公开(公告)号：CN105870201A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610404269.5

申请日：2016-06-08

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 黄秋平

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42364 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提供一种TFT器件结构及其制作方法。本发明的TFT器件结构，采用氧化铝层与氮化铝层叠加的双层结构的绝缘介质层，由于氧化铝具有优良的隔绝水汽、各种金属离子的特性，并具有强耐化学腐蚀、高热稳定性等特点，所述氧化铝层能够很好的保护半导体层和TFT器件，而氮化铝具有良好的热导电性和化学稳定性，能和硅形成良好的接触界面，叠加于所述氧化铝层上的氮化铝层能够消除氧化铝层和硅界面的热应力，以及防止高温下在界面形成硅氧化合物，另外，氧化铝与氮化铝均能够通过简单的磁控溅射或者CVD方式成膜，因此相比于传统的TFT器件结构，具有较低的材料工艺成本，产品性能更为优良。

公开(公告)号：CN103730508B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210392837.6

申请日：2012-10-16

申请人： 瀚宇彩晶股份有限公司

发明人： 张荣芳 ,  张民杰 ,  赖瑞麒

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78642 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明公开了一种垂直式薄膜晶体管结构，其包含有一基板、一源极电极、一绝缘层、一漏极电极、两个第一信道层、栅极绝缘层以及一栅极电极。源极电极、绝缘层以及漏极电极依序设置于基板上。第一信道层分别设置于漏极电极的两相对侧，并从漏极电极的上表面延伸至源极电极的上表面，且各第一信道层与源极电极以及漏极电极相接触。栅极绝缘层覆盖于源极电极、第一信道层以及漏极电极上。栅极电极设置于栅极绝缘层上，并覆盖第一信道层。借此，薄膜晶体管结构的大小可被缩小，且占像素结构大小的比例也随之下降。

公开(公告)号：CN105513959A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610004494.X

申请日：2016-01-04

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 李小龙 ,  刘政 ,  李栋 ,  张慧娟 ,  敏健

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32132 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/6675

摘要： 本发明公开了一种多晶硅薄膜的处理方法和薄膜晶体管的制作方法，涉及显示技术领域，用于减小多晶硅薄膜的表面粗糙度，减小薄膜晶体管的漏电流。该多晶硅薄膜的处理方法包括：使用刻蚀粒子对所述多晶硅薄膜进行刻蚀，所述刻蚀粒子的移动方向与所述多晶硅薄膜之间的夹角大于0°且小于90°。本多晶硅薄膜的处理方法用于对使用GLA技术制备的多晶硅薄膜进行处理。

公开(公告)号：CN105489487A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201610023998.6

申请日：2016-01-14

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 许晓伟 ,  李小龙

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02675 ,  B23K26/00 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0619 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/352 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/18 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67115

摘要： 本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法、激光晶化装置，属于显示技术领域。本发明的低温多晶硅薄膜的制备方法，包括：在基底上方形成非晶硅薄膜；对所述非晶硅薄膜背离所述基底的一侧进行激光退火，以及对所述基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行激光退火，以形成低温多晶硅薄膜。由于本发明的低温多晶硅薄膜的制备方法不仅可以对非晶硅薄膜背离所述基底的一侧进行激光退火，而且还对基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行激光退火，对基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行激光退火的可以对非晶硅薄膜进行保温，这样可以延长多晶硅的结晶时间，可获得更大尺寸的晶粒，提高载流子迁移率，降低漏电流。

公开(公告)号：CN103026492B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201280002085.6

申请日：2012-02-06

申请人： 株式会社日本有机雷特显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

发明人： 钟之江有宣 ,  川岛孝启 ,  林宏 ,  河内玄士朗

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种能抑制突增现象、且具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件及其制造方法。薄膜晶体管器件具备：栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极（2）上；结晶硅薄膜（4），其形成于栅极绝缘膜（3）上；第1半导体膜（5），其形成于结晶硅薄膜（4）上；一对第2半导体膜（6），其形成于第1半导体膜（5）上；源电极（8S），其形成于一对第2半导体膜（6）的一方的上方；以及漏电极（8D），其形成于一对第2半导体膜（6）的另一方的上方，将结晶硅薄膜（4）和第1半导体膜（5）的导带下端的能级分别设为ECP、EC1，则ECP

