的谐振频率，能够准确控制FBAR滤波器电路传输零点的位置。
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