公开(公告)号：CN107604445A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710816699.2

申请日：2017-09-12

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

发明人： 吕菲 ,  常耀辉 ,  张伟才 ,  宋晶 ,  田原 ,  李静坤

IPC分类号： C30B33/10 ,  C30B29/08 ,  H01L21/306

摘要： 本发明公开了一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法，该方法将腐蚀工艺分为两步腐蚀，第一步，将锗单晶片在碱性腐蚀液中腐蚀；第二步，将锗单晶片在酸性腐蚀液中腐蚀；碱性腐蚀液由KOH和H2O2混合而成，其体积比为KOH：H2O2=3：1；酸性腐蚀液由HNO3、HF、DIW混合而成，其体积比为HNO3：HF：DIW=5：3：2。用碱性腐蚀液腐蚀可去除8μm~10μm；用酸性腐蚀液腐蚀可去除6μm~8μm；两步共去除厚度16μm~18μm。采用本腐蚀方法可有效提高锗单晶片的机械强度。

公开(公告)号：CN107354513A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710816709.2

申请日：2017-09-12

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

发明人： 吕菲 ,  张伟才 ,  常耀辉 ,  王云彪 ,  窦连水 ,  刘洋

IPC分类号： C30B33/10 ,  C30B29/08 ,  C23F1/24

摘要： 本发明公开了一种可以高效稳定腐蚀锗单晶片的腐蚀工艺。将锗单晶片浸入NH4OH：H2O2：HF：DIW=1：2：3：5的腐蚀液中，其中氢氟酸、过氧化氢和氢氧化铵的质量浓度分别为40±1%、30±1%和 25±1%，搅拌均匀，腐蚀液温度保持在50℃-53℃，每次将10片锗单晶片浸入腐蚀液顺时针转动3min20s~3min40s，可去除厚度16μm -18μm。本腐蚀工艺中的腐蚀液腐蚀速度高效稳定，且腐蚀液温度、有效成分波动小，工艺条件易于控制，腐蚀后锗片表面一致均匀、无腐蚀坑，质量好，适用于批量生产。

公开(公告)号：CN104897638B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201510203493.3

申请日：2015-04-24

申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院

发明人： 周琪涛 ,  孟国文 ,  刘菁 ,  柯岩

IPC分类号： G01N21/65 ,  C23C14/16 ,  C23C16/18 ,  C30B25/18 ,  C30B29/62 ,  C30B29/08 ,  C23C14/34 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种银‑锗‑铜复合结构器件及其制备方法和用途。器件为铜网的表面和网孔壁上构筑有其上修饰有银纳米颗粒的锗纳米线，其中，铜网的网孔直径为35～45μm，锗纳米线的线直径为100～150nm、线长为5～15μm，银纳米颗粒的粒径为15～35nm；方法为先将铜网置于溅射仪中的金靶1.5～2.5cm处，于溅射电流15～25mA下溅射1.5～2.5min，得到其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网，再使用化学气相法于其上生长锗纳米线，得到其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网，之后，使用溅射仪于其上溅射银纳米颗粒，制得目的产物。它可作为表面增强拉曼散射的活性基底，广泛地用于测量其上附着的罗丹明6G或甲基对硫磷或腺嘌呤或6‑氨基青霉烷酸或青霉素G钠的含量。

公开(公告)号：CN105401214A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510826525.5

申请日：2015-11-25

申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 ,  云南中科鑫圆晶体材料有限公司 ,  云南鑫耀半导体材料有限公司

发明人： 李宝学 ,  包文东 ,  赵飞宇 ,  罗玉萍

IPC分类号： C30B29/08 ,  C30B15/00

CPC分类号： C30B29/08 ,  C30B15/00

摘要： 一种锗熔体浮渣清除方法，涉及浮渣清除技术领域，尤其是一种锗熔体浮渣清除方法。本发明的方法瞬间改变炉内压力，使熔体液面在压力差的作用下发生对流，浮渣在热对流的影响下漂移至炉体中央，之后将锗单晶作为浮渣提出的工具，多次反复重复直至除净炉内浮渣。本发明的一种锗熔体浮渣清除方法，无需改造单晶炉设备，节约成本。未引入新的除渣设备及手段，减少了固相、气相杂质的引入。与其他去除浮渣相比，这种方法比表面积较大，能除去更多的浮渣，具有耗时短、占用物料少，浮渣可以全部清除等优点。同时，由于公司产业链的优化特性，粘附浮渣的单晶可以回炉冶炼，减少原料损耗。

公开(公告)号：CN105239156A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510586924.9

申请日：2015-09-15

申请人： 南京大学

发明人： 余林蔚 ,  许明坤 ,  薛兆国 ,  王吉米 ,  李成栋

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B29/08 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02

摘要： 外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法，步骤如下：1)对晶体衬底处理，去掉表面氧化层；2)蒸镀In、Sn诱导金属膜，生长出金属膜图案，膜厚度在几个纳米到几十个纳米；3)在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温度200℃-500℃、功率2W-50W时进行处理，使金属膜收缩成为直径在几十纳米到几微米之间的准纳米金属催化颗粒；4)继续在PECVD系统中覆盖生长一层几纳米至几百纳米的非晶硅层作为前驱体介质层；5)非晶硅层在真空中或非氧化性气氛中退火，利用IP-SLS生长模式在非晶硅层生长获得外延硅或锗纳米线。为基于平面半导体纳米线的场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术。

