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公开(公告)号：CN101109879B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200710126816.9
申请日：2007-06-27
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/134363 , G02F2001/133357 , G02F2202/38 , G02F2202/42
Abstract: 本发明提供提高开口率的同时增大辅助电容的液晶显示装置。在第1基板10A上形成的有源元件的上层依次层叠形成的门绝缘膜12B、门电极2、层间绝缘膜12C、图像线D与源电极4。层间绝缘膜12C由至少含有高电介质微粒或溶胶凝胶的相对介电常数为4.0以上的涂布型透明绝缘膜形成。门绝缘膜12B上具有第1通孔SH3，在第1通孔SH3内的层间绝缘膜12C上形成第2通孔SH4，通过第2通孔SH4将源电极4电连接在有源元件上，门电极2、图像线D、源电极4及层间绝缘膜12C构成保持电容。
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公开(公告)号：CN1460979A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03121106.2
申请日：2003-03-21
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13454 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/3244
Abstract: 提供一种显示装置，在驱动电路等中具备用减小P－MOS TFT和N－MOS TFT的办法进行高集成化的C－MOS p－Si TFT。采用作为用来制作在显示装置中具备的C－MOS p－Si TFT的暴光掩模使用半色调掩模的自对准C－MOS工艺。由于使用半色调掩模，在P－MOS部分25和N－MOS部分26的结合部分处就不再需要位置对准，减少了光工艺次数，可以高集成化。
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公开(公告)号：CN101526709B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910126641.0
申请日：2009-03-05
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/1303 , G02F1/1368 , G02F2202/103 , G02F2202/104 , H01L27/1214 , H01L29/66765 , H01L29/78609
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。通过湿法蚀刻来加工沟道截断环层，通过干法蚀刻来加工poly-Si层。在沟道截断环层形成侧面蚀刻，由此使poly-Si层的周边部从沟道截断环层露出，将该区域用于与n+Si层接触。通过该结构能够减少TFT的导通电阻，增加导通电流。由此，能够在用于液晶显示装置的底栅型TFT中，在poly-Si层之上形成沟道截断环层，使TFT的特性稳定。
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公开(公告)号：CN101101422B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710126924.6
申请日：2007-07-03
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133371 , G02F1/133555 , G02F1/134363 , G02F1/13454 , G09G3/3655 , G09G2300/0456
Abstract: 本发明提供一种半透射型液晶显示装置，包括具有一对基板和夹持在上述一对基板间的液晶层的液晶显示板，上述液晶显示板包括多个各自具有透射部和反射部的子像素，上述一对基板中的一块基板包括有源元件、设置在上述有源元件的电极的上层并具有第一接触孔的第一绝缘膜、设置在上述第一绝缘膜的上层的对置电极、在上述对置电极的上层并设置在上述反射部的反射电极、设置在上述对置电极和上述反射电极的上层并具有第二接触孔的第二绝缘膜、设置在上述第二绝缘膜的上层的像素电极、形成于上述第一接触孔并与上述有源元件的电极电连接的导体，上述像素电极通过上述第二接触孔与上述导体电连接。根据本发明的半透射型液晶显示装置，能提高制造成品率。
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公开(公告)号：CN1272858C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN03121106.2
申请日：2003-03-21
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L29/786 , G09G3/00 , G09G3/32 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13454 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/3244
Abstract: 提供一种显示装置，在驱动电路等中具备用减小P-MOS TFT和N-MOS TFT的办法进行高集成化的C-MOS p-Si TFT。采用作为用来制作在显示装置中具备的C-MOS p-Si TFT的暴光掩模使用半色调掩模的自对准C-MOS工艺。由于使用半色调掩模，在P-MOS部分25和N-MOS部分26的结合部分处就不再需要位置对准，减少了光工艺次数，可以高集成化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102445806A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110303719.9
申请日：2011-09-29
