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公开(公告)号：CN114978095A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210538575.3
申请日：2022-05-18
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本申请涉及一种温度补偿型薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器，属于薄膜体声波滤波器设计技术领域；所述谐振器包括第一衬底和压电叠层结构，所述第一衬底的顶部设置有第一空腔；所述压电叠层结构位于所述第一衬底上，所述压电叠层结构从下至上包括种子层、底电极、粘附层、温补层、压电层、顶电极和保护层；在所述温补层的周围边缘设置有第二空腔；本发明在温补层边缘处制作有空气桥和空气隙，由于空气桥和空气隙与压电层、温补层、下电极和粘附层的声阻抗不同，且空气的声阻抗较小，所以不同的声阻抗可对横波在压电层和温补层的边缘和台阶处进行多次反射，进而减少声能量损失，提高Q值。
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公开(公告)号：CN110729979A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910937624.9
申请日：2019-09-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 电子科技大学
摘要： 本发明属于声波滤波器技术领域，涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构；封装方法包括在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片；将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，针对外部引线制作出相应的导通孔；将芯片和金属图形正对后进行金属键合，并形成键合层金属，从导通孔连接至晶圆；在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层再进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除以外的金属种子层；再制作外电极和外部电路结构，在外电极表面制作外部焊球。本发明通过金属键合，使器件内部与外部形成了隔绝的两个部分，从而保护裸芯片表面不被污染以及密封的效果能满足气密封的要求，保护了薄膜体声波滤波器件的工作面，使器件可以正常工作。
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公开(公告)号：CN105161981A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510261797.5
申请日：2015-05-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明提供的高压开关柜内温度传感器的固定结构，固定头上具有直径和触头外直径相等的圆柱形空腔，触头穿过圆柱形空腔安装在固定头上；固定头的上端还设有贯穿固定头内外表面的安装腔，导热垫片、电路板和温度传感器芯片依次安装在安装腔中，且导热垫片靠近安装腔下端的开口处设置。该固定结构，固定头能够可靠地固定温度传感器与触头。本发明还提供了该固定结构的装配方法，首先将导热垫片、电路板和温度传感器芯片依次安装在安装腔中；然后将两连接块安装在连接槽中，并用螺栓进行连接；最后将触头穿过圆柱形空腔设置，旋转螺母固定。该装配方法，过程简单，易于操作，且能够灵活调整固定头与触头的紧固程度。
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公开(公告)号：CN110729979B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910937624.9
申请日：2019-09-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 电子科技大学
摘要： 本发明属于声波滤波器技术领域，涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构；封装方法包括在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片；将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，针对外部引线制作出相应的导通孔；将芯片和金属图形正对后进行金属键合，并形成键合层金属，从导通孔连接至晶圆；在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层再进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除以外的金属种子层；再制作外电极和外部电路结构，在外电极表面制作外部焊球。本发明通过金属键合，使器件内部与外部形成了隔绝的两个部分，从而保护裸芯片表面不被污染以及密封的效果能满足气密(56)对比文件US 2010301703 A1,2010.12.02P.R. Morrow 等.Three-dimensionalwafer stacking via Cu-Cu bondingintegrated with 65-nm strained-Si/low-kCMOS technology《.IEEE Electron DeviceLetters》.2006,第27卷(第5期),335-337.Steen, S.E.a 等.Overlay as the key todrive wafer scale 3D integration.《Microelectronic Engineering》.2007,第84卷(第5-8期),1412-1415.陈永星 等.X波段铁氧体微带环行器阵列封装设计与仿真《.磁性材料及器件》.2019,第50卷(第3期),25-28+69.王祥邦 等.基于晶圆级封装技术的声表面波滤波器《.电子与封装》.2019,第19卷(第7期),1-3+32.肖立 等.晶圆级封装对声表滤波器性能的影响《.压电与声光》.2016,第38卷(第4期),628-632.
