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公开(公告)号：CN106587603A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611027905.3
申请日：2016-11-16
申请人： 宁波大学 , 云南北方驰宏光电有限公司
IPC分类号： C03C3/32
摘要： 本发明公开了一种高纯度多光谱硫卤玻璃的制备装置及制备方法，该制备装置包括石英管组、由第一电加热炉及固液分离容器和连接于固液分离容器的下部的漏料管组成的用于镓分离提纯的固液分离提纯装置、由第二电加热炉和真空泵组成的水分去除提纯装置、由第三电加热炉和循环水冷机构组成的蒸馏提纯装置；优点是利用固液分离提纯装置来对高沸点原料镓进行提纯，可有效去除原料镓表面的氧化物杂质；利用水分去除提纯装置，再配以有机除水剂，能有效去除游离水和结晶水，且能避免引入新的杂质；利用蒸馏提纯装置实现针对含卤化物硫系玻璃的蒸馏提纯，循环水冷机构可有效防止蒸馏过程中卤化物的分解挥发出卤素单质使除氧剂失效，避免达不到提纯效果。
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公开(公告)号：CN106587603B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201611027905.3
申请日：2016-11-16
申请人： 宁波大学 , 云南北方驰宏光电有限公司
IPC分类号： C03C3/32
摘要： 本发明公开了一种高纯度多光谱硫卤玻璃的制备装置及制备方法，该制备装置包括石英管组、由第一电加热炉及固液分离容器和连接于固液分离容器的下部的漏料管组成的用于镓分离提纯的固液分离提纯装置、由第二电加热炉和真空泵组成的水分去除提纯装置、由第三电加热炉和循环水冷机构组成的蒸馏提纯装置；优点是利用固液分离提纯装置来对高沸点原料镓进行提纯，可有效去除原料镓表面的氧化物杂质；利用水分去除提纯装置，再配以有机除水剂，能有效去除游离水和结晶水，且能避免引入新的杂质；利用蒸馏提纯装置实现针对含卤化物硫系玻璃的蒸馏提纯，循环水冷机构可有效防止蒸馏过程中卤化物的分解挥发出卤素单质使除氧剂失效，避免达不到提纯效果。
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公开(公告)号：CN111175856A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811331155.8
申请日：2018-11-09
申请人： 北京理工大学 , 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明涉及一种锗表面草莓状宽波段增透微纳结构及其制备方法，属于红外光学材料加工及应用技术领域。本发明是通过直接在锗基底上加工出由微纳尺寸的三维草莓状结构单元以密排六方方式呈周期性排列而成的阵列，可以实现对锗基底整个透过波段的增透，解决了多层膜环境适应性及膜层质量问题；另外，通过调整三维草莓状结构单元的尺寸及其排列周期可以满足不同光谱宽度的增透，满足快速发展红外技术对宽光谱增透的需求。
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公开(公告)号：CN103257150B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210317112.0
申请日：2012-08-31
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
IPC分类号： G01N23/207
摘要： 一种直接测量晶向偏离角的晶体定向仪，其特征在于在载物台一侧连接一个X射线发生器，另一侧连接一个X射线探测器，在载物台上有一个水平旋转台，水平旋转台可使待测晶体平行于光线传播面旋转，在水平旋转台的中心固定有一个垂直旋转台，垂直旋转台可以使待测晶体在垂直于光线传播面的平面内旋转，利用该晶体定向仪，能直接找到加工面和晶面的相交线，无需通过数据计算就能通过载物台的角度测量仪直接读取晶向偏离角β。本发明克服了现有X射线晶体定向仪操作方法复杂，测量过程需多次旋转、拆卸及固定被测晶体，测量效率低，容易引起累计误差和X射线泄露的缺陷。
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公开(公告)号：CN107119324A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710287387.7
申请日：2017-04-27
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于制备CVDZnS的沉积箱装置，包括，沉积箱体竖直安装在齿轮转动机构的从动轮轮辐面位置上，与沉积箱体的底部固定连接，电机带动皮带轮转动机构的传动轮旋转，通过传动杆传给炉体内沉积箱体的齿轮转动机构，齿轮转动机构的从动轮在主动轮的带动下匀速转动，位于其上的沉积箱体随之旋转，喷嘴托盘在整个沉积过程中保持不动。可在沉积过程中边沉积边旋转，避免因气流分布不均造成沉积均匀性差的问题，提高CVDZnS的沉积均匀性。
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公开(公告)号：CN107119323A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710287346.8
