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公开(公告)号:CN116566353A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202310676445.0
申请日:2023-06-08
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号: H03H9/02
摘要: 本发明公开了一种抑制声表面波器件横向能量泄露的方法,声表面波器件包括压电基底层和电极层,电极层包括两汇流条、叉指和假指;假指和叉指为多个并设置在两汇流条之间形成由正电极、负电极交叉排列的IDT图形;每一汇流条上的任一叉指始终在另一汇流条上有与之正对的假指且两者之间具有间隙。通过增加假指单位长度质量,使之大于叉指单位长度质量,以在假指区域构建声波传播的慢速区域,形成声波横向传播的能量陷阱,阻止声波能量泄露至汇流条区域,从而抑制声表面波器件横向能量泄露。本发明能够将绝大部分声波能量束缚在激励区域内,进一步减小器件的横向能量泄露,提升器件的Q值、降低插入损耗等。
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公开(公告)号:CN118826689A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202411022160.6
申请日:2024-07-29
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要: 本发明公开了一种高频大带宽的高性能声表面波滤波器,包括电极结构层、压电薄膜层和衬底层,还包括高声速层;所述高声速层位于所述电极结构层和所述压电薄膜层之间,且所述高声速层采用声速高、散热性好的材料制备而成;所述电极结构层位于所述压电薄膜层表面。本发明所涉及结构的声速大于6000m/s,在频率大于6.3GHz情况下,Q值大于3000,相对带宽可达9.3%~10.2%,因此,本发明能获得声速和Q值高于常规衬底结构的声波模式,利用激励的高声速和高Q值声波模式实现超高频、低损耗的高性能声表面波滤波器的设计。
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公开(公告)号:CN118785687A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202411060038.8
申请日:2024-08-05
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要: 本发明提供一种精准的细间距元器件手工贴装装置及贴装方法,包括:贴装基座、贴装卡片1、印制板、贴装卡片2、贴装卡片3和金属回流罩;贴装基座上面设置有多个定位销1;贴装卡片1上面设置有上下贯通的安装区域和多个第一定位通孔;印制板设置在安装区域内;贴装卡片2上面设置有上下贯通的多个第三定位通孔、以及与印制板上元器件的焊盘相对应的多个第一镂空窗口,贴装卡片3上面设置有上下贯通的多个第四定位通孔、以及与印制板上待贴装元器件的位置相对应的多个第二镂空窗口;金属回流罩上面设置有上下贯通的多个第五定位通孔;金属回流罩的下面设置有凹槽;多个定位销1对贴装卡片1、贴装卡片2、贴装卡片3和金属回流罩进行固定。
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公开(公告)号:CN116505907A
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202310455761.5
申请日:2023-04-25
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要: 本发明公开了一种Lamb波声学器件杂波模式抑制结构,包括电极指条层、压电薄膜层和支撑衬底层,所述电极指条层包括汇流排和指条,所述电极指条层位于所述压电薄膜层上,所述压电薄膜层位于所述支撑衬底层上,所述支撑衬底层包括沿轴向设置的两个支撑衬底,两个所述支撑衬底沿轴向方向设置在所述压电薄膜层的两端,且所述支撑衬底靠近所述压电薄膜层外侧的端面与所述压电薄膜层的外端面齐平,所述支撑衬底靠近所述压电薄膜层内侧的端面位于所述指条末端端面的下方。本发明能提高对杂波模式的抑制效果,进而实现低损耗、高平坦度等高性能Lamb波声学器件设计。
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