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公开(公告)号：CN106587603A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611027905.3
申请日：2016-11-16
申请人： 宁波大学 , 云南北方驰宏光电有限公司
IPC分类号： C03C3/32
摘要： 本发明公开了一种高纯度多光谱硫卤玻璃的制备装置及制备方法，该制备装置包括石英管组、由第一电加热炉及固液分离容器和连接于固液分离容器的下部的漏料管组成的用于镓分离提纯的固液分离提纯装置、由第二电加热炉和真空泵组成的水分去除提纯装置、由第三电加热炉和循环水冷机构组成的蒸馏提纯装置；优点是利用固液分离提纯装置来对高沸点原料镓进行提纯，可有效去除原料镓表面的氧化物杂质；利用水分去除提纯装置，再配以有机除水剂，能有效去除游离水和结晶水，且能避免引入新的杂质；利用蒸馏提纯装置实现针对含卤化物硫系玻璃的蒸馏提纯，循环水冷机构可有效防止蒸馏过程中卤化物的分解挥发出卤素单质使除氧剂失效，避免达不到提纯效果。
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公开(公告)号：CN103938270A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410140741.X
申请日：2014-04-09
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明公开了镓重掺杂低位错锗单晶的生长方法，属于单晶生长技术领域，主要技术方案是：在负压条件下，生长锗单晶工艺包括：抽真空、检漏，熔化、恒压，降温、稳定，引晶，缩颈，放肩，转肩，等径生长，收尾，退火，降温、冷却。利用该方法生长的镓重掺杂低位错锗单晶，位错密度小于1000/cm2，排除了锗熔体表面的氧化物浮渣，有效降低了锗单晶中的位错密度和生产成本，成功生长出大尺寸镓重掺杂低位错锗单晶，满足第三代锗衬底化合物半导体叠层电池[GaInP/Ga(In)As/Ge]和半导体微纳电子器件对超薄锗衬底片的电学性能和完整性要求。
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公开(公告)号：CN107119322B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201710286821.X
申请日：2017-04-27
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明提供一种双面均匀沉积CVDZnS块体材料的设备，采用独特的内外双沉积室结构和自带混气室的一体喷嘴结构，通过从沉积空间底部抽真空，控制气流由下而上，再由上而下导流，使锌蒸汽和硫化氢气体混合均匀并沿沉积基板双面均匀沉积，可一次制备得到9块300×300×15mm的光学质量均匀且厚度均匀的硫化锌多晶块体材料，相比普通CVD硫化锌生产设备效率高，具有较高的实用价值，可大批量生产CVD硫化锌多晶块体材料。
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公开(公告)号：CN107119324B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710287387.7
申请日：2017-04-27
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于制备CVDZnS的沉积箱装置，包括，沉积箱体竖直安装在齿轮转动机构的从动轮轮辐面位置上，与沉积箱体的底部固定连接，电机带动皮带轮转动机构的传动轮旋转，通过传动杆传给炉体内沉积箱体的齿轮转动机构，齿轮转动机构的从动轮在主动轮的带动下匀速转动，位于其上的沉积箱体随之旋转，喷嘴托盘在整个沉积过程中保持不动。可在沉积过程中边沉积边旋转，避免因气流分布不均造成沉积均匀性差的问题，提高CVDZnS的沉积均匀性。
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公开(公告)号：CN107119323B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710287346.8
申请日：2017-04-27
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种CVD ZnS晶体材料的掺杂改性方法，在沉积之前在锌坩埚中加入一种金属M，或M与锌的合金Zn‑M作为掺杂剂，加热熔化、混合均匀，获得M掺杂锌原料，然后再进行化学气相沉积，沉积完成后通过恒温恒压热处理，这样可以增强CVD ZnS晶体材料的力学和机械性能。通过本方法，可以在不明显影响CVD ZnS材料红外透过性能的前提下达到增强CVD ZnS的机械性能的效果，改善了CVD ZnS晶体材料的力学性能，提高了CVD ZnS晶体材料的机械强度，增强了耐腐蚀性、抗热冲击性能，适合于规模化生产和商业化应用。
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公开(公告)号：CN102877121B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210407264.X
