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发明公开
偏[111]晶向锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法无效

公开(公告)号：CN104862702A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510261309.0

申请日：2015-05-21

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 曹可慰 , 赵有文

IPC分类号： C23F1/24 , C30B33/10 , C30B29/08

摘要： 本发明公开了一种适合[100]偏[111]晶向的锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法，该方法包括：配置腐蚀液；将配置好的腐蚀液置于恒温水浴锅内加热；对锗单晶片进行表面清洁；将锗单晶片浸于腐蚀液内进行腐蚀，时间为5分钟；对腐蚀过的锗单晶片进行淋洗和吹干；最后在金相显微镜下观察腐蚀后的形貌。本发明的腐蚀方法可以有效的腐蚀出位错坑，腐蚀速率适中，反应过程温和可控，对于检测[100]偏[111]的锗单晶片位错密度，简便可行，不易出现水波纹等干扰图案。