公开(公告)号：CN103109373A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201180041844.5

申请日：2011-04-06

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 林宏 ,  川岛孝启 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明的显示装置用薄膜半导体装置（10）包括：基板（1）；形成于基板上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上，且在表面具有凸形状的沟道层（4）；形成于沟道层的凸形状之上，且包括含有硅、氧及碳的有机材料的沟道保护层（5）；界面层（6），形成于沟道层的凸形状的上面与沟道保护层之间的界面，含有碳作为主要成分，作为其主要成分的碳是来源于所述有机材料的碳；和源电极（8s）及漏电极（8d），沿着沟道保护层的端部的上部及侧部、与沟道保护层的侧部相连的界面层的侧部、与界面层的侧部相连的沟道层的凸形状的侧部、以及与沟道层的凸形状的侧部相连的沟道层的上部而形成。

公开(公告)号：CN103026492A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201280002085.6

申请日：2012-02-06

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  川岛孝启 ,  林宏 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种能抑制突增现象、且具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件及其制造方法。薄膜晶体管器件具备：栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极（2）上；结晶硅薄膜（4），其形成于栅极绝缘膜（3）上；第1半导体膜（5），其形成于结晶硅薄膜（4）上；一对第2半导体膜（6），其形成于第1半导体膜（5）上；源电极（8S），其形成于一对第2半导体膜（6）的一方的上方；以及漏电极（8D），其形成于一对第2半导体膜（6）的另一方的上方，将结晶硅薄膜（4）和第1半导体膜（5）的导带下端的能级分别设为ECP、EC1，则ECP

公开(公告)号：CN102405527A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201080002214.2

申请日：2010-05-11

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 林宏 ,  川岛孝启 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种显示装置用薄膜半导体器件，具有：第一沟道层(130)，由多晶半导体层形成；第二沟道层(140)，由形成在第一沟道层(130)上的非晶半导体层形成，在表面具有凸形状；绝缘层(150)，形成在第二沟道层(140)的凸形状的上面；接触层(160)以及(161)，形成在绝缘层(150)的端部的上面及侧面、与绝缘层(150)的侧面相连的第二沟道层(140)的凸形状的侧面、以及与第二沟道层(140)的凸形状的侧面相连的第二沟道层(140)的上面；以及源电极(170)和漏电极(171)，接触层(160)以及(161)具有第一导电方式，第二沟道层(140)的凸形状的上部具有第二导电方式，由此能够使导通电流大幅度增加的同时使截止电流大幅度降低。

公开(公告)号：CN103081078A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180040719.2

申请日：2011-07-05

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 林宏 ,  川岛孝启 ,  河内玄士朗

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的薄膜晶体管的目的在于提供可以使优异的导通特性与优异的截止特性并存、电特性相对于源电极以及漏电极的调换成为对称的薄膜晶体管，具备：基板（100）；栅电极（110）；栅极绝缘层（120）；形成于栅电极（110）的上方的栅极绝缘层（120）上的结晶硅层（131）；形成于栅极绝缘层（120）上且结晶硅层（131）的两侧、膜厚比结晶硅层（131）的膜厚薄的非晶硅层（130）；形成于结晶硅层（131）上的沟道保护层（140）；源电极（171）以及漏电极（172）。

公开(公告)号：CN103038887A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180003938.3

申请日：2011-08-09

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 林宏 ,  川岛孝启 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜半导体器件及其制造方法。本发明的薄膜半导体器件(10)具备：基板(1)；栅电极(2)，其形成在基板的上方；栅极绝缘膜(3)，其形成在栅电极上；沟道层，其形成在栅极绝缘膜上，由多晶半导体层(4)形成；非晶半导体层(5)，其形成在沟道层上、并在表面具有凸形状；源电极(8S)和漏电极(8D)，其形成在非晶半导体层的上方，非晶半导体层(5)的沟道层侧的第一部分(51)的电阻率比非晶半导体层(5)的源电极及漏电极侧的第二部分(52)的电阻率小。

公开(公告)号：CN103329275A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180065194.8

申请日：2011-11-17

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 林宏 ,  川岛孝启 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78636

Abstract: 形成在栅极绝缘膜（3）上的半导体层（4）的带隙能量为1.6eV以下。形成在半导体层（4）上的绝缘层（5）具有：配置在比第1接触开口部（8）更靠外侧的位置的第1绝缘层区域（5a）、和配置在比第2接触开口部（9）更靠外侧的位置的第2绝缘层区域（5b）。第1绝缘层区域（5a）配置在栅电极（2）的一端部的上方，第2绝缘层区域（5b）配置在栅电极（2）的另一端部的上方。

公开(公告)号：CN103189990A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180004242.2

申请日：2011-10-28

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 林宏 ,  川岛孝启 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66765

Abstract: 本发明的薄膜半导体器件(10)的制造方法，包括：第一工序，准备基板(1)；第二工序，在基板(1)上形成栅电极(2)；第三工序，在栅电极(2)上形成栅极绝缘膜(3)作为第一绝缘膜；第四工序，在栅极绝缘膜(3)上形成成为沟道层(4)的非晶半导体薄膜(4a)；第五工序，在非晶半导体薄膜(4a)上形成沟道保护膜(5)作为第二绝缘膜；第六工序，通过对沟道保护膜(5)照射光线，提高沟道保护膜(5)的透射率；以及第七工序，在沟道层(4)的上方形成源电极(7S)以及漏电极(7D)。

公开(公告)号：CN103026492B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201280002085.6

申请日：2012-02-06

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  川岛孝启 ,  林宏 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种能抑制突增现象、且具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件及其制造方法。薄膜晶体管器件具备：栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极（2）上；结晶硅薄膜（4），其形成于栅极绝缘膜（3）上；第1半导体膜（5），其形成于结晶硅薄膜（4）上；一对第2半导体膜（6），其形成于第1半导体膜（5）上；源电极（8S），其形成于一对第2半导体膜（6）的一方的上方；以及漏电极（8D），其形成于一对第2半导体膜（6）的另一方的上方，将结晶硅薄膜（4）和第1半导体膜（5）的导带下端的能级分别设为ECP、EC1，则ECP

公开(公告)号：CN103109373B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201180041844.5

申请日：2011-04-06

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 林宏 ,  川岛孝启 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明的显示装置用薄膜半导体装置（10）包括：基板（1）；形成于基板上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上，且在表面具有凸形状的沟道层（4）；形成于沟道层的凸形状之上，且包括含有硅、氧及碳的有机材料的沟道保护层（5）；界面层（6），形成于沟道层的凸形状的上面与沟道保护层之间的界面，含有碳作为主要成分，作为其主要成分的碳是来源于所述有机材料的碳；和源电极（8s）及漏电极（8d），沿着沟道保护层的端部的上部及侧部、与沟道保护层的侧部相连的界面层的侧部、与界面层的侧部相连的沟道层的凸形状的侧部、以及与沟道层的凸形状的侧部相连的沟道层的上部而形成。

公开(公告)号：CN103053026A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201180017713.3

申请日：2011-08-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸田悠治 ,  林宏 ,  川岛孝启 ,  西田健一郎

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管器件以及薄膜晶体管器件的制造方法，本发明的薄膜晶体管器件（10）是底栅型的薄膜晶体管器件，具备：形成于基板（1）上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上、具有沟道区域的结晶硅薄膜（4）；形成于包含沟道区域的结晶硅薄膜上的非晶硅薄膜（5）；以及形成于非晶硅薄膜上方的源电极（8S）和漏电极（8D），非晶硅薄膜的光学带隙与薄膜晶体管器件的截止电流具有正的相关关系。