半导体装置及其制造方法
    77.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112703583A

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN201980058834.9

    申请日:2019-08-26

    IPC分类号: H01L21/60

    摘要: 本发明所涉及的制造方法用于制造半导体装置,该半导体装置包括:第一部件,具有第一连接部且具有直线状延伸的边;第二部件,具有第二连接部;及胶黏剂层,配置于第一部件及第二部件之间。本发明的制造方法包括:层叠工序,准备依次层叠第一部件、胶黏剂层及第二部件而成的层叠体;及压接工序,在对层叠体沿厚度方向施加按压力的状态下,对层叠体照射用于加热的激光,在压接工序中,以从第一部件的边的一端的周缘部朝向另一端的周缘部依次形成激光照射部、激光非照射部及激光照射部的方式,对层叠体照射激光。