公开(公告)号：CN107354513B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201710816709.2

申请日：2017-09-12

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

发明人： 吕菲 ,  张伟才 ,  常耀辉 ,  王云彪 ,  窦连水 ,  刘洋

IPC分类号： C30B33/10 ,  C30B29/08 ,  C23F1/24

摘要： 本发明公开了一种可以高效稳定腐蚀锗单晶片的腐蚀工艺。将锗单晶片浸入NH4OH：H2O2：HF：DIW=1：2：3：5的腐蚀液中，其中氢氟酸、过氧化氢和氢氧化铵的质量浓度分别为40±1%、30±1%和25±1%，搅拌均匀，腐蚀液温度保持在50℃‑53℃，每次将10片锗单晶片浸入腐蚀液顺时针转动3min20s~3min40s，可去除厚度16μm‑18μm。本腐蚀工艺中的腐蚀液腐蚀速度高效稳定，且腐蚀液温度、有效成分波动小，工艺条件易于控制，腐蚀后锗片表面一致均匀、无腐蚀坑，质量好，适用于批量生产。

公开(公告)号：CN107354513A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710816709.2

申请日：2017-09-12

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

发明人： 吕菲 ,  张伟才 ,  常耀辉 ,  王云彪 ,  窦连水 ,  刘洋

IPC分类号： C30B33/10 ,  C30B29/08 ,  C23F1/24

摘要： 本发明公开了一种可以高效稳定腐蚀锗单晶片的腐蚀工艺。将锗单晶片浸入NH4OH：H2O2：HF：DIW=1：2：3：5的腐蚀液中，其中氢氟酸、过氧化氢和氢氧化铵的质量浓度分别为40±1%、30±1%和 25±1%，搅拌均匀，腐蚀液温度保持在50℃-53℃，每次将10片锗单晶片浸入腐蚀液顺时针转动3min20s~3min40s，可去除厚度16μm -18μm。本腐蚀工艺中的腐蚀液腐蚀速度高效稳定，且腐蚀液温度、有效成分波动小，工艺条件易于控制，腐蚀后锗片表面一致均匀、无腐蚀坑，质量好，适用于批量生产。