太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法

    公开(公告)号:CN102877121B

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201210407264.X

    申请日:2012-10-23

    IPC分类号: C30B15/04 C30B29/08

    摘要: 太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法,其特征在于步骤如下:1.清洗干燥高纯锗,2.将高纯锗和掺杂剂装入单晶炉内的坩埚中,3.抽真空,4.加热,5.当坩埚内的原料全部融化后使掺杂元素在锗中初步混合,6.降温,7.使掺杂元素在锗中均匀混合。本发明所使用的掺杂剂,可以是Ga、In、As、Sb等的一种或几种。该方法操作简单,只需一次掺杂,就能使掺杂剂在太阳能电池用锗单晶中均匀分布,锗单晶的电阻率均匀分布,轴向电阻率变化小,利于工业化生产;通过测试,锗单晶电阻率在0.001~0.003Ω·cm,可达到太阳能电池用锗单晶电阻率均匀分布的要求。

    太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法

    公开(公告)号:CN102877121A

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN201210407264.X

    申请日:2012-10-23

    IPC分类号: C30B15/04 C30B29/08

    摘要: 太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法,其特征在于步骤如下:1.清洗干燥高纯锗,2.将高纯锗和掺杂剂装入单晶炉内的坩埚中,3.抽真空,4.加热,5.当坩埚内的原料全部融化后使掺杂元素在锗中初步混合,6.降温,7.使掺杂元素在锗中均匀混合。本发明所使用的掺杂剂,可以是Ga、In、As、Sb等的一种或几种。该方法操作简单,只需一次掺杂,就能使掺杂剂在太阳能电池用锗单晶中均匀分布,锗单晶的电阻率均匀分布,轴向电阻率变化小,利于工业化生产;通过测试,锗单晶电阻率在0.001~0.003Ω·cm,可达到太阳能电池用锗单晶电阻率均匀分布的要求。

    一种带杂质隔离槽的区熔石墨舟

    公开(公告)号:CN205295533U

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201620004585.9

    申请日:2016-01-06

    IPC分类号: C30B13/14 C30B29/08

    摘要: 本实用新型公开了一种带杂质隔离槽的区熔石墨舟,包括石墨舟本体和开设在石墨舟本体内的区熔槽,区熔槽的截面形状为倒梯形结构,在区熔槽的内部安装有隔板,隔板将区熔槽分隔成杂质隔离腔和锗锭区熔腔,且在隔板的顶部加工有溢流凹槽,锗锭区熔腔底部加工有检测线凹槽。本实用新型不仅提高了区熔槽的容量,有效的提高了区熔锗的产能,而且完全能实现杂质和锗锭的有效分离,有效的减少尾锭的数量,提高了一次区熔的合格率,其区熔的重量提高了1~1.5倍,尾锭的数量降低了10倍,一次区熔的合格率可达到70~80%,具有结构简单、容易操作和实施,运行可靠稳定,可提高生产效率、降低生产成本的优点,易于推广使用。

    一种氯气燃烧法回收金属锗的装置

    公开(公告)号:CN205295426U

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201620004589.7

    申请日:2016-01-06

    IPC分类号: C22B7/00 C22B41/00

    摘要: 本实用新型公开了一种氯气燃烧法回收金属锗的装置,包括支架、加热器、石英管、氯气入口和储料罐,氯气入口设置在石英管的侧壁上,在石英管的进料口端部安装有快开孔,石英管的出料口处连接有一级排料管,石英管出料末端的外壁上设置有一级冷却夹套,一级排料管的外壁上设置有二级冷却夹套,一级冷却夹套和二级冷却夹套上分别设置有冷凝进口和冷凝出口。本实用新型在整个反应冷却的过程中,不仅反应速度快、反应彻底充分、锗的回收率较高,收率可达到99.5%以上,而且燃烧完全避免了对环境的造成的压力和影响,还有效的减少了4%的原辅料消耗,节约了每公斤0.1万元的成本,能产生较好的经济效益,易于推广使用。