公开(公告)号：CN103026492B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201280002085.6

申请日：2012-02-06

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  川岛孝启 ,  林宏 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种能抑制突增现象、且具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件及其制造方法。薄膜晶体管器件具备：栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极（2）上；结晶硅薄膜（4），其形成于栅极绝缘膜（3）上；第1半导体膜（5），其形成于结晶硅薄膜（4）上；一对第2半导体膜（6），其形成于第1半导体膜（5）上；源电极（8S），其形成于一对第2半导体膜（6）的一方的上方；以及漏电极（8D），其形成于一对第2半导体膜（6）的另一方的上方，将结晶硅薄膜（4）和第1半导体膜（5）的导带下端的能级分别设为ECP、EC1，则ECP

公开(公告)号：CN102576711B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201080002870.2

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  河内玄士朗

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3279

Abstract: 薄膜晶体管阵列装置，具备底栅型的第1以及第2晶体管，栅极配线(21)，配置在与第1晶体管所包含的第1栅极电极(41)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1栅极电极(41)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的源极配线的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与栅极配线(21)以及中继电极(55)之间，在栅极配线(21)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的栅极配线(21)形成在同一层，由与栅极配线(21)相同的材料构成。

公开(公告)号：CN102549636B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080002882.5

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  河内玄士朗

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3279

Abstract: 薄膜晶体管阵列装置(20)，具备底栅型的第1以及第2晶体管，源极配线(22)，配置在与第1晶体管所包含的第1源极电极(42)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1源极电极(42)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的栅极配线(21)的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与源极配线(22)以及中继电极(55)之间，在源极配线(22)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的源极配线(22)形成在同一层，由与源极配线(22)相同的材料构成。

公开(公告)号：CN103026492A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201280002085.6

申请日：2012-02-06

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  川岛孝启 ,  林宏 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种能抑制突增现象、且具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件及其制造方法。薄膜晶体管器件具备：栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极（2）上；结晶硅薄膜（4），其形成于栅极绝缘膜（3）上；第1半导体膜（5），其形成于结晶硅薄膜（4）上；一对第2半导体膜（6），其形成于第1半导体膜（5）上；源电极（8S），其形成于一对第2半导体膜（6）的一方的上方；以及漏电极（8D），其形成于一对第2半导体膜（6）的另一方的上方，将结晶硅薄膜（4）和第1半导体膜（5）的导带下端的能级分别设为ECP、EC1，则ECP

公开(公告)号：CN103314444B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201280004416.X

申请日：2012-10-23

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 钟之江有宣 ,  川岛孝启

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 薄膜半导体器件（100）具备：栅电极（120）、沟道层（140）、第1非晶半导体层（150）、沟道保护层（160）、在沟道层（140）的两侧面形成的一对第2非晶半导体层（171、172）、和经由第2非晶半导体层（171、172）与沟道层（140）的侧面接触的一对接触层（181、182），栅电极（120）、沟道层（140）、第1非晶半导体层（150）以及沟道保护层（160）层叠成俯视时外形轮廓线一致，第1非晶半导体层（150）的局部能级密度比第2非晶半导体层（171、172）的局部能级密度高，第2非晶半导体层（171、172）的带隙比第1非晶半导体层（150）的带隙大。

公开(公告)号：CN102959712A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180015805.8

申请日：2011-06-17

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 岸田悠治 ,  川岛孝启 ,  钟之江有宣 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/7866

Abstract: 本发明的薄膜晶体管（10）具备：基板（1）；栅电极（2），其形成于基板上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极上；结晶硅半导体层（4），其形成于栅极绝缘膜上；非晶硅半导体层（5），其形成于结晶硅半导体层上；有机保护膜（6），其形成于非晶硅半导体层上，由有机材料形成；源电极（8S）及漏电极（8D），其夹着有机保护膜而形成于非晶硅半导体层上，包含于非晶硅半导体层（5）的负载流子的电荷密度为3×1011cm-2以上。

公开(公告)号：CN102549636A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080002882.5

申请日：2010-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  河内玄士朗

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3279

Abstract: 薄膜晶体管阵列装置(20)，具备底栅型的第1以及第2晶体管，源极配线(22)，配置在与第1晶体管所包含的第1源极电极(42)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1源极电极(42)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的栅极配线(21)的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与源极配线(22)以及中继电极(55)之间，在源极配线(22)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的源极配线(22)形成在同一层，由与源极配线(22)相同的材料构成。

公开(公告)号：CN102576711A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080002870.2

申请日：2010-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  河内玄士朗

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3279

Abstract: 薄膜晶体管阵列装置，具备底栅型的第1以及第2晶体管，栅极配线(21)，配置在与第1晶体管所包含的第1栅极电极(41)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1栅极电极(41)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的源极配线的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与栅极配线(21)以及中继电极(55)之间，在栅极配线(21)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的栅极配线(21)形成在同一层，由与栅极配线(21)相同的材料构成。

公开(公告)号：CN102934153B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201080067213.6

申请日：2010-09-29

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 钟之江有宣

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L29/78 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明的显示装置用薄膜半导体装置（2）包括：形成于基板上的第1栅电极（310G）、形成于第1栅电极上的栅极绝缘膜（330）、形成于第1栅电极的上方的第1半导体层（311）、形成于第1半导体层的上方的第1源电极（310S）、形成在与第1源电极同层的第2漏电极（320D）、形成为覆盖第1源电极及第2漏电极的第1层间绝缘膜（340）、配置在第1层间绝缘膜上的栅极布线（21）、与第2漏电极同层且与第2漏电极电连接的第1电源布线（23A）、和形成在与栅极布线同层的第2电源布线（23B）。而且，第1栅电极和栅极布线经由第1接触部（111）而电连接，第1电源布线和第2电源布线经由第2接触部（112）而电连接。

公开(公告)号：CN102576722B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201080003406.5

申请日：2010-09-29

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 钟之江有宣

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/3276

Abstract: EL显示面板具有EL部和薄膜半导体部，EL部包括阳极电极、阴极电极和发光层，薄膜半导体部具有基板、栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、第1电极、第2电极、层间绝缘膜、在层间绝缘膜上配置的栅极布线(21)、在层间绝缘膜上与栅极布线(21)同层且与栅极布线(21)并行地配置的电源布线(23)、在层间绝缘膜上与栅极布线(21)和电源布线(23)同层且与栅极布线(21)和电源布线(23)并行地配置的辅助布线(25)。