- 专利标题: 薄膜晶体管及制造方法、阵列基板、显示面板
- 专利标题(英): Thin film transistor, manufacturing method, array substrate and display panel
-
申请号: CN201510359405.9申请日: 2015-06-25
-
公开(公告)号: CN104952934A公开(公告)日: 2015-09-30
- 发明人: 李良坚 , 左岳平 , 马应海 , 许晓伟
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 彭瑞欣; 陈源
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; H01L21/336 ; H01L27/12
摘要:
本发明提供一种薄膜晶体管,包括有源层、与有源层绝缘间隔设置的栅极、绝缘层、通过贯穿绝缘层的源极过孔与有源层接触的源极和通过贯穿绝缘层的漏极过孔与有源层接触的漏极,源极过孔形成为阶梯孔,漏极过孔形成为阶梯孔。本发明还提供一种用于显示面板的阵列基板、一种显示面板和一种薄膜晶体管的制造方法。与现有技术相比,在制造本发明所提供的薄膜晶体管时,少使用一次掩膜板,降低了制造所述薄膜晶体管的成本。
公开/授权文献
- CN104952934B 薄膜晶体管及制造方法、阵列基板、显示面板 公开/授权日:2018-05-01
IPC分类: