公开(公告)号：CN114450107A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202080067956.7

申请日：2020-09-30

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 川名祐贵 ,  江尻芳则 ,  中子伟夫 ,  名取美智子 ,  根岸征央 ,  石川大 ,  须镰千绘

IPC分类号： B22F1/107 ,  B22F1/142 ,  B22F1/054 ,  B22F1/16 ,  B22F7/08 ,  B22F1/052 ,  H01B1/22 ,  H01R13/03 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B82Y30/00

摘要： 接合用铜糊料含有铜粒子、熔点为120℃以下的聚羧酸及分散介质。接合体的制造方法具备：第1工序，准备依次层叠有第1构件、接合用铜糊料及第2构件的层叠体；及第2工序，在氢浓度为45％以下的气体气氛下加热层叠体来烧结接合用铜糊料。接合体具备第1构件、第2构件、及接合第1构件和第2构件的接合用铜糊料的烧结体。

公开(公告)号：CN113711337A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201980095649.7

申请日：2019-04-24

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 江尻芳则 ,  中子伟夫 ,  川名祐贵 ,  米仓元气 ,  须方振一郎 ,  石井学 ,  藤田贤 ,  名取美智子 ,  木村昌宏 ,  本名涼

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

摘要： 本发明的一方式为一种具有硅贯穿电极的基板的制造方法，其具备：准备工序，准备硅基板，该硅基板设置有贯穿孔，在两个主表面上贯通有贯穿孔；铜烧结体形成工序，以至少填充贯穿孔的方式形成具有多孔结构的铜烧结体；树脂含浸工序，使固化性树脂组合物含浸在铜烧结体中；及树脂固化工序，通过固化含浸在铜烧结体中的固化性树脂组合物，形成包括多孔中填充有树脂固化物的铜烧结体而成的导电体，在贯穿孔中设置硅贯穿电极。

公开(公告)号：CN112673715A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201980058937.5

申请日：2019-09-05

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 江尻芳则 ,  须方振一郎 ,  鸟羽正也 ,  中子伟夫 ,  川名祐贵 ,  浦岛航介 ,  米仓元气 ,  纳堂高明 ,  栗原祥晃 ,  増田宏 ,  曽根圭太

IPC分类号： H05K3/12 ,  B22F1/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H05K3/28 ,  H05K3/34 ,  B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C28/00

摘要： 本发明的一方面为一种电子零件的制造方法，包括：第一步骤，在聚合物成形体上以规定的图案涂布含有金属粒子的金属膏而形成金属膏层；第二步骤，通过烧结金属粒子而形成金属配线；第三步骤，在金属配线上涂布含有焊料粒子及树脂成分的焊料膏而形成焊料膏层；第四步骤，在焊料膏层上配置电子元件；以及第五步骤，对焊料膏层进行加热，形成接合金属配线与电子元件的焊料层，并且形成被覆焊料层的至少一部分的树脂层。

公开(公告)号：CN112313032A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201980042261.0

申请日：2019-06-26

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 赤井邦彦 ,  江尻芳则 ,  冈田悠平 ,  森谷敏光 ,  须方振一郎 ,  宫地胜将

IPC分类号： B23K35/40 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C28/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/02 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H01B5/16 ,  H01R11/01 ,  H05K3/32

摘要： 一种各向异性导电膜的制造方法，其包括：准备工序，准备具有多个凹部的基体与焊料微粒；收纳工序，将所述焊料微粒的至少一部分收纳于所述凹部中；熔合工序，使收纳于所述凹部中的所述焊料微粒熔合，在所述凹部的内部形成焊料粒子；转印工序，使绝缘性树脂材料与在所述凹部中收纳有所述焊料粒子的所述基体的所述凹部的开口侧接触，获得转印有所述焊料粒子的第一树脂层；以及层叠工序，在转印有所述焊料粒子的一侧的所述第一树脂层的表面上形成由绝缘性树脂材料构成的第二树脂层，由此获得各向异性导电膜。

公开(公告)号：CN115053330A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202080094145.6

申请日：2020-12-15

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 赤井邦彦 ,  宫地胜将 ,  欠畑纯一 ,  江尻芳则