公开(公告)号：CN104862702A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510261309.0

申请日：2015-05-21

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 曹可慰 ,  赵有文

IPC分类号： C23F1/24 ,  C30B33/10 ,  C30B29/08

摘要： 本发明公开了一种适合[100]偏[111]晶向的锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法，该方法包括：配置腐蚀液；将配置好的腐蚀液置于恒温水浴锅内加热；对锗单晶片进行表面清洁；将锗单晶片浸于腐蚀液内进行腐蚀，时间为5分钟；对腐蚀过的锗单晶片进行淋洗和吹干；最后在金相显微镜下观察腐蚀后的形貌。本发明的腐蚀方法可以有效的腐蚀出位错坑，腐蚀速率适中，反应过程温和可控，对于检测[100]偏[111]的锗单晶片位错密度，简便可行，不易出现水波纹等干扰图案。

公开(公告)号：CN102877121B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201210407264.X

申请日：2012-10-23

申请人： 云南北方驰宏光电有限公司

发明人： 王侃 ,  吴绍华 ,  子光平 ,  符世继 ,  李睿 ,  韩帅民 ,  彭明清 ,  侯明 ,  陈骥 ,  李茂忠

IPC分类号： C30B15/04 ,  C30B29/08

摘要： 太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法，其特征在于步骤如下：1.清洗干燥高纯锗，2.将高纯锗和掺杂剂装入单晶炉内的坩埚中，3.抽真空，4.加热，5.当坩埚内的原料全部融化后使掺杂元素在锗中初步混合，6.降温，7.使掺杂元素在锗中均匀混合。本发明所使用的掺杂剂，可以是Ga、In、As、Sb等的一种或几种。该方法操作简单，只需一次掺杂，就能使掺杂剂在太阳能电池用锗单晶中均匀分布，锗单晶的电阻率均匀分布，轴向电阻率变化小，利于工业化生产；通过测试，锗单晶电阻率在0.001～0.003Ω·cm，可达到太阳能电池用锗单晶电阻率均匀分布的要求。

公开(公告)号：CN103981570A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410244559.9

申请日：2014-06-04

申请人： 高佳太阳能股份有限公司

发明人： 严峰 ,  康永江 ,  王昊淇

IPC分类号： C30B28/06 ,  C30B29/08 ,  F27D21/04

摘要： 本发明公开了一种多晶硅铸锭炉硅液溢流报警结构，其包括底座、坩埚、石墨护板和底部隔热板，所述坩埚设置于底座之上，所述石墨护板设置于底座上所述坩埚的外围，所述底部隔热板设置于所述底座的下方，且所述底部隔热板的周边开设有若干个引导孔，其中，所述石墨护板的底部开设有若干个溢流孔，所述溢流孔的个数和位置与所述引导孔相对应。上述多晶硅铸锭炉硅液溢流报警结构当硅液溢流时，即使硅液少量溢流时，也可以沿着溢流孔流出，并快速引导硅液流入引导孔内，硅液沿引导孔在第一时间内和多晶炉底部的溢流线接触，熔断溢流线，及时触发溢流报警，便于工作人员及时应对，保证设备和人员安全。

公开(公告)号：CN102395714A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201080016602.6

申请日：2010-04-16

申请人： LPE公司

发明人： 斯瑞尼瓦斯·亚拉加达 ,  纳塔莱·斯佩恰莱 ,  弗兰科·佩雷蒂 ,  马里奥·佩雷蒂

IPC分类号： C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B35/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/36 ,  C30B29/08 ,  C30B29/40 ,  C23C16/46

CPC分类号： C30B25/08 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B29/36 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B35/00

摘要： 本发明涉及基本上由石英构件组成的外延反应器的反应室；石英构件包括具有由壁(1A、1B、1C、1D)界定的内腔(2)的石英构件部分(1)；腔(2)包括外延反应器的反应和沉积区(3)；区(3)适合于容纳在其中待加热的基座(4)；反应室还包括以使得形成对面壁并成为所述区(3)的壁的方式被布置为邻近所述壁(1A、1B、1C、1D)的石英部件(5)。

公开(公告)号：CN102383192A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110215672.0

申请日：2011-07-29

申请人： 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 魏星 ,  薛忠营 ,  曹共柏 ,  张峰 ,  张苗 ,  王曦

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/08

摘要： 本发明提供了一种锗衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底为晶体材料；在支撑衬底表面采用第一温度外延生长第一锗晶体层；在第一锗晶体层表面采用第二温度外延生长第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度。本发明的优点在于提出了一种低高温锗外延结合的生长工艺，首先低温生长一层锗层，锗外延生长速度低，具有二维生长特性且完全弛豫，这层薄的低温锗层具有较多的缺陷，易于应力驰豫以及位错湮灭，随后，再高温生长一层锗外延层，该层生长速度快，能够得到具有高晶体质量且完全驰豫的单晶锗层。