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公开(公告)号：CN110729979A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910937624.9
申请日：2019-09-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 电子科技大学
摘要： 本发明属于声波滤波器技术领域，涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构；封装方法包括在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片；将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，针对外部引线制作出相应的导通孔；将芯片和金属图形正对后进行金属键合，并形成键合层金属，从导通孔连接至晶圆；在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层再进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除以外的金属种子层；再制作外电极和外部电路结构，在外电极表面制作外部焊球。本发明通过金属键合，使器件内部与外部形成了隔绝的两个部分，从而保护裸芯片表面不被污染以及密封的效果能满足气密封的要求，保护了薄膜体声波滤波器件的工作面，使器件可以正常工作。
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公开(公告)号：CN110649909A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910937621.5
申请日：2019-09-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 电子科技大学
摘要： 本发明属于声表面波滤波器晶圆封装技术领域，具体涉及一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构，所述结构包括功能晶圆和有机感光膜盖板，在功能晶圆的中央包括多个工作面朝向相同的功能芯片；有机感光膜盖板位于功能晶圆的正上方，在有机感光膜盖板的四周向下叠放有多层台阶，其中，距离有机感光膜盖板最近的为第一层台阶，第一层台阶为有机感光膜台阶、第二层台阶为焊盘电极，且所述焊盘电极固定在功能晶圆上；在盖板的部分上表面、外表面以及每一层台阶的外表面制备有连续导通的金属种子层；在盖板的部分上表面的金属种子层上还包括外部焊球。本发明通过有机感光膜的方式避免了键合和刻蚀过程造成的裂片，缩短了工艺流程，降低了加工成本。
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公开(公告)号：CN110729979B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910937624.9
申请日：2019-09-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 电子科技大学
摘要： 本发明属于声波滤波器技术领域，涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构；封装方法包括在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片；将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，针对外部引线制作出相应的导通孔；将芯片和金属图形正对后进行金属键合，并形成键合层金属，从导通孔连接至晶圆；在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层再进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除以外的金属种子层；再制作外电极和外部电路结构，在外电极表面制作外部焊球。本发明通过金属键合，使器件内部与外部形成了隔绝的两个部分，从而保护裸芯片表面不被污染以及密封的效果能满足气密(56)对比文件US 2010301703 A1,2010.12.02P.R. Morrow 等.Three-dimensionalwafer stacking via Cu-Cu bondingintegrated with 65-nm strained-Si/low-kCMOS technology《.IEEE Electron DeviceLetters》.2006,第27卷(第5期),335-337.Steen, S.E.a 等.Overlay as the key todrive wafer scale 3D integration.《Microelectronic Engineering》.2007,第84卷(第5-8期),1412-1415.陈永星 等.X波段铁氧体微带环行器阵列封装设计与仿真《.磁性材料及器件》.2019,第50卷(第3期),25-28+69.王祥邦 等.基于晶圆级封装技术的声表面波滤波器《.电子与封装》.2019,第19卷(第7期),1-3+32.肖立 等.晶圆级封装对声表滤波器性能的影响《.压电与声光》.2016,第38卷(第4期),628-632.
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公开(公告)号：CN110649909B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201910937621.5
申请日：2019-09-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 电子科技大学
摘要： 本发明属于声表面波滤波器晶圆封装技术领域，具体涉及一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构，所述结构包括功能晶圆和有机感光膜盖板，在功能晶圆的中央包括多个工作面朝向相同的功能芯片；有机感光膜盖板位于功能晶圆的正上方，在有机感光膜盖板的四周向下叠放有多层台阶，其中，距离有机感光膜盖板最近的为第一层台阶，第一层台阶为有机感光膜台阶、第二层台阶为焊盘电极，且所述焊盘电极固定在功能晶圆上；在盖板的部分上表面、外表面以及每一层台阶的外表面制备有连续导通的金属种子层；在盖板的部分上表面的金属种子层上还包括外部焊球。本发明通过有机感光膜的方式避免了键合和刻蚀过程造成的裂片，缩短了工艺流程，降低了加工成本。
