公开(公告)号：CN101526709B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910126641.0

申请日：2009-03-05

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 海东拓生 ,  园田大介 ,  新田秀和

IPC: G02F1/1362 ,  G09G3/36 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/103 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。通过湿法蚀刻来加工沟道截断环层，通过干法蚀刻来加工poly-Si层。在沟道截断环层形成侧面蚀刻，由此使poly-Si层的周边部从沟道截断环层露出，将该区域用于与n+Si层接触。通过该结构能够减少TFT的导通电阻，增加导通电流。由此，能够在用于液晶显示装置的底栅型TFT中，在poly-Si层之上形成沟道截断环层，使TFT的特性稳定。

公开(公告)号：CN101900913A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010196458.0

申请日：2010-05-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 久保田大介 ,  山下晃央 ,  石谷哲二 ,  田村智宏

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/1343 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/1345 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/13793 ,  G02F2202/023 ,  G02F2202/103 ,  G02F2202/104 ,  G02F2202/105 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种使用呈现蓝相的液晶的具有新颖结构的液晶显示装置及其制造方法。在同一衬底上形成多个结构体(也称为肋拱、突起、凹部)，并在该多个结构体上形成像素电极以及对应于该像素电极的电极(固定电位的共同电极)。通过使像素电极倾斜并使对应于像素电极的电极也倾斜，可以形成对呈现蓝相的液晶层施加电场的结构。通过使相邻的结构体之间的间隔较窄，可以对液晶层施加较强的电场，从而可以减少用于驱动液晶的耗电量。

公开(公告)号：CN1991543A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610111203.3

申请日：2006-08-11

Applicant: 广辉电子股份有限公司 ,  广辉电子日本股份有限公司

Inventor： 川崎清弘 ,  李佳宗 ,  陈建宏

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1333 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2202/103

Abstract: 本发明液晶显示装置制造方法，是一3道掩膜－制程，包括：先形成低电阻金属层，以可使用蚀刻去除栅绝缘层的耐热金属层经层合所形成的源极－漏极电路，且于至少赋予保护绝缘栅型晶体的通道与信号线的手段后，以该截面形状为逆锥型形状的感旋光性树脂图型，而于包含栅绝缘层的绝缘层形成开口部，将前述开口部内所露出的低电阻金属层去除后，以该感旋光性树脂图型作为剥离材料，经由对像素电极用导电性薄膜层的剥离而形成像素电极。经由开口部的形成步骤，与开口部形成步骤后的像素电极形成步骤下，即可省却使用1道掩膜的半色调曝光技术下即可进行处理。

公开(公告)号：CN1618037A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02827948.4

申请日：2002-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东奎

IPC: G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/13454 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/50 ,  G02F2202/103 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G11C19/28 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669

Abstract: 本发明披露了一种非晶硅薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法。在绝缘基片(110)上形成具有栅极线(112a－112f)和栅极的栅极图案，该绝缘基片包含显示区域和具有移位寄存器的驱动电路区域。在该基片上连续形成包含源极/漏极的栅极绝缘层(114)活性层图案(118a－118d)和数据图案。在其上形成钝化层(130)，且具有露出显示区域的漏极的第一接触孔(41)、分别露出各移位寄存器的第一晶体管的栅极和源极/漏极的第二及第三接触孔(42，43)。在钝化层(130)上形成电极图案(140，142)，且包含与显示区域的漏极(118b)连接的第一电极(140)、将栅极与源极/漏极连接的第二电极。在基片上集成包含移位寄存器和布线的栅极驱动电路，从而简化了薄膜晶体管液晶显示器的制造工艺。

公开(公告)号：CN1165568A

公开(公告)日：1997-11-19

申请号：CN96191152.2

申请日：1996-10-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐藤尚

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1345 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0266 ,  G02F1/136204 ,  G02F2202/103 ,  H01L27/0255 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 能够削减反交错结构的非晶硅薄膜晶体管制造工序的新制造方法、具备用其制造方法做成的静电保护装置的有源矩阵基板及使用了其基板的液晶显示装置。在薄膜晶体管的制造工序中同时形成连接孔和用于连接外部端子的开口，并都把ITO膜作为布线使用。静电保护装置由连接在用于连接在外部端子的电极(压焊区)和共用电位线之间的、用MOS晶体管构成的双向二极管(静电保护元件)组成。静电保护元件实质上是晶体管，电流容量大，还有，能够直接使用象素部分的TFT形成工序形成而不使工序复杂化。

公开(公告)号：CN108028201A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201580083197.2

