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公开(公告)号：CN106587603A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611027905.3
申请日：2016-11-16
申请人： 宁波大学 , 云南北方驰宏光电有限公司
IPC分类号： C03C3/32
摘要： 本发明公开了一种高纯度多光谱硫卤玻璃的制备装置及制备方法，该制备装置包括石英管组、由第一电加热炉及固液分离容器和连接于固液分离容器的下部的漏料管组成的用于镓分离提纯的固液分离提纯装置、由第二电加热炉和真空泵组成的水分去除提纯装置、由第三电加热炉和循环水冷机构组成的蒸馏提纯装置；优点是利用固液分离提纯装置来对高沸点原料镓进行提纯，可有效去除原料镓表面的氧化物杂质；利用水分去除提纯装置，再配以有机除水剂，能有效去除游离水和结晶水，且能避免引入新的杂质；利用蒸馏提纯装置实现针对含卤化物硫系玻璃的蒸馏提纯，循环水冷机构可有效防止蒸馏过程中卤化物的分解挥发出卤素单质使除氧剂失效，避免达不到提纯效果。
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公开(公告)号：CN103938270A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410140741.X
申请日：2014-04-09
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明公开了镓重掺杂低位错锗单晶的生长方法，属于单晶生长技术领域，主要技术方案是：在负压条件下，生长锗单晶工艺包括：抽真空、检漏，熔化、恒压，降温、稳定，引晶，缩颈，放肩，转肩，等径生长，收尾，退火，降温、冷却。利用该方法生长的镓重掺杂低位错锗单晶，位错密度小于1000/cm2，排除了锗熔体表面的氧化物浮渣，有效降低了锗单晶中的位错密度和生产成本，成功生长出大尺寸镓重掺杂低位错锗单晶，满足第三代锗衬底化合物半导体叠层电池[GaInP/Ga(In)As/Ge]和半导体微纳电子器件对超薄锗衬底片的电学性能和完整性要求。
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公开(公告)号：CN106587603B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201611027905.3
申请日：2016-11-16
申请人： 宁波大学 , 云南北方驰宏光电有限公司
IPC分类号： C03C3/32
摘要： 本发明公开了一种高纯度多光谱硫卤玻璃的制备装置及制备方法，该制备装置包括石英管组、由第一电加热炉及固液分离容器和连接于固液分离容器的下部的漏料管组成的用于镓分离提纯的固液分离提纯装置、由第二电加热炉和真空泵组成的水分去除提纯装置、由第三电加热炉和循环水冷机构组成的蒸馏提纯装置；优点是利用固液分离提纯装置来对高沸点原料镓进行提纯，可有效去除原料镓表面的氧化物杂质；利用水分去除提纯装置，再配以有机除水剂，能有效去除游离水和结晶水，且能避免引入新的杂质；利用蒸馏提纯装置实现针对含卤化物硫系玻璃的蒸馏提纯，循环水冷机构可有效防止蒸馏过程中卤化物的分解挥发出卤素单质使除氧剂失效，避免达不到提纯效果。
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公开(公告)号：CN107119322A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710286821.X
申请日：2017-04-27
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明提供一种双面均匀沉积CVDZnS块体材料的设备，采用独特的内外双沉积室结构和自带混气室的一体喷嘴结构，通过从沉积空间底部抽真空，控制气流由下而上，再由上而下导流，使锌蒸汽和硫化氢气体混合均匀并沿沉积基板双面均匀沉积，可一次制备得到9块300×300×15mm的光学质量均匀且厚度均匀的硫化锌多晶块体材料，相比普通CVD硫化锌生产设备效率高，具有较高的实用价值，可大批量生产CVD硫化锌多晶块体材料。
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公开(公告)号：CN103938274A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410140115.0
申请日：2014-04-09
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种CVD-ZnS晶体材料的退火方法，属于人工晶体材料生产技术领域，主要技术方案是：步骤一：在CVD-ZnS晶体生长结束后，在不关闭保护气体的条件下，直接将沉积区的温度升高到850℃～950℃，此阶段升温时间≥2小时，保温10～50小时进行退火；步骤二：将沉积区温度降低至750℃～500℃，此阶段降温时间≥5小时，保温5～10小时进行再退火；步骤三：将沉积区温度降至室温出炉，此阶段降温时间≥3小时。采用该方法对原生CVD-ZnS晶体材料进行退火，退火均匀，减少了CVD-ZnS晶体内部的应力、散射以及夹杂物，消除了6.2μm处产生的杂质吸收峰，提高了CVD-ZnS晶体材料的光学成像质量，改善了CVD-ZnS晶体材料的加工性能，降低了CVD-ZnS晶体材料的生产制造成本。