申请日：2012-10-23
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法，其特征在于步骤如下：1.清洗干燥高纯锗，2.将高纯锗和掺杂剂装入单晶炉内的坩埚中，3.抽真空，4.加热，5.当坩埚内的原料全部融化后使掺杂元素在锗中初步混合，6.降温，7.使掺杂元素在锗中均匀混合。本发明所使用的掺杂剂，可以是Ga、In、As、Sb等的一种或几种。该方法操作简单，只需一次掺杂，就能使掺杂剂在太阳能电池用锗单晶中均匀分布，锗单晶的电阻率均匀分布，轴向电阻率变化小，利于工业化生产；通过测试，锗单晶电阻率在0.001～0.003Ω·cm，可达到太阳能电池用锗单晶电阻率均匀分布的要求。
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公开(公告)号：CN104370301A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410591080.2
申请日：2014-10-29
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种CVD-ZnS制备过程中H2S尾气的处理方法，该方法利用含有害金属离子的冶金工业废水作为吸收液，调节并控制吸收液的pH值，将H2S尾气鼓入吸收液中，使H2S气体与吸收液中的金属离子发生化学反应，生成硫化物沉淀，经沉降、过滤得到金属硫化精矿。该方法以废制废，有效减少了现有技术处理H2S尾气需要消耗大量碱，从而带来处理成本高的问题，同时还有效回收了冶金工业废水中的有价金属离子，实现有价金属资源的循环综合利用，有利于环境保护。
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公开(公告)号：CN106587603B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201611027905.3
申请日：2016-11-16
申请人： 宁波大学 , 云南北方驰宏光电有限公司
IPC分类号： C03C3/32
摘要： 本发明公开了一种高纯度多光谱硫卤玻璃的制备装置及制备方法，该制备装置包括石英管组、由第一电加热炉及固液分离容器和连接于固液分离容器的下部的漏料管组成的用于镓分离提纯的固液分离提纯装置、由第二电加热炉和真空泵组成的水分去除提纯装置、由第三电加热炉和循环水冷机构组成的蒸馏提纯装置；优点是利用固液分离提纯装置来对高沸点原料镓进行提纯，可有效去除原料镓表面的氧化物杂质；利用水分去除提纯装置，再配以有机除水剂，能有效去除游离水和结晶水，且能避免引入新的杂质；利用蒸馏提纯装置实现针对含卤化物硫系玻璃的蒸馏提纯，循环水冷机构可有效防止蒸馏过程中卤化物的分解挥发出卤素单质使除氧剂失效，避免达不到提纯效果。
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公开(公告)号：CN107119322A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710286821.X
申请日：2017-04-27
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明提供一种双面均匀沉积CVDZnS块体材料的设备，采用独特的内外双沉积室结构和自带混气室的一体喷嘴结构，通过从沉积空间底部抽真空，控制气流由下而上，再由上而下导流，使锌蒸汽和硫化氢气体混合均匀并沿沉积基板双面均匀沉积，可一次制备得到9块300×300×15mm的光学质量均匀且厚度均匀的硫化锌多晶块体材料，相比普通CVD硫化锌生产设备效率高，具有较高的实用价值，可大批量生产CVD硫化锌多晶块体材料。
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公开(公告)号：CN103938274A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410140115.0
申请日：2014-04-09
申请人： 云南北方驰宏光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种CVD-ZnS晶体材料的退火方法，属于人工晶体材料生产技术领域，主要技术方案是：步骤一：在CVD-ZnS晶体生长结束后，在不关闭保护气体的条件下，直接将沉积区的温度升高到850℃～950℃，此阶段升温时间≥2小时，保温10～50小时进行退火；步骤二：将沉积区温度降低至750℃～500℃，此阶段降温时间≥5小时，保温5～10小时进行再退火；步骤三：将沉积区温度降至室温出炉，此阶段降温时间≥3小时。采用该方法对原生CVD-ZnS晶体材料进行退火，退火均匀，减少了CVD-ZnS晶体内部的应力、散射以及夹杂物，消除了6.2μm处产生的杂质吸收峰，提高了CVD-ZnS晶体材料的光学成像质量，改善了CVD-ZnS晶体材料的加工性能，降低了CVD-ZnS晶体材料的生产制造成本。
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