IPC分类号： H01L21/60 ,  H05K3/34

摘要： 一种焊料凸块形成用部件，其具备：具有多个凹部的基体；及凹部内的焊料粒子，焊料粒子的平均粒径为1～35μm，C.V.值为20％以下，焊料粒子的一部分从该凹部突出，或者，从截面观察时，将凹部的深度设为H1，将焊料粒子的高度设为H2时，H1＜H2。

公开(公告)号：CN114982069A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202080093197.1

申请日：2020-12-04

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 赤井邦彦 ,  宫地胜将 ,  欠畑纯一 ,  江尻芳则 ,  森谷敏光

IPC分类号： H01R11/01 ,  H01B13/00 ,  H01L21/60 ,  H05K3/32 ,  H05K3/34

摘要： 本发明提供一种连接结构体，其具备：第一电路部件，具有多个第一电极；第二电路部件，具有多个第二电极；以及中间层，具有多个将所述第一电极与所述第二电极电连接的接合部，由所述接合部连接的所述第一电极及所述第二电极的至少一者为金电极，多个所述接合部中的90％以上包括：第一区域，连结所述第一电极与所述第二电极且含有锡金合金；以及第二区域，与所述第一区域接触且含有铋。

公开(公告)号：CN115152007A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202080097284.4

申请日：2020-12-15

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 欠畑纯一 ,  赤井邦彦 ,  宫地胜将 ,  江尻芳则

IPC分类号： H01L21/60 ,  H05K3/34

摘要： 一种焊料凸块形成用部件，其具备：具有多个凹部的基体；以及凹部内的焊料粒子及流化剂，焊料粒子的平均粒径为1～35μm，C.V.值为20％以下。

公开(公告)号：CN111344814B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201880073122.X

申请日：2018-11-13

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 浦岛航介 ,  江尻芳则 ,  纳堂高明 ,  米仓元气 ,  明比龙史

IPC分类号： H01B1/22 ,  C09D11/52 ,  H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H05K1/09 ,  H05K3/10

摘要： 本发明公开一种组合物，其含有铜粒子和有机溶剂，有机溶剂包含20℃下的蒸汽压为200Pa以上且20kPa以下的第一有机溶剂及20℃下的蒸汽压为0.5Pa以上且小于200Pa的第二有机溶剂。

公开(公告)号：CN113345624A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110756882.4

申请日：2017-02-06

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 中川昌之 ,  赤井邦彦 ,  江尻芳则 ,  山崎将平 ,  渡边靖

IPC分类号： H01B5/00 ,  C09J7/10 ,  C09J9/02 ,  C09J11/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/16 ,  H01R11/01

摘要： 本发明提供绝缘被覆导电粒子、各向异性导电性粘接剂和连接结构体。所述绝缘被覆导电粒子，其具备：具有树脂粒子、附着于所述树脂粒子的非导电性无机粒子、以及覆盖所述树脂粒子和所述非导电性无机粒子的导电层的导电粒子；以及附着于所述导电粒子的表面的多个绝缘粒子，所述导电粒子的平均粒径大于或等于1μm且小于或等于10μm，所述绝缘粒子包含：由有机高分子化合物构成的第一绝缘粒子；以及具有比所述第一绝缘粒子的平均粒径小的平均粒径、且由二氧化硅组成的第二绝缘粒子，所述非导电性无机粒子的表面和所述第二绝缘粒子的表面这两者由疏水化处理剂被覆。

公开(公告)号：CN109070206B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201780025733.2

申请日：2017-04-20

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 川名祐贵 ,  中子伟夫 ,  石川大 ,  须镰千绘 ,  蔵渊和彦 ,  江尻芳则

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F7/08 ,  B22F9/00 ,  H01L21/52

摘要： 本发明的接合用铜糊料是含有铜粒子、含铜以外的金属元素的第二粒子以及分散介质的接合用铜糊料，铜粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以铜粒子及第二粒子的质量的合计为基准，为80质量％以上，亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量的合计为基准，为30质量％以上且90质量％以下，第二粒子的含量以铜粒子及第二粒子的质量的合计为基准，为0.01质量％以上且10质量％以下。