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公开(公告)号：CN103053026A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201180017713.3
申请日：2011-08-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管器件以及薄膜晶体管器件的制造方法，本发明的薄膜晶体管器件（10）是底栅型的薄膜晶体管器件，具备：形成于基板（1）上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上、具有沟道区域的结晶硅薄膜（4）；形成于包含沟道区域的结晶硅薄膜上的非晶硅薄膜（5）；以及形成于非晶硅薄膜上方的源电极（8S）和漏电极（8D），非晶硅薄膜的光学带隙与薄膜晶体管器件的截止电流具有正的相关关系。
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