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公开(公告)号：CN114978095B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210538575.3
申请日：2022-05-18
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本申请涉及一种温度补偿型薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器，属于薄膜体声波滤波器设计技术领域；所述谐振器包括第一衬底和压电叠层结构，所述第一衬底的顶部设置有第一空腔；所述压电叠层结构位于所述第一衬底上，所述压电叠层结构从下至上包括种子层、底电极、粘附层、温补层、压电层、顶电极和保护层；在所述温补层的周围边缘设置有第二空腔；本发明在温补层边缘处制作有空气桥和空气隙，由于空气桥和空气隙与压电层、温补层、下电极和粘附层的声阻抗不同，且空气的声阻抗较小，所以不同的声阻抗可对横波在压电层和温补层的边缘和台阶处进行多次反射，进而减少声能量损失，提高Q值。
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公开(公告)号：CN115242204A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210884189.X
申请日：2022-07-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本专利涉及一种薄膜体声波滤波器气密性晶圆级封装结构和封装方法，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括功能晶圆和玻璃晶圆，所述功能晶圆与所述玻璃晶圆通过阳极键合连接；所述功能晶圆包括硅衬底，所述硅衬底上开设有空腔，在所述硅衬底上设置有掩埋所述空腔的膜层结构，在所述膜层结构的两肩处形成有向上凸起的焊盘电极；所述玻璃晶圆上开设有凹槽并形成封盖，所述封盖覆盖所述焊盘电极和所述膜层结构，且通过盖沿与功能晶圆连接；在所述封盖的顶盖处开设有盲孔，在所述盲孔内填充有电镀的金属材料，将所述焊盘电极从盲孔引出；本专利采用硅和玻璃进行阳极键合，降低工艺难度，同时节约成本。
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公开(公告)号：CN111555732B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010397564.9
申请日：2020-05-12
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本专利涉及一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括硅晶圆以及有机感光膜支撑墙和有机感光膜盖板，在硅晶圆上方形成具有膜层结构的功能芯片；在功能芯片的两肩处形成有向上凸起的焊盘电极；在焊盘电极的周围安装有机感光膜支撑墙，所述有机感光膜支撑墙通过热固化连接在硅晶圆上；在功能芯片正下方设置有功能区下空腔；在所述有机感光膜支撑墙的上方安装有机感光膜盖板，从而在功能芯片上方形成功能区上空腔；在所述有机感光膜盖板以及所述有机感光膜支撑墙上设置有相同圆心不同直径的电极孔，并在电极孔内镀有金属。本专利制备工艺简单、成本较低、适合大规模稳定量产。
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公开(公告)号：CN114244312A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111613630.2
申请日：2021-12-27
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种FBAR滤波器电路结构，一种FBAR滤波器电路结构，其特征在于：包括滤波模块和陷波模块，所述陷波模块与滤波模块的输入端或输出端相连，用于在FBAR滤波器电路的阻带形成一个传输零点。本发明通过采用串联的陷波模块和滤波模块，其中的陷波模块可以在FBAR滤波器电路的阻带形成一个传输零点，从而可以提高带外抑制，通过调整陷波模块中第一谐振器的谐振频率，能够准确控制FBAR滤波器电路传输零点的位置。
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公开(公告)号：CN110729979B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910937624.9
申请日：2019-09-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 电子科技大学
摘要： 本发明属于声波滤波器技术领域，涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构；封装方法包括在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片；将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，针对外部引线制作出相应的导通孔；将芯片和金属图形正对后进行金属键合，并形成键合层金属，从导通孔连接至晶圆；在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层再进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除以外的金属种子层；再制作外电极和外部电路结构，在外电极表面制作外部焊球。本发明通过金属键合，使器件内部与外部形成了隔绝的两个部分，从而保护裸芯片表面不被污染以及密封的效果能满足气密(56)对比文件US 2010301703 A1,2010.12.02P.R. Morrow 等.Three-dimensionalwafer stacking via Cu-Cu bondingintegrated with 65-nm strained-Si/low-kCMOS technology《.IEEE Electron DeviceLetters》.2006,第27卷(第5期),335-337.Steen, S.E.a 等.Overlay as the key todrive wafer scale 3D integration.《Microelectronic Engineering》.2007,第84卷(第5-8期),1412-1415.陈永星 等.X波段铁氧体微带环行器阵列封装设计与仿真《.磁性材料及器件》.2019,第50卷(第3期),25-28+69.王祥邦 等.基于晶圆级封装技术的声表面波滤波器《.电子与封装》.2019,第19卷(第7期),1-3+32.肖立 等.晶圆级封装对声表滤波器性能的影响《.压电与声光》.2016,第38卷(第4期),628-632.