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公开(公告)号：CN110460320A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910720371.X
申请日：2019-08-06
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明属于薄膜体声波滤波器工艺技术领域，具体提出了一种膜层结构、其制造方法及包括该膜层结构的滤波器；所述膜层结构包括衬底，在衬底的顶部开设有一空腔，在衬底的上方制备有复合上电极和复合下电极，在复合上、下电极之间设置有压电层；所述复合上电极包括从上至下设置的上电极、第一温度补偿层以及上电极插入层；所述复合下电极包括从上至下设置的下电极插入层、第二温度补偿层以及下电极。通过本发明提出的膜层结构，有利于压电薄膜C轴择优取向生长，得到取向性好、晶粒生长完整的压电薄膜，另外能够保证采用该膜层结构的滤波器具有较低的插入损耗以及保持带宽稳定。
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公开(公告)号：CN107834989A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711090078.7
申请日：2017-11-08
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H03H9/02
CPC分类号： H03H9/02102
摘要： 本发明公开了一种应用于薄膜体声波器件的高散热陶瓷外壳结构，在外壳内外表面设有顶部焊盘和底部焊盘，薄膜体声波芯片通过倒装焊工艺与顶部焊盘焊接。在外壳与薄膜体声波芯片对应的区域沿厚度方向设有若干贯通的热阱，热阱内填充有导热金属以形成导热柱，热阱两端形成有横截面大于热阱横截面的金属盘，两端的金属盘与导热柱一体成型。在外壳上还设有若干上下贯通的结构通孔，在结构通孔内填充有金属以形成应力匹配柱。本发明通过热阱结构，提升外壳的散热效能，解决了薄膜体声波器件在高功率工作下的散热问题。通过结构通孔将金属和陶瓷的比例进行合理调配，使陶瓷外壳在烧结的时候不会出现应力失配的情况。
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公开(公告)号：CN105161981B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510261797.5
申请日：2015-05-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明提供的高压开关柜内温度传感器的固定结构，固定头上具有直径和触头外直径相等的圆柱形空腔，触头穿过圆柱形空腔安装在固定头上；固定头的上端还设有贯穿固定头内外表面的安装腔，导热垫片、电路板和温度传感器芯片依次安装在安装腔中，且导热垫片靠近安装腔下端的开口处设置。该固定结构，固定头能够可靠地固定温度传感器与触头。本发明还提供了该固定结构的装配方法，首先将导热垫片、电路板和温度传感器芯片依次安装在安装腔中；然后将两连接块安装在连接槽中，并用螺栓进行连接；最后将触头穿过圆柱形空腔设置，旋转螺母固定。该装配方法，过程简单，易于操作，且能够灵活调整固定头与触头的紧固程度。
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公开(公告)号：CN114978095B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210538575.3
申请日：2022-05-18
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本申请涉及一种温度补偿型薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器，属于薄膜体声波滤波器设计技术领域；所述谐振器包括第一衬底和压电叠层结构，所述第一衬底的顶部设置有第一空腔；所述压电叠层结构位于所述第一衬底上，所述压电叠层结构从下至上包括种子层、底电极、粘附层、温补层、压电层、顶电极和保护层；在所述温补层的周围边缘设置有第二空腔；本发明在温补层边缘处制作有空气桥和空气隙，由于空气桥和空气隙与压电层、温补层、下电极和粘附层的声阻抗不同，且空气的声阻抗较小，所以不同的声阻抗可对横波在压电层和温补层的边缘和台阶处进行多次反射，进而减少声能量损失，提高Q值。
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公开(公告)号：CN114244312A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111613630.2
申请日：2021-12-27
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种FBAR滤波器电路结构，一种FBAR滤波器电路结构，其特征在于：包括滤波模块和陷波模块，所述陷波模块与滤波模块的输入端或输出端相连，用于在FBAR滤波器电路的阻带形成一个传输零点。本发明通过采用串联的陷波模块和滤波模块，其中的陷波模块可以在FBAR滤波器电路的阻带形成一个传输零点，从而可以提高带外抑制，通过调整陷波模块中第一谐振器的谐振频率，能够准确控制FBAR滤波器电路传输零点的位置。
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公开(公告)号：CN107733397A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711090032.5
申请日：2017-11-08
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/172
摘要： 本发明公开了一种应用于薄膜体声波器件的多层键合系统集成封装结构，包括上下依次叠放的底层、中间层和顶层，其中中间层为一层或者多层，每层的基体材料为硅基板，相邻两层之间的硅基板通过键合工艺连接为一体。在部分硅基板上开设有容置腔，容置腔内安装有芯片，芯片通过硅基板上的导通孔进行需要的电路连接。本发明利用多层键合工艺，形成一个适用于系统集成的外壳结构，将FBAR器件和其他的器件进行有机组合，达到系统级封装的目的，从而简化封装工艺、提高效率，实现器件小型化。
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