申请日：2017-04-27
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法，在沉积之前在锌坩埚中加入一种金属M，或M与锌的合金Zn‑M作为掺杂剂，加热熔化、混合均匀，获得M掺杂锌原料，然后再进行化学气相沉积，沉积完成后通过恒温恒压热处理，这样可以增强CVD ZnS晶体材料的力学和机械性能。通过本方法，可以在不明显影响CVD ZnS材料红外透过性能的前提下达到增强CVD ZnS的机械性能的效果，改善了CVD ZnS晶体材料的力学性能，提高了CVD ZnS晶体材料的机械强度，增强了耐腐蚀性、抗热冲击性能，适合于规模化生产和商业化应用。
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公开(公告)号：CN103938270B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410140741.X
申请日：2014-04-09
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明公开了镓重掺杂低位错锗单晶的生长方法，属于单晶生长技术领域，主要技术方案是：在负压条件下，生长锗单晶工艺包括：抽真空、检漏，熔化、恒压，降温、稳定，引晶，缩颈，放肩，转肩，等径生长，收尾，退火，降温、冷却。利用该方法生长的镓重掺杂低位错锗单晶，位错密度小于1000/cm2，排除了锗熔体表面的氧化物浮渣，有效降低了锗单晶中的位错密度和生产成本，成功生长出大尺寸镓重掺杂低位错锗单晶，满足第三代锗衬底化合物半导体叠层电池[GaInP/Ga(In)As/Ge]和半导体微纳电子器件对超薄锗衬底片的电学性能和完整性要求。
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公开(公告)号：CN102912429B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201210407255.0
申请日：2012-10-23
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
IPC分类号： C30B15/26
摘要： 直拉锗单晶直径测量控制系统，其特征在于：系统中有摄像机，图像处理装置和自动控制单元，摄像机采集锗单晶等径生长的图像，图像处理装置识别固液交接面光圈位置和计算固液交接面光圈的曲率半径，使自动控制单元实现锗单晶的等径生长。本发明的有益效果是：图像处理卡只对采集图像的光圈部分进行分析，减少数据传输量，降低系统对硬件的性能要求；无需椭圆到圆的复杂映射，只需采集指定点的曲率半径即可根据曲率半径的变化规律进行等径控制；摄像头可将采集的锗单晶生长图像集中传输到一起进行图像处理和分析，便于生产人员实时监控多台设备，降低锗单晶生长的劳动强度；能够最大限度利用现有的设备装置，避免电气控制系统的重复设计与投资。
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公开(公告)号：CN103698339B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310737527.8
申请日：2013-12-29
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶体位错腐蚀检测方法，属于缺陷腐蚀检测技术领域，主要技术方案包括以下步骤：将样品待测面处理到预定的表面光洁度；对样品的观测点进行确定并标识；对样品除观测点以外的表面进行涂覆；将涂覆好的样品进行抛光；将抛光好的样品进行清洗；对样品除观测点以外的表面补充涂覆；将涂覆好的样品进行腐蚀；将腐蚀好的样品进行清洗；对样品观测点进行位错测量，并计算出样品的位错密度。采用本方法对晶体进行位错检测，实现了位错测试中温度的有效控制，腐蚀效果好，同时腐蚀液使用量和晶体的腐蚀量大大降低。
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公开(公告)号：CN102912429A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210407255.0
申请日：2012-10-23
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
IPC分类号： C30B15/26
摘要： 直拉锗单晶直径测量控制系统，其特征在于：系统中有摄像机，图像处理装置和自动控制单元，摄像机采集锗单晶等径生长的图像，图像处理装置识别固液交接面光圈位置和计算固液交接面光圈的曲率半径，使自动控制单元实现锗单晶的等径生长。本发明的有益效果是：图像处理卡只对采集图像的光圈部分进行分析，减少数据传输量，降低系统对硬件的性能要求；无需椭圆到圆的复杂映射，只需采集指定点的曲率半径即可根据曲率半径的变化规律进行等径控制；摄像头可将采集的锗单晶生长图像集中传输到一起进行图像处理和分析，便于生产人员实时监控多台设备，降低锗单晶生长的劳动强度；能够最大限度利用现有的设备装置，避免电气控制系统的重复设计与投资。
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