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公开(公告)号：CN108512525A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810349548.5
申请日：2018-04-18
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本申请公开了一种声表面横波谐振滤波器，包括压电石英基片，其特征在于，压电石英基片上的依次梳状设置有第一反射器、第一换能器、中间短路栅、第二换能器及第二反射器作为压电石英基片的拓扑结构，第一换能器的两端分别设置有第一电极及第二电极，第二换能器的两端分别设置有第三电极及第四电极，其中：第一反射器及第二反射器的指条宽度大于指条之间间隙宽度，中间短路栅的指条宽度等于指条之间间隙宽度，第一换能器及第二换能器的指条宽度等于指条之间间隙宽度。本申请公开了作为滤波器应用的一种声表面横波谐振滤波器，与现有的滤波器相比具有通带宽、带内平坦度好、带内波动小的优点，满足了对高性能滤波器的要求。
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公开(公告)号：CN102122941B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201110063371.0
申请日：2011-03-16
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法，涉及一种频率可调谐的谐振器及制作方法，包括带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器，谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极，底电极靠预设空腔一侧设置有SOI调谐层，通过控制腐蚀时间控制SOI调谐层的厚度，带空腔SOI基片中的衬底硅片表面设置沟槽，键合后衬底硅片与顶层硅形成封闭的空腔结构；由于采用预设的空腔结构，本发明无牺牲层，无需国外专利及其产品中处理牺牲层采用的化学机械抛光工艺和牺牲层释放工艺，同时本发明综合了SOI材料所具有的源、漏寄生电容小和低电压低功耗等优点，本发明能与IC兼容，易于集成，工艺简单，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN108512525B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201810349548.5
申请日：2018-04-18
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本申请公开了一种声表面横波谐振滤波器，包括压电石英基片，其特征在于，压电石英基片上的依次梳状设置有第一反射器、第一换能器、中间短路栅、第二换能器及第二反射器作为压电石英基片的拓扑结构，第一换能器的两端分别设置有第一电极及第二电极，第二换能器的两端分别设置有第三电极及第四电极，其中：第一反射器及第二反射器的指条宽度大于指条之间间隙宽度，中间短路栅的指条宽度等于指条之间间隙宽度，第一换能器及第二换能器的指条宽度等于指条之间间隙宽度。本申请公开了作为滤波器应用的一种声表面横波谐振滤波器，与现有的滤波器相比具有通带宽、带内平坦度好、带内波动小的优点，满足了对高性能滤波器的要求。
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公开(公告)号：CN110460320A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910720371.X
申请日：2019-08-06
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明属于薄膜体声波滤波器工艺技术领域，具体提出了一种膜层结构、其制造方法及包括该膜层结构的滤波器；所述膜层结构包括衬底，在衬底的顶部开设有一空腔，在衬底的上方制备有复合上电极和复合下电极，在复合上、下电极之间设置有压电层；所述复合上电极包括从上至下设置的上电极、第一温度补偿层以及上电极插入层；所述复合下电极包括从上至下设置的下电极插入层、第二温度补偿层以及下电极。通过本发明提出的膜层结构，有利于压电薄膜C轴择优取向生长，得到取向性好、晶粒生长完整的压电薄膜，另外能够保证采用该膜层结构的滤波器具有较低的插入损耗以及保持带宽稳定。
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公开(公告)号：CN103424997B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310388343.5
申请日：2013-08-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种光刻工艺的显影方法，包括：旋转步骤：以第一速度旋转声表面波晶片；第一次滴注步骤：移动显影液手臂至所述声表面波晶片的边缘处并开始滴注显影液；移动步骤：将显影液手臂从声表面波晶片的边缘移动至声表面波晶片的中心位置；第二次滴注步骤：保持显影液手臂位于所述声表面波晶片的中心位置处持续滴注显影液；静止步骤：保持所述声表面波晶片静止；以及清洗甩干步骤：清洗所述声表面波晶片。上述光刻工艺的显影方法能使得光刻显影后光刻胶中心和边缘图形关键尺寸一致，进而可提高声表面波器件电性能或图形化蓝宝石衬底的均匀性。
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公开(公告)号：CN103424997A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310388343.5
申请日：2013-08-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种光刻工艺的显影方法，包括：旋转步骤：以第一速度旋转声表面波晶片；第一次滴注步骤：移动显影液手臂至所述声表面波晶片的边缘处并开始滴注显影液；移动步骤：将显影液手臂从声表面波晶片的边缘移动至声表面波晶片的中心位置；第二次滴注步骤：保持显影液手臂位于所述声表面波晶片的中心位置处持续滴注显影液；静止步骤：保持所述声表面波晶片静止；以及清洗甩干步骤：清洗所述声表面波晶片。上述光刻工艺的显影方法能使得光刻显影后光刻胶中心和边缘图形关键尺寸一致，进而可提高声表面波器件电性能或图形化蓝宝石衬底的均匀性。
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