申请日：2015-09-17

Applicant: 堺显示器制品株式会社

Inventor： 松岛吉明 ,  石田茂 ,  高仓良平 ,  宇津木觉 ,  野寺伸武 ,  松本隆夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/103 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02678 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供通过调整多晶硅的结晶性从而适当地对特性进行了调整的薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法。TFT的沟道层中所含的硅层14包含非晶部141、第1多晶部142和结晶性更低的第2多晶部143。通过经过掩模2将激光照射于硅层14，该掩模2包含将激光(能量束)遮蔽的遮蔽部21、使激光透过的第1透过部22和激光的透过率更低的第2遮蔽部22，从而形成第1多晶部142和第2多晶部143。通过存在第2多晶部143，与多晶的部分的结晶性为一种的TFT相比，更为适当地调整迁移率等TFT的特性。另外，通过调整掩模2的构成，从而能够简便地调整TFT的特性。

公开(公告)号：CN104503127B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410717233.3

申请日：2014-12-01

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 宋利旺

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/103 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板通过将黑色矩阵和色阻层均设置于阵列基板上，并且将色阻层设置于TFT层上，避免了TFT制备过程中的高温制程对色阻层产生不良影响，同时为防止阵列基板漏电，TFT层采用顶栅型TFT结构，从而使得液晶面板具有较高的显示品质。所述阵列基板的制作方法，首先在基板上形成黑色矩阵，其次在黑色矩阵上进行TFT制程，然后在TFT制作完成后再形成色阻层，从而实现将黑色矩阵和色阻层均制作于阵列基板上，并且由于在TFT制程之后形成色阻层，避免了TFT制备过程中的高温制程中色阻挥发产生气体而导致产生气泡等不良现象，有效提升了液晶面板的显示品质，并且提高了产品良率。

公开(公告)号：CN105785682A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610345005.7

申请日：2016-05-23

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 张蒙蒙

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L23/552

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136209 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13625 ,  G02F2202/103 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78633 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/552 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制造方法，该阵列基板包括：第一遮光绝缘层形成在基板上，用于遮住进入基板的部分光线，其包括第一区域和第二区域，均为绝缘材料；第一功能层形成在第一遮光绝缘层的第二区域上，在第一遮光绝缘层的第二区域的遮光作用下避免受到光线的影响；第二功能层形成在第一遮光绝缘层的第一区域和第一功能层上，在第一遮光绝缘层的遮光作用下避免受到光线的影响；第三功能层形成在第二功能层上，在第一遮光绝缘层的遮光作用下避免受到光线的影响；第一功能层、第二功能层以及第三功能层为导体或半导体材料。通过上述方式，本发明能够使各个功能层不被照光，进而避免产生光漏电的问题。

公开(公告)号：CN105487285A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201610069410.0

申请日：2016-02-01

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 徐向阳

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/122 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/103 ,  H01L21/26513 ,  H01L27/124 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种阵列基板及阵列基板的制备方法。阵列基板包括基板及设置在基板同侧的多个栅极线、多个数据线及多个公共电极线，基板包括第一表面，栅极线间隔排布在第一表面上且与间隔排布数据线通过第一绝缘层绝缘设置，相邻的两条栅极线及相邻的两条数据线之间为像素区域，阵列基板还包括设置在像素区域内的薄膜晶体管、公共电极及像素电极，薄膜晶体管包括栅极、沟道层、源极及漏极，栅极及公共电极设置在第一表面上，公共电极与栅极平行、与公共电极线电连接且为透明导电层，沟道层、源极、漏极及像素电极设置在第一绝缘层上，且源极与漏极设置在沟道层相对的两端，像素电极与公共电极对应且与漏极电连接。

公开(公告)号：CN105467638A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201610009573.X

申请日：2016-01-08

Applicant: 豪威半导体(上海)有限责任公司

Inventor： 杜永群 ,  柳冬冬

IPC: G02F1/133 ,  G03B21/00

CPC classification number: G02F1/13306 ,  G02F1/133 ,  G02F2001/13324 ,  G02F2202/103 ,  G03B21/006

Abstract: 本发明提供了一种LCOS结构及制造方法。所述LCOS结构包括：前端结构，所述前端结构中形成有光电二极管；开关电路模块和光能转换电路模块，交替排列设置于所述前端结构上，且与所述光电二极管相连接；液晶材料层，设置于所述开关电路模块和所述光能转换电路模块之上，且所述液晶材料层具有沟槽，所述沟槽暴露出所述光能转换电路模块；第一太阳能电池材料层，设置于所述沟槽中，且与所述光能转换电路模块相连接；盖层，设置于所述第一太阳能电池材料层和所述液晶材料层上。本发明的LCOS结构吸收散射光而提高显示对比度，并且利用光能转换成电能，提高产品续航能力。