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公开(公告)号：CN110649909B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201910937621.5
申请日：2019-09-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 电子科技大学
摘要： 本发明属于声表面波滤波器晶圆封装技术领域，具体涉及一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构，所述结构包括功能晶圆和有机感光膜盖板，在功能晶圆的中央包括多个工作面朝向相同的功能芯片；有机感光膜盖板位于功能晶圆的正上方，在有机感光膜盖板的四周向下叠放有多层台阶，其中，距离有机感光膜盖板最近的为第一层台阶，第一层台阶为有机感光膜台阶、第二层台阶为焊盘电极，且所述焊盘电极固定在功能晶圆上；在盖板的部分上表面、外表面以及每一层台阶的外表面制备有连续导通的金属种子层；在盖板的部分上表面的金属种子层上还包括外部焊球。本发明通过有机感光膜的方式避免了键合和刻蚀过程造成的裂片，缩短了工艺流程，降低了加工成本。
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公开(公告)号：CN110460320A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910720371.X
申请日：2019-08-06
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明属于薄膜体声波滤波器工艺技术领域，具体提出了一种膜层结构、其制造方法及包括该膜层结构的滤波器；所述膜层结构包括衬底，在衬底的顶部开设有一空腔，在衬底的上方制备有复合上电极和复合下电极，在复合上、下电极之间设置有压电层；所述复合上电极包括从上至下设置的上电极、第一温度补偿层以及上电极插入层；所述复合下电极包括从上至下设置的下电极插入层、第二温度补偿层以及下电极。通过本发明提出的膜层结构，有利于压电薄膜C轴择优取向生长，得到取向性好、晶粒生长完整的压电薄膜，另外能够保证采用该膜层结构的滤波器具有较低的插入损耗以及保持带宽稳定。
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公开(公告)号：CN111277240B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010154050.0
申请日：2020-03-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明属于薄膜体声波滤波器工艺技术领域，具体涉及一种薄膜体声波滤波器的膜层结构及其制备方法；所述膜层结构包括硅晶圆衬底，在所述硅晶圆衬底的中央开设有空腔，在所述硅晶圆衬底上依次制备支撑层、下电极、压电层、上电极、保护层以及加厚层；所述下电极的厚度为50～350nm；所述压电层为氮化铝，其厚度为300～1000nm；所述上电极的厚度为50～350nm；所述加厚层为氮化硅，其厚度为30～300nm；本发明在不改变滤波器性能的情况下采用氮化硅代替钼，可以增加加厚层的厚度，减小工艺难度，提高膜厚的精度，进而提高滤波器的高频性能；另外，本发明在保护层上制作加厚层，可避免对电极的影响和滤波器性能的影响。
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公开(公告)号：CN112865743A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110017097.7
申请日：2021-01-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明涉及薄膜体声波滤波器工艺技术领域，具体涉及一种低温漂薄膜体声波滤波器的膜层结构及制备方法，包括硅晶圆衬底，所述硅晶圆衬底的中央开设有空腔，在所述硅晶圆衬底上依次制备下电极、压电层、上电极1、温补层、上电极和保护层，所述温补层设置于上电极1和上电极之间，且温补层包裹于上电极1。采用复合上电极的膜层结构，在常规上电极中插入温补层，进而影响压电材料的取向变差，使压电材料的有效机电耦合系数下降；复合上电极不影响压电层的取向和有效机电耦合系数，可降低对薄膜体声波滤波器性能的影响。
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公开(公告)号：CN112803915A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110017007.4
申请日：2021-01-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明属于薄膜体声波滤波器工艺技术领域，具体涉及一种温度补偿型薄膜体滤波器及膜层制备方法，该滤波器的电路结构包括串联谐振器和并联谐振器，谐振器的膜层结构包括硅晶圆衬底，在硅晶圆衬底的中央开设有空腔；串联谐振器的膜层结构还包括在所述硅晶圆衬底上依次制备下电极、压电层、上电极、温补层以及保护层；并联谐振器的膜层结构还包括在所述硅晶圆衬底上依次制备下电极、压电层、上电极、加厚层、温补层以及保护层；本发明采用直接在上电极上生长温补层，压电层直接淀积于下电极之上，避免了压电层直接生长在二氧化硅薄膜上；在上电极上生长温补层不影响压电层的取向和有效机电耦合系数，可降低对薄膜体声波滤波器性能的影响。
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