公开(公告)号：CN100430809C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200610111203.3

申请日：2006-08-11

Applicant: 广辉电子股份有限公司 ,  广辉电子日本股份有限公司

Inventor： 川崎清弘 ,  李佳宗 ,  陈建宏

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1333 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2202/103

Abstract: 本发明液晶显示装置制造方法，是一3道掩膜-制程，包括：先形成低电阻金属层，以可使用蚀刻去除栅绝缘层的耐热金属层经层合所形成的源极-漏极电路，且于至少赋予保护绝缘栅型晶体的信道与信号线的手段后，以该截面形状为逆锥型形状的感旋光性树脂图型，而于包含栅绝缘层的绝缘层形成开口部，将前述开口部内所露出的低电阻金属层去除后，以该感旋光性树脂图型作为剥离材料，经由对像素电极用导电性薄膜层的剥离而形成像素电极。经由开口部的形成步骤，与开口部形成步骤的后的像素电极形成步骤下，即可省却使用1道掩膜的半色调曝光技术下即可进行处理。

公开(公告)号：CN1991543A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610111203.3

申请日：2006-08-11

Applicant: 广辉电子股份有限公司 ,  广辉电子日本股份有限公司

Inventor： 川崎清弘 ,  李佳宗 ,  陈建宏

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1333 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2202/103

Abstract: 本发明液晶显示装置制造方法，是一3道掩膜－制程，包括：先形成低电阻金属层，以可使用蚀刻去除栅绝缘层的耐热金属层经层合所形成的源极－漏极电路，且于至少赋予保护绝缘栅型晶体的通道与信号线的手段后，以该截面形状为逆锥型形状的感旋光性树脂图型，而于包含栅绝缘层的绝缘层形成开口部，将前述开口部内所露出的低电阻金属层去除后，以该感旋光性树脂图型作为剥离材料，经由对像素电极用导电性薄膜层的剥离而形成像素电极。经由开口部的形成步骤，与开口部形成步骤后的像素电极形成步骤下，即可省却使用1道掩膜的半色调曝光技术下即可进行处理。

公开(公告)号：CN1851906A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200610085010.5

申请日：2006-05-30

Applicant: 广辉电子股份有限公司

Inventor： 詹勋昌 ,  李佳宗 ,  郭可欣

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/311 ,  G02F1/136

Abstract: 本发明公开了一种可改善半导体层及绝缘层刻蚀倾斜角的液晶显示器用基板的制作方法，主要利用一含有氟硫化合物的刻蚀气体刻蚀绝缘层，使绝缘层形成良好的刻蚀倾斜角，并且使半导体层有一侧向刻蚀的效果，以提高后续制程的阶梯覆盖性。本发明亦可制作含有阻障层、半导体层、及绝缘层等多层结构的薄膜晶体管，且不会发生因膜层过多而造成膜层剥离、断线、崩毁等现象。此外，本发明制作方法还可整合各膜层制程以减少光罩数目，而达到简化制程与降低制作成本的目的。

公开(公告)号：CN1828873A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610007372.2

申请日：2006-02-13

Applicant: 广辉电子股份有限公司

Inventor： 李佳宗

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。在基板上形成多条扫描配线。在基板上依序形成图案化介电层与图案化半导体层，以覆盖部分扫描配线。在基板上依序形成图案化透明导电层与图案化金属层，以定义出多条数据配线、多个源极/漏极、多个像素电极与多个刻蚀保护层。刻蚀保护层分别包覆未被图案化介电层与图案化半导体层覆盖而曝露的扫描配线，并与扫描配线电性并联。在基板上形成保护层。移除像素电极上方的保护层与像素电极的图案化金属层，以曝露出图案化透明导电层，并且同时移除刻蚀保护层与数据配线之间的扫描配线上方的图案化半导体层，以暴露出图案化介电层。

公开(公告)号：CN1740909A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510106466.0

申请日：2005-09-26

Applicant: 广辉电子股份有限公司

Inventor： 董畯豪 ,  李佳宗 ,  曾贤楷 ,  堀野·滋和

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/08 ,  G03F1/00

Abstract: 一种光罩及其制造方法，包括下列步骤。首先提供一透明基板，此基板至少分为三区。在透明基板的第一区中形成一低穿透层。然后，在透明基板上形成一第一光阻层，暴露出透明基板的第二区。接着，在透明基板与第一光阻层上形成一第一穿透层。最后，移除第一光阻层，其中位于第一光阻层上的第一穿透层会同时被移除，而留下形成在透明基板的第二区内的第一穿透层，并暴露出透明基板的第三区。基于上述，本发明所提供的光罩的制造方法是使用剥离制程来完成穿透层的制作。