Applicant: 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , G02F2001/1676
Abstract: 本发明提供一种电泳方式显示装置。在电泳方式显示装置中，即使在增大平面电极的面积从而提高像素的亮度的情况下，也能够使隔壁电极的面积增大到与平面电极的面积为同等程度，维持存储效果，并维持图像的对比度。形成有像素，该像素在由第一基板、第二基板和隔壁所形成的区域中封入有绝缘性液体和泳动粒子。为了增大平面电极(130)从而提高像素的亮度，需要减小隔壁(110)的宽度，但该情况下，从机械强度的要求出发，需要减小隔壁(110)的高度。若减小隔壁(110)的高度，则隔壁电极的面积缩小，不能维持存储效果。为了增大隔壁电极的面积，使隔壁(110)的平面形状为锯齿状。
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公开(公告)号：CN101526709A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910126641.0
申请日：2009-03-05
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/1303 , G02F1/1368 , G02F2202/103 , G02F2202/104 , H01L27/1214 , H01L29/66765 , H01L29/78609
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。通过湿法蚀刻来加工沟道截断环层，通过干法蚀刻来加工poly－Si层。在沟道截断环层形成侧面蚀刻，由此使poly－Si层的周边部从沟道截断环层露出，将该区域用于与n+Si层接触。通过该结构能够减少TFT的导通电阻，增加导通电流。由此，能够在用于液晶显示装置的底栅型TFT中，在poly－Si层之上形成沟道截断环层，使TFT的特性稳定。
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公开(公告)号：CN100478755C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610142710.3
申请日：2006-10-26
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/133345 , G02F1/134363 , G02F1/136204 , G02F2201/124
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，在台阶部形成在绝缘膜两侧的电极间不会发生短路。该液晶显示装置，包括第1基板；第2基板；夹在第1基板和第2基板之间的液晶，其中，上述第1基板，包括有源元件、形成在比上述有源元件更上层的第1绝缘膜、设置在比第1绝缘膜更上层的第1电极、设置在比第1电极更上层的第2绝缘膜、以及设置在比第2绝缘膜更上层的第2电极，上述第2绝缘膜是涂敷型绝缘膜，上述第1绝缘膜具有第1接触孔，上述第2绝缘膜形成在第1电极与第2电极之间、和第1接触孔内，在第1接触孔内的上述第2绝缘膜上，形成第2接触孔，上述第2电极是像素电极，上述第2电极，经由第2接触孔与上述有源元件电连接，由第1电极、第2电极和第2绝缘膜形成保持电容。
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公开(公告)号：CN101101422A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710126924.6
申请日：2007-07-03
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133371 , G02F1/133555 , G02F1/134363 , G02F1/13454 , G09G3/3655 , G09G2300/0456
Abstract: 本发明提供一种半透射型液晶显示装置，包括具有一对基板和夹持在上述一对基板间的液晶层的液晶显示板，上述液晶显示板包括多个各自具有透射部和反射部的子像素，上述一对基板中的一块基板包括有源元件、设置在上述有源元件的电极的上层并具有第一接触孔的第一绝缘膜、设置在上述第一绝缘膜的上层的对置电极、在上述对置电极的上层并设置在上述反射部的反射电极、设置在上述对置电极和上述反射电极的上层并具有第二接触孔的第二绝缘膜、设置在上述第二绝缘膜的上层的像素电极、形成于上述第一接触孔并与上述有源元件的电极电连接的导体，上述像素电极通过上述第二接触孔与上述导体电连接。根据本发明的半透射型液晶显示装置，能提高制造成品率。
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公开(公告)号：CN1955803A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610142710.3
申请日：2006-10-26
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/133345 , G02F1/134363 , G02F1/136204 , G02F2201/124
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，在台阶部形成在绝缘膜两侧的电极间不会发生短路。该液晶显示装置，包括第1基板；第2基板；夹在第1基板和第2基板之间的液晶，其中，上述第1基板，包括有源元件、形成在比上述有源元件更上层的第1绝缘膜、设置在比第1绝缘膜更上层的第1电极、设置在比第1电极更上层的第2绝缘膜、以及设置在比第2绝缘膜更上层的第2电极，上述第2绝缘膜是涂敷型绝缘膜，上述第1绝缘膜具有第1接触孔，上述第2绝缘膜形成在第1电极与第2电极之间、和第1接触孔内，在第1接触孔内的上述第2绝缘膜上，形成第2接触孔，上述第2电极是像素电极，上述第2电极，经由第2接触孔与上述有源元件电连接，由第1电极、第2电极和第2绝缘膜形成保持电容。
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