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公开(公告)号：CN103698339A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310737527.8
申请日：2013-12-29
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶体位错腐蚀检测方法，属于缺陷腐蚀检测技术领域，主要技术方案包括以下步骤：将样品待测面处理到预定的表面光洁度；对样品的观测点进行确定并标识；对样品除观测点以外的表面进行涂覆；将涂覆好的样品进行抛光；将抛光好的样品进行清洗；对样品除观测点以外的表面补充涂覆；将涂覆好的样品进行腐蚀；将腐蚀好的样品进行清洗；对样品观测点进行位错测量，并计算出样品的位错密度。采用本方法对晶体进行位错检测，实现了位错测试中温度的有效控制，腐蚀效果好，同时腐蚀液使用量和晶体的腐蚀量大大降低。
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公开(公告)号：CN102877121A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210407264.X
申请日：2012-10-23
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法，其特征在于步骤如下：1.清洗干燥高纯锗，2.将高纯锗和掺杂剂装入单晶炉内的坩埚中，3.抽真空，4.加热，5.当坩埚内的原料全部融化后使掺杂元素在锗中初步混合，6.降温，7.使掺杂元素在锗中均匀混合。本发明所使用的掺杂剂，可以是Ga、In、As、Sb等的一种或几种。该方法操作简单，只需一次掺杂，就能使掺杂剂在太阳能电池用锗单晶中均匀分布，锗单晶的电阻率均匀分布，轴向电阻率变化小，利于工业化生产；通过测试，锗单晶电阻率在0.001～0.003Ω·cm，可达到太阳能电池用锗单晶电阻率均匀分布的要求。
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公开(公告)号：CN111175857B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201811331178.9
申请日：2018-11-09
申请人： 北京理工大学 , 云南北方驰宏光电有限公司
IPC分类号： G02B1/118
摘要： 本发明涉及一种在硫系玻璃表面加工微纳结构改善红外波段透过率的方法，属于红外光学玻璃加工及应用技术领域。该方法直接在硫系玻璃表面上制备折射率合适的微纳结构，避免引入新的膜材料，解决了传统镀制红外增透膜存在的多层膜膜材受限及膜层质量问题；该方法中采用的反应离子刻蚀主要是基于气体和硫系玻璃的化学反应，对聚合物涂层覆盖的部分不产生任何效应，避免了应力的产生，且是在常温以及真空状态下进行的，不会产生有毒成分的气化和泄露；该方法还可以实现非平面表面的微纳结构图案压印，拓展了大面积微纳加工的光学元件范畴，并且通过目标图形结构以及工艺参数的改变，可以实现硫系玻璃在红外各波段的高效增透。
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公开(公告)号：CN111175857A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811331178.9
申请日：2018-11-09
申请人： 北京理工大学 , 云南北方驰宏光电有限公司
IPC分类号： G02B1/118
摘要： 本发明涉及一种在硫系玻璃表面加工微纳结构改善红外波段透过率的方法，属于红外光学玻璃加工及应用技术领域。该方法直接在硫系玻璃表面上制备折射率合适的微纳结构，避免引入新的膜材料，解决了传统镀制红外增透膜存在的多层膜膜材受限及膜层质量问题；该方法中采用的反应离子刻蚀主要是基于气体和硫系玻璃的化学反应，对聚合物涂层覆盖的部分不产生任何效应，避免了应力的产生，且是在常温以及真空状态下进行的，不会产生有毒成分的气化和泄露；该方法还可以实现非平面表面的微纳结构图案压印，拓展了大面积微纳加工的光学元件范畴，并且通过目标图形结构以及工艺参数的改变，可以实现硫系玻璃在红外各波段的高效增透。
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公开(公告)号：CN107119323A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710287346.8
申请日：2017-04-27
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法，在沉积之前在锌坩埚中加入一种金属M，或M与锌的合金Zn‑M作为掺杂剂，加热熔化、混合均匀，获得M掺杂锌原料，然后再进行化学气相沉积，沉积完成后通过恒温恒压热处理，这样可以增强CVD ZnS晶体材料的力学和机械性能。通过本方法，可以在不明显影响CVD ZnS材料红外透过性能的前提下达到增强CVD ZnS的机械性能的效果，改善了CVD ZnS晶体材料的力学性能，提高了CVD ZnS晶体材料的机械强度，增强了耐腐蚀性、抗热冲击性能，适合于规模化生产和商业化应用。
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