薄膜晶体管及制造方法、阵列基板、显示面板

发明授权

请登陆查看更多内容

专利标题： 薄膜晶体管及制造方法、阵列基板、显示面板
申请号： CN201510359405.9

申请日： 2015-06-25
公开(公告)号： CN104952934B

公开(公告)日： 2018-05-01
发明人: 李良坚 , 左岳平 , 马应海 , 许晓伟
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
申请人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号
专利权人： 京东方科技集团股份有限公司
当前专利权人： 京东方科技集团股份有限公司
当前专利权人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理商 彭瑞欣; 陈源
主分类号： H01L29/786
IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/336 ; H01L27/12

摘要：

本发明提供一种薄膜晶体管，包括有源层、与有源层绝缘间隔设置的栅极、绝缘层、通过贯穿绝缘层的源极过孔与有源层接触的源极和通过贯穿绝缘层的漏极过孔与有源层接触的漏极，源极过孔形成为阶梯孔，漏极过孔形成为阶梯孔。本发明还提供一种用于显示面板的阵列基板、一种显示面板和一种薄膜晶体管的制造方法。与现有技术相比，在制造本发明所提供的薄膜晶体管时，少使用一次掩膜板，降低了制造所述薄膜晶体管的成本。

摘要（英）：

The present application discloses a thin film transistor comprising active layer on a base substrate; an insulating layer over fee active layer, the insulating layer comprising a source via and a drain via, each of which extending through the insulating layer; a source electrode within the source via in contact with the active layer; and a drain electrode within the drain via in contact with the active layer.

公开/授权文献

CN104952934A 薄膜晶体管及制造方法、阵列基板、显示面板公开/授权日：2015-09-30

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786	......薄膜晶体管