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公开(公告)号：CN103026492A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201280002085.6
申请日：2012-02-06
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78687 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种能抑制突增现象、且具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件及其制造方法。薄膜晶体管器件具备：栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极（2）上；结晶硅薄膜（4），其形成于栅极绝缘膜（3）上；第1半导体膜（5），其形成于结晶硅薄膜（4）上；一对第2半导体膜（6），其形成于第1半导体膜（5）上；源电极（8S），其形成于一对第2半导体膜（6）的一方的上方；以及漏电极（8D），其形成于一对第2半导体膜（6）的另一方的上方，将结晶硅薄膜（4）和第1半导体膜（5）的导带下端的能级分别设为ECP、EC1，则ECP
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公开(公告)号：CN102959712A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180015805.8
申请日：2011-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/7866
Abstract: 本发明的薄膜晶体管（10）具备：基板（1）；栅电极（2），其形成于基板上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极上；结晶硅半导体层（4），其形成于栅极绝缘膜上；非晶硅半导体层（5），其形成于结晶硅半导体层上；有机保护膜（6），其形成于非晶硅半导体层上，由有机材料形成；源电极（8S）及漏电极（8D），其夹着有机保护膜而形成于非晶硅半导体层上，包含于非晶硅半导体层（5）的负载流子的电荷密度为3×1011cm-2以上。
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公开(公告)号：CN102549636A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080002882.5
申请日：2010-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: G09F9/30 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3279
Abstract: 薄膜晶体管阵列装置(20)，具备底栅型的第1以及第2晶体管，源极配线(22)，配置在与第1晶体管所包含的第1源极电极(42)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1源极电极(42)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的栅极配线(21)的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与源极配线(22)以及中继电极(55)之间，在源极配线(22)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的源极配线(22)形成在同一层，由与源极配线(22)相同的材料构成。
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公开(公告)号：CN102576711A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080002870.2
申请日：2010-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3279
Abstract: 薄膜晶体管阵列装置，具备底栅型的第1以及第2晶体管，栅极配线(21)，配置在与第1晶体管所包含的第1栅极电极(41)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1栅极电极(41)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的源极配线的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与栅极配线(21)以及中继电极(55)之间，在栅极配线(21)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的栅极配线(21)形成在同一层，由与栅极配线(21)相同的材料构成。
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公开(公告)号：CN103026492B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201280002085.6
申请日：2012-02-06
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78687 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种能抑制突增现象、且具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件及其制造方法。薄膜晶体管器件具备：栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极（2）上；结晶硅薄膜（4），其形成于栅极绝缘膜（3）上；第1半导体膜（5），其形成于结晶硅薄膜（4）上；一对第2半导体膜（6），其形成于第1半导体膜（5）上；源电极（8S），其形成于一对第2半导体膜（6）的一方的上方；以及漏电极（8D），其形成于一对第2半导体膜（6）的另一方的上方，将结晶硅薄膜（4）和第1半导体膜（5）的导带下端的能级分别设为ECP、EC1，则ECP
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公开(公告)号：CN102576711B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201080002870.2
申请日：2010-09-21
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 , 松下液晶显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3279
Abstract: 薄膜晶体管阵列装置，具备底栅型的第1以及第2晶体管，栅极配线(21)，配置在与第1晶体管所包含的第1栅极电极(41)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1栅极电极(41)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的源极配线的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与栅极配线(21)以及中继电极(55)之间，在栅极配线(21)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的栅极配线(21)形成在同一层，由与栅极配线(21)相同的材料构成。
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公开(公告)号：CN102549636B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201080002882.5
申请日：2010-09-21
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: G09F9/30 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3279
Abstract: 薄膜晶体管阵列装置(20)，具备底栅型的第1以及第2晶体管，源极配线(22)，配置在与第1晶体管所包含的第1源极电极(42)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1源极电极(42)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的栅极配线(21)的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与源极配线(22)以及中继电极(55)之间，在源极配线(22)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的源极配线(22)形成在同一层，由与源极配线(22)相同的材料构成。
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公开(公告)号：CN107516471B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710679587.7
申请日：2014-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/32 , H05B33/26 , H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/22 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及发光面板。一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。
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公开(公告)号：CN103314444A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201280004416.X
申请日：2012-10-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/786 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02675 , H01L27/3262 , H01L29/6675 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78696
Abstract: 薄膜半导体器件（100）具备：栅电极（120）、沟道层（140）、第1非晶半导体层（150）、沟道保护层（160）、在沟道层（140）的两侧面形成的一对第2非晶半导体层（171、172）、和经由第2非晶半导体层（171、172）与沟道层（140）的侧面接触的一对接触层（181、182），栅电极（120）、沟道层（140）、第1非晶半导体层（150）以及沟道保护层（160）层叠成俯视时外形轮廓线一致，第1非晶半导体层（150）的局部能级密度比第2非晶半导体层（171、172）的局部能级密度高，第2非晶半导体层（171、172）的带隙比第1非晶半导体层（150）的带隙大。
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公开(公告)号：CN104934437A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510007493.6
申请日：2015-01-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 钟之江有宣
Abstract: 提供一种使用氧化物半导体的顶部栅极结构的TFT基板，该TFT基板在实现接触区域的低电阻化的同时，进一步提高了对水分的阻隔性。TFT基板(1)具备第1水分阻隔层(6)，所述第1水分阻隔层(6)被设置为覆盖栅极绝缘层(4)以及栅电极(5)，并且，被设置为覆盖氧化物半导体层(3)的接触区域(3a1、3a2)上的、除了接触区域(3a1)与源电极(8)的接合部分、以及接触区域(3a2)与漏电极(9)的接合部分之外的区域、和基板(2)上的不存在氧化物半导体层(3)的区域。第1水分阻隔层(6)包含金属氧化物，采用原子层沉积法形成。
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