公开(公告)号：CN105261654A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510743470.1

申请日：2015-11-05

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张帅 ,  詹裕程

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1222 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78687

摘要： 本公开涉及显示技术领域，并公开一种低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示面板。该低温多晶硅薄膜晶体管包括：包括设置在衬底上的有源层、源极、漏极、栅极、位于所述有源层和所述栅极之间的栅极绝缘层、以及设置在所述有源层和所述栅极绝缘层之间的氧化石墨烯层。通过在有源层和栅极绝缘层之间设置氧化石墨烯层，降低多晶硅有源层和栅极绝缘层之间界面粗糙度和界面缺陷态密度，并且不需要进行栅极绝缘层预清洗工艺。还公开了该多晶硅薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示面板。

公开(公告)号：CN105161498A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510479312.X

申请日：2015-08-03

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王祖强 ,  杨玉清

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/6675 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/786 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/66742

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置，属于显示装置领域。所述薄膜晶体管制作方法，包括：提供一基板；在所述基板上依次制作栅极、栅极绝缘层、非晶硅材料有源层和盖帽层，所述盖帽层在远离所述非晶硅材料有源层的一面上形成有图案，所述图案由至少一条沿所述有源层的长度方向的凹槽和至少一条沿所述有源层的宽度方向的凹槽构成；对所述非晶硅材料有源层进行激光退火处理，使所述非晶硅材料有源层转化为低温多晶硅材料有源层；除去所述盖帽层。

公开(公告)号：CN102945807B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210460335.2

申请日：2012-11-15

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 何宗泽

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/42384 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02592 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，涉及液晶显示领域。其中薄膜晶体管包括：一衬底基板；形成在所述衬底基板上的立体结构的栅电极；覆盖所述栅电极的栅绝缘层；形成在所述栅绝缘层上的半导体层；形成在所述半导体层上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的源漏电极，所述薄膜晶体管形成的沟道为立体结构。本发明的方案可以降低驱动电压减少驱动电路功耗，减少TFT占用面积增加通光率。

公开(公告)号：CN104952934A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510359405.9

申请日：2015-06-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 李良坚 ,  左岳平 ,  马应海 ,  许晓伟

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/41733 ,  H01L23/535 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/786 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66742

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管，包括有源层、与有源层绝缘间隔设置的栅极、绝缘层、通过贯穿绝缘层的源极过孔与有源层接触的源极和通过贯穿绝缘层的漏极过孔与有源层接触的漏极，源极过孔形成为阶梯孔，漏极过孔形成为阶梯孔。本发明还提供一种用于显示面板的阵列基板、一种显示面板和一种薄膜晶体管的制造方法。与现有技术相比，在制造本发明所提供的薄膜晶体管时，少使用一次掩膜板，降低了制造所述薄膜晶体管的成本。

公开(公告)号：CN104779171A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510223672.3

申请日：2015-05-05

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

发明人： 李兴华 ,  暴军萍

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L21/3085 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

摘要： 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、一种阵列基板和一种显示装置。所述低温多晶硅薄膜晶体管包括有源层、源极和漏极，所述有源层包括源极接触区、漏极接触区以及位于所述源极接触区和所述漏极接触区之间的沟道区，所述源极设置在所述源极接触区上方并通过源极过孔与所述源极接触区相连，所述漏极设置在所述漏极接触区的上方并通过漏极过孔与所述漏极接触区相连，所述源极接触区的厚度和所述漏极接触区的厚度均大于所述沟道区的厚度。本发明能够使得源极和漏极与有源层具有较大的接触面积，从而提高了低温多晶硅薄膜晶体管的